Ganho de tensão de saída do amplificador MOS Cascade Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo
Fórmula Usada
Ganho de tensão de saída = -Transcondutância Primária MOSFET^2*Resistência de saída finita*Resistência à drenagem
Avo = -gmp^2*Rout*Rd
Esta fórmula usa 4 Variáveis
Variáveis Usadas
Ganho de tensão de saída - O ganho de tensão de saída é a diferença entre o nível de tensão do sinal de saída em decibéis e o nível de tensão do sinal de entrada em decibéis.
Transcondutância Primária MOSFET - (Medido em Siemens) - A transcondutância primária do MOSFET é a mudança na corrente de dreno dividida pela pequena mudança na tensão de porta/fonte com uma tensão de dreno/fonte constante.
Resistência de saída finita - (Medido em Ohm) - A resistência de saída finita é uma medida de quanto a impedância de saída do transistor varia com as mudanças na tensão de saída.
Resistência à drenagem - (Medido em Ohm) - A resistência do dreno é a razão entre a mudança na tensão do dreno e da fonte e a mudança correspondente na corrente de dreno para uma porta constante para a tensão da fonte.
ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base
Transcondutância Primária MOSFET: 19.77 Millisiemens --> 0.01977 Siemens (Verifique a conversão ​aqui)
Resistência de saída finita: 0.35 Quilohm --> 350 Ohm (Verifique a conversão ​aqui)
Resistência à drenagem: 0.36 Quilohm --> 360 Ohm (Verifique a conversão ​aqui)
ETAPA 2: Avalie a Fórmula
Substituindo valores de entrada na fórmula
Avo = -gmp^2*Rout*Rd --> -0.01977^2*350*360
Avaliando ... ...
Avo = 49.2474654
PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída
49.2474654 --> Nenhuma conversão necessária
RESPOSTA FINAL
49.2474654 49.24747 <-- Ganho de tensão de saída
(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

Créditos

Creator Image
Criado por Payal Priya
Birsa Institute of Technology (MORDEU), Sindri
Payal Priya criou esta calculadora e mais 600+ calculadoras!
Verifier Image
Verificado por Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod verificou esta calculadora e mais 1900+ calculadoras!

Amplificador Cascode Calculadoras

Ganho de tensão bipolar de circuito aberto Cascode
​ Vai Ganho de tensão bipolar do Cascode = -Transcondutância Primária MOSFET*(Transcondutância Secundária MOSFET*Resistência de saída finita)*(1/Resistência de saída finita do transistor 1+1/Resistência de entrada de sinal pequeno)^-1
Resistência de drenagem do amplificador Cascode
​ Vai Resistência à drenagem = (Ganho de tensão de saída/(Transcondutância Primária MOSFET^2*Resistência de saída finita))
Ganho de tensão de saída do amplificador MOS Cascade
​ Vai Ganho de tensão de saída = -Transcondutância Primária MOSFET^2*Resistência de saída finita*Resistência à drenagem
Ganho de tensão negativa do amplificador Cascode
​ Vai Ganho de tensão negativa = -(Transcondutância Primária MOSFET*Resistência entre Dreno e Solo)

Amplificadores transistorizados multiestágio Calculadoras

Ganho de tensão bipolar de circuito aberto Cascode
​ Vai Ganho de tensão bipolar do Cascode = -Transcondutância Primária MOSFET*(Transcondutância Secundária MOSFET*Resistência de saída finita)*(1/Resistência de saída finita do transistor 1+1/Resistência de entrada de sinal pequeno)^-1
Resistência de drenagem do amplificador Cascode
​ Vai Resistência à drenagem = (Ganho de tensão de saída/(Transcondutância Primária MOSFET^2*Resistência de saída finita))
Ganho de tensão de saída do amplificador MOS Cascade
​ Vai Ganho de tensão de saída = -Transcondutância Primária MOSFET^2*Resistência de saída finita*Resistência à drenagem
Resistência Equivalente do Amplificador Cascode
​ Vai Resistência entre Dreno e Solo = (1/Resistência de saída finita do transistor 1+1/Resistência de entrada)^-1

Ganho de tensão de saída do amplificador MOS Cascade Fórmula

Ganho de tensão de saída = -Transcondutância Primária MOSFET^2*Resistência de saída finita*Resistência à drenagem
Avo = -gmp^2*Rout*Rd

Quais são as aplicações do amplificador cascode?

O amplificador cascode é usado para melhorar o desempenho de um circuito analógico. A utilização de cascode é um método comum que pode ser usado tanto em aplicações de transistores como de válvulas.

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