Condutividade ôhmica da impureza Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo
Fórmula Usada
Condutividade Ohmica = Cobrar*(Mobilidade de Silício com Dopagem Eletrônica*Concentração de Elétrons+Dopagem de furos Mobilidade de silício*Concentração de Buraco)
σ = q*(μn*ne+μp*p)
Esta fórmula usa 6 Variáveis
Variáveis Usadas
Condutividade Ohmica - (Medido em Siemens/Metro) - A condutividade ôhmica é a medida da capacidade do material de passar o fluxo de corrente elétrica. A condutividade elétrica difere de um material para outro.
Cobrar - (Medido em Coulomb) - Carregue uma característica de uma unidade de matéria que expressa até que ponto ela possui mais ou menos elétrons do que prótons.
Mobilidade de Silício com Dopagem Eletrônica - (Medido em Metro quadrado por volt por segundo) - A mobilidade do silício com dopagem eletrônica caracteriza a rapidez com que um elétron pode se mover através de um metal ou semicondutor quando puxado por um campo elétrico.
Concentração de Elétrons - (Medido em 1 por metro cúbico) - A concentração de elétrons é influenciada por vários fatores, como temperatura, impurezas ou dopantes adicionados ao material semicondutor e campos elétricos ou magnéticos externos.
Dopagem de furos Mobilidade de silício - (Medido em Metro quadrado por volt por segundo) - Hole Doping Silicon Mobility é a capacidade de um buraco viajar através de um metal ou semicondutor na presença de um campo elétrico aplicado.
Concentração de Buraco - (Medido em 1 por metro cúbico) - A concentração de furos implica um maior número de portadores de carga disponíveis no material, afetando sua condutividade e diversos dispositivos semicondutores.
ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base
Cobrar: 5 Milicoulomb --> 0.005 Coulomb (Verifique a conversão ​aqui)
Mobilidade de Silício com Dopagem Eletrônica: 0.38 Centímetro Quadrado por Volt Segundo --> 3.8E-05 Metro quadrado por volt por segundo (Verifique a conversão ​aqui)
Concentração de Elétrons: 50.6 1 por centímetro cúbico --> 50600000 1 por metro cúbico (Verifique a conversão ​aqui)
Dopagem de furos Mobilidade de silício: 2.4 Centímetro Quadrado por Volt Segundo --> 0.00024 Metro quadrado por volt por segundo (Verifique a conversão ​aqui)
Concentração de Buraco: 0.69 1 por centímetro cúbico --> 690000 1 por metro cúbico (Verifique a conversão ​aqui)
ETAPA 2: Avalie a Fórmula
Substituindo valores de entrada na fórmula
σ = q*(μn*nep*p) --> 0.005*(3.8E-05*50600000+0.00024*690000)
Avaliando ... ...
σ = 10.442
PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída
10.442 Siemens/Metro -->0.10442 Mho/Centímetro (Verifique a conversão ​aqui)
RESPOSTA FINAL
0.10442 Mho/Centímetro <-- Condutividade Ohmica
(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

Créditos

Creator Image
Criado por Raul Gupta
Universidade de Chandigarh (UC), Mohali, Punjab
Raul Gupta criou esta calculadora e mais 25+ calculadoras!
Verifier Image
Verificado por Parminder Singh
Universidade de Chandigarh (CU), Punjab
Parminder Singh verificou esta calculadora e mais 500+ calculadoras!

Fabricação de CI bipolar Calculadoras

Condutividade do Tipo N
​ LaTeX ​ Vai Condutividade Ohmica = Cobrar*(Mobilidade de Silício com Dopagem Eletrônica*Concentração de equilíbrio do tipo N+Dopagem de furos Mobilidade de silício*(Concentração Intrínseca^2/Concentração de equilíbrio do tipo N))
Condutividade ôhmica da impureza
​ LaTeX ​ Vai Condutividade Ohmica = Cobrar*(Mobilidade de Silício com Dopagem Eletrônica*Concentração de Elétrons+Dopagem de furos Mobilidade de silício*Concentração de Buraco)
Impureza com Concentração Intrínseca
​ LaTeX ​ Vai Concentração Intrínseca = sqrt((Concentração de Elétrons*Concentração de Buraco)/Impureza de temperatura)
Tensão de ruptura do emissor coletor
​ LaTeX ​ Vai Tensão de ruptura do emissor do coletor = Tensão de ruptura da base do coletor/(Ganho atual do BJT)^(1/Número raiz)

Condutividade ôhmica da impureza Fórmula

​LaTeX ​Vai
Condutividade Ohmica = Cobrar*(Mobilidade de Silício com Dopagem Eletrônica*Concentração de Elétrons+Dopagem de furos Mobilidade de silício*Concentração de Buraco)
σ = q*(μn*ne+μp*p)
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