Figura de ruído da banda lateral dupla Calculadora

✖A temperatura do diodo é a medida do calor que flui no diodo preferencialmente em uma direção.ⓘ Temperatura do Diodo [T_d]			+10% -10%
✖A resistência do diodo pode ser definida como a oposição efetiva oferecida pelo diodo ao fluxo de corrente através dele.ⓘ Resistência de Diodo [R_d]			+10% -10%
✖A resistência de saída do gerador de sinal é um parâmetro operacional chave que controla o gerador de sinal de geração atual quando usado como fonte de energia.ⓘ Resistência de saída do gerador de sinal [R_g]			+10% -10%
✖Temperatura ambiente é a temperatura do ambiente.ⓘ Temperatura ambiente [T₀]			+10% -10%

✖Figura de ruído De banda lateral dupla em decibéis (dB) entre a saída de ruído do receptor real e a saída de ruído de um receptor “ideal” com o mesmo ganho geral e largura de banda.ⓘ Figura de ruído da banda lateral dupla [F_dsb]

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Figura de ruído da banda lateral dupla Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Figura de ruído da banda lateral dupla = 1+((Temperatura do Diodo*Resistência de Diodo)/(Resistência de saída do gerador de sinal*Temperatura ambiente))
F_dsb = 1+((T_d*R_d)/(R_g*T₀))
Esta fórmula usa 5 Variáveis

Variáveis Usadas

Figura de ruído da banda lateral dupla - (Medido em Decibel) - Figura de ruído De banda lateral dupla em decibéis (dB) entre a saída de ruído do receptor real e a saída de ruído de um receptor “ideal” com o mesmo ganho geral e largura de banda.
Temperatura do Diodo - (Medido em Kelvin) - A temperatura do diodo é a medida do calor que flui no diodo preferencialmente em uma direção.
Resistência de Diodo - (Medido em Ohm) - A resistência do diodo pode ser definida como a oposição efetiva oferecida pelo diodo ao fluxo de corrente através dele.
Resistência de saída do gerador de sinal - (Medido em Ohm) - A resistência de saída do gerador de sinal é um parâmetro operacional chave que controla o gerador de sinal de geração atual quando usado como fonte de energia.
Temperatura ambiente - (Medido em Kelvin) - Temperatura ambiente é a temperatura do ambiente.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Temperatura do Diodo: 290 Kelvin --> 290 Kelvin Nenhuma conversão necessária
Resistência de Diodo: 210 Ohm --> 210 Ohm Nenhuma conversão necessária
Resistência de saída do gerador de sinal: 33 Ohm --> 33 Ohm Nenhuma conversão necessária
Temperatura ambiente: 300 Kelvin --> 300 Kelvin Nenhuma conversão necessária

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

F_dsb = 1+((T_d*R_d)/(R_g*T₀)) --> 1+((290*210)/(33*300))

Avaliando ... ...

F_dsb = 7.15151515151515

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

7.15151515151515 Decibel --> Nenhuma conversão necessária

RESPOSTA FINAL

7.15151515151515 ≈ 7.151515 Decibel <-- Figura de ruído da banda lateral dupla

(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

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Créditos

Criado por Shobhit Dimri

Instituto de Tecnologia Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri criou esta calculadora e mais 900+ calculadoras!

Verificado por Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod verificou esta calculadora e mais 1900+ calculadoras!

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Largura de banda usando fator de qualidade dinâmico

LaTeX Vai largura de banda = Fator Q Dinâmico/(Frequência angular*Resistência em série do diodo)

Tensão máxima aplicada no diodo

LaTeX Vai Tensão Máxima Aplicada = Campo Elétrico Máximo*Comprimento de Depleção

Corrente máxima aplicada no diodo

LaTeX Vai Corrente Máxima Aplicada = Tensão Máxima Aplicada/impedância reativa

Impedência Reativa

LaTeX Vai impedância reativa = Tensão Máxima Aplicada/Corrente Máxima Aplicada

Ver mais >>

Figura de ruído da banda lateral dupla Fórmula

LaTeX Vai

Figura de ruído da banda lateral dupla = 1+((Temperatura do Diodo*Resistência de Diodo)/(Resistência de saída do gerador de sinal*Temperatura ambiente))
F_dsb = 1+((T_d*R_d)/(R_g*T₀))

O que é homo-transistor de junção?

Quando a junção do transistor é unida por dois materiais semelhantes, como silício para silício ou germânio para germânio, é chamada de transistor de homojunção.

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