Resistência de saída da fonte de corrente NMOS dada corrente de dreno Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo
Fórmula Usada
Resistência de saída = Parâmetro do dispositivo/Corrente de dreno sem modulação de comprimento de canal
Rout = VA/ID'
Esta fórmula usa 3 Variáveis
Variáveis Usadas
Resistência de saída - (Medido em Ohm) - A resistência de saída refere-se à resistência de um circuito eletrônico ao fluxo de corrente quando uma carga é conectada à sua saída.
Parâmetro do dispositivo - (Medido em Volt) - O parâmetro do dispositivo é o parâmetro usado no cálculo relacionado ao MOSFET.VA é proporcional ao comprimento do canal L que o projetista seleciona para um MOSFET.
Corrente de dreno sem modulação de comprimento de canal - (Medido em Ampere) - Corrente de dreno sem modulação de comprimento de canal significa que a corrente de dreno da região de saturação aumentará ligeiramente à medida que a tensão dreno para fonte aumenta.
ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base
Parâmetro do dispositivo: 4 Volt --> 4 Volt Nenhuma conversão necessária
Corrente de dreno sem modulação de comprimento de canal: 3.2 Miliamperes --> 0.0032 Ampere (Verifique a conversão ​aqui)
ETAPA 2: Avalie a Fórmula
Substituindo valores de entrada na fórmula
Rout = VA/ID' --> 4/0.0032
Avaliando ... ...
Rout = 1250
PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída
1250 Ohm -->1.25 Quilohm (Verifique a conversão ​aqui)
RESPOSTA FINAL
1.25 Quilohm <-- Resistência de saída
(Cálculo concluído em 00.021 segundos)

Créditos

Creator Image
Criado por Payal Priya
Birsa Institute of Technology (MORDEU), Sindri
Payal Priya criou esta calculadora e mais 600+ calculadoras!
Verifier Image
Verificado por Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod verificou esta calculadora e mais 1900+ calculadoras!

Aprimoramento do Canal N Calculadoras

Corrente entrando na fonte de dreno na região do triodo do NMOS
​ LaTeX ​ Vai Drenar corrente em NMOS = Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS*Largura do Canal/Comprimento do Canal*((Tensão da fonte do portão-Tensão de limiar)*Tensão da Fonte de Dreno-1/2*(Tensão da Fonte de Dreno)^2)
Terminal de drenagem de entrada de corrente de NMOS dada tensão de fonte de porta
​ LaTeX ​ Vai Drenar corrente em NMOS = Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS*Largura do Canal/Comprimento do Canal*((Tensão da fonte do portão-Tensão de limiar)*Tensão da Fonte de Dreno-1/2*Tensão da Fonte de Dreno^2)
NMOS como resistência linear
​ LaTeX ​ Vai Resistência Linear = Comprimento do Canal/(Mobilidade de Elétrons na Superfície do Canal*Capacitância de Óxido*Largura do Canal*(Tensão da fonte do portão-Tensão de limiar))
Velocidade de deriva de elétrons do canal no transistor NMOS
​ LaTeX ​ Vai Velocidade de deriva de elétrons = Mobilidade de Elétrons na Superfície do Canal*Campo elétrico ao longo do comprimento do canal

Resistência de saída da fonte de corrente NMOS dada corrente de dreno Fórmula

​LaTeX ​Vai
Resistência de saída = Parâmetro do dispositivo/Corrente de dreno sem modulação de comprimento de canal
Rout = VA/ID'

O que é um MOSFET e como funciona?

Em geral, o MOSFET funciona como uma chave, o MOSFET controla a tensão e o fluxo de corrente entre a fonte e o dreno. O funcionamento do MOSFET depende do capacitor MOS, que é a superfície do semicondutor abaixo das camadas de óxido entre a fonte e o terminal de drenagem.

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