Tensão Limite Adicional de Canal Estreito VLSI Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo
Fórmula Usada
Tensão Limite Adicional de Canal Estreito = ((Parâmetro Empírico*Depleção em massa de extensão vertical no substrato)/(Largura de banda*Capacitância de Óxido por Unidade de Área))*(sqrt(2*[Charge-e]*Concentração do aceitante*[Permitivity-vacuum]*[Permitivity-silicon]*abs(2*Potencial de Superfície)))
ΔVT0(nc) = ((k*xdm)/(Wc*Coxide))*(sqrt(2*[Charge-e]*NA*[Permitivity-vacuum]*[Permitivity-silicon]*abs(2*Φs)))
Esta fórmula usa 3 Constantes, 2 Funções, 7 Variáveis
Constantes Usadas
[Permitivity-silicon] - Permissividade do silício Valor considerado como 11.7
[Permitivity-vacuum] - Permissividade do vácuo Valor considerado como 8.85E-12
[Charge-e] - Carga do elétron Valor considerado como 1.60217662E-19
Funções usadas
sqrt - Uma função de raiz quadrada é uma função que recebe um número não negativo como entrada e retorna a raiz quadrada do número de entrada fornecido., sqrt(Number)
abs - O valor absoluto de um número é sua distância de zero na reta numérica. É sempre um valor positivo, pois representa a magnitude de um número sem considerar sua direção., abs(Number)
Variáveis Usadas
Tensão Limite Adicional de Canal Estreito - (Medido em Volt) - A tensão limite adicional de canal estreito é definida como uma contribuição adicional à tensão limite devido aos efeitos de canal estreito no MOSFET.
Parâmetro Empírico - Parâmetro Empírico é uma constante ou valor usado em um modelo, equação ou teoria que é derivado de experimento e observação, em vez de ser deduzido teoricamente.
Depleção em massa de extensão vertical no substrato - (Medido em Metro) - O esgotamento em massa de extensão vertical no substrato refere-se à profundidade da região de esgotamento no substrato (volume) do MOSFET.
Largura de banda - (Medido em Metro) - A largura do canal é definida como a largura física do canal semicondutor entre os terminais de fonte e dreno dentro da estrutura do transistor.
Capacitância de Óxido por Unidade de Área - (Medido em Farad por metro quadrado) - A capacitância de óxido por unidade de área é definida como a capacitância por unidade de área da camada isolante de óxido que separa a porta de metal do material semicondutor.
Concentração do aceitante - (Medido em 1 por metro cúbico) - Concentração do aceitador refere-se à concentração de átomos dopantes aceitadores em um material semicondutor.
Potencial de Superfície - (Medido em Volt) - O potencial de superfície é um parâmetro chave na avaliação da propriedade DC de transistores de filme fino.
ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base
Parâmetro Empírico: 1.57 --> Nenhuma conversão necessária
Depleção em massa de extensão vertical no substrato: 1.25 Micrômetro --> 1.25E-06 Metro (Verifique a conversão ​aqui)
Largura de banda: 2.5 Micrômetro --> 2.5E-06 Metro (Verifique a conversão ​aqui)
Capacitância de Óxido por Unidade de Área: 0.0703 Microfarad por centímetro quadrado --> 0.000703 Farad por metro quadrado (Verifique a conversão ​aqui)
Concentração do aceitante: 1E+16 1 por centímetro cúbico --> 1E+22 1 por metro cúbico (Verifique a conversão ​aqui)
Potencial de Superfície: 6.86 Volt --> 6.86 Volt Nenhuma conversão necessária
ETAPA 2: Avalie a Fórmula
Substituindo valores de entrada na fórmula
ΔVT0(nc) = ((k*xdm)/(Wc*Coxide))*(sqrt(2*[Charge-e]*NA*[Permitivity-vacuum]*[Permitivity-silicon]*abs(2*Φs))) --> ((1.57*1.25E-06)/(2.5E-06*0.000703))*(sqrt(2*[Charge-e]*1E+22*[Permitivity-vacuum]*[Permitivity-silicon]*abs(2*6.86)))
Avaliando ... ...
ΔVT0(nc) = 2.38246289976913
PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída
2.38246289976913 Volt --> Nenhuma conversão necessária
RESPOSTA FINAL
2.38246289976913 2.382463 Volt <-- Tensão Limite Adicional de Canal Estreito
(Cálculo concluído em 00.020 segundos)

Créditos

Creator Image
Criado por Priyanka Patel
Faculdade de Engenharia Lalbhai Dalpatbhai (LDCE), Ahmedabad
Priyanka Patel criou esta calculadora e mais 25+ calculadoras!
Verifier Image
Verificado por Santosh Yadav
Faculdade de Engenharia Dayananda Sagar (DSCE), Banglore
Santosh Yadav verificou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!

Otimização de materiais VLSI Calculadoras

Coeficiente de Efeito Corporal
​ LaTeX ​ Vai Coeficiente de Efeito Corporal = modulus((Tensão de limiar-Tensão Limite DIBL)/(sqrt(Potencial de Superfície+(Diferença potencial do corpo de origem))-sqrt(Potencial de Superfície)))
Coeficiente DIBL
​ LaTeX ​ Vai Coeficiente DIBL = (Tensão Limite DIBL-Tensão de limiar)/Drenar para Potencial de Fonte
Carga do canal
​ LaTeX ​ Vai Taxa de canal = Capacitância do portão*(Tensão do portão para o canal-Tensão de limiar)
Tensão Crítica
​ LaTeX ​ Vai Tensão Crítica = Campo Elétrico Crítico*Campo elétrico ao longo do comprimento do canal

Tensão Limite Adicional de Canal Estreito VLSI Fórmula

​LaTeX ​Vai
Tensão Limite Adicional de Canal Estreito = ((Parâmetro Empírico*Depleção em massa de extensão vertical no substrato)/(Largura de banda*Capacitância de Óxido por Unidade de Área))*(sqrt(2*[Charge-e]*Concentração do aceitante*[Permitivity-vacuum]*[Permitivity-silicon]*abs(2*Potencial de Superfície)))
ΔVT0(nc) = ((k*xdm)/(Wc*Coxide))*(sqrt(2*[Charge-e]*NA*[Permitivity-vacuum]*[Permitivity-silicon]*abs(2*Φs)))
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