Corrente de drenagem geral do transistor PMOS Calculadora

Drenar Corrente = 1/2*Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS*Proporção da tela*(Tensão entre Gate e Source-modulus(Tensão de limiar))^2*(1+Tensão entre Dreno e Fonte/modulus(Tensão inicial))
I_d = 1/2*k'_p*WL*(V_GS-modulus(V_T))^2*(1+V_DS/modulus(V_a))
Esta fórmula usa 1 Funções, 7 Variáveis
modulus - O módulo de um número é o resto quando esse número é dividido por outro número., modulusDrenar Corrente - (Medido em Ampere) - A corrente de dreno é a corrente elétrica que flui do dreno para a fonte de um transistor de efeito de campo (FET) ou um transistor de efeito de campo de semicondutor de óxido de metal (MOSFET).
Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS - (Medido em Siemens) - O Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS (PTM) é um parâmetro usado na modelagem de dispositivos semicondutores para caracterizar o desempenho de um transistor.
Proporção da tela - A relação de aspecto é definida como a relação entre a largura do canal do transistor e seu comprimento. É a razão entre a largura do portão e a distância entre a fonte
Tensão entre Gate e Source - (Medido em Volt) - A tensão entre porta e fonte de um transistor de efeito de campo (FET) é conhecida como tensão porta-fonte (VGS). É um parâmetro importante que afeta a operação do FET.
Tensão de limiar - (Medido em Volt) - A tensão limiar, também conhecida como tensão limiar da porta ou simplesmente Vth, é um parâmetro crítico na operação dos transistores de efeito de campo, que são componentes fundamentais da eletrônica moderna.
Tensão entre Dreno e Fonte - (Medido em Volt) - A tensão entre o dreno e a fonte é um parâmetro chave na operação de um transistor de efeito de campo (FET) e é frequentemente chamada de "tensão dreno-fonte" ou VDS.
Tensão inicial - (Medido em Volt) - A tensão inicial é totalmente dependente da tecnologia de processo, com as dimensões de volts por mícron.

(Cálculo concluído em 00.004 segundos)