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Otimização de materiais VLSI
Projeto VLSI analógico
✖
Parâmetro Empírico é uma constante ou valor usado em um modelo, equação ou teoria que é derivado de experimento e observação, em vez de ser deduzido teoricamente.
ⓘ
Parâmetro Empírico [k]
+10%
-10%
✖
O esgotamento em massa de extensão vertical no substrato refere-se à profundidade da região de esgotamento no substrato (volume) do MOSFET.
ⓘ
Depleção em massa de extensão vertical no substrato [x
dm
]
Angstrom
Unidade astronômica
Centímetro
Decímetro
Raio Equatorial da Terra
Fermi
Pé
Polegada
Quilômetro
Ano luz
Metro
Micropolegada
Micrômetro
mícron
Milha
Milímetro
Nanômetro
picômetro
Jarda
+10%
-10%
✖
A largura do canal é definida como a largura física do canal semicondutor entre os terminais de fonte e dreno dentro da estrutura do transistor.
ⓘ
Largura de banda [W
c
]
Angstrom
Unidade astronômica
Centímetro
Decímetro
Raio Equatorial da Terra
Fermi
Pé
Polegada
Quilômetro
Ano luz
Metro
Micropolegada
Micrômetro
mícron
Milha
Milímetro
Nanômetro
picômetro
Jarda
+10%
-10%
✖
A capacitância de óxido por unidade de área é definida como a capacitância por unidade de área da camada isolante de óxido que separa a porta de metal do material semicondutor.
ⓘ
Capacitância de Óxido por Unidade de Área [C
oxide
]
Farad por metro quadrado
Microfarad por centímetro quadrado
Microfarad por Milímetro Quadrado
Nanofarad por centímetro quadrado
+10%
-10%
✖
Concentração do aceitador refere-se à concentração de átomos dopantes aceitadores em um material semicondutor.
ⓘ
Concentração do aceitante [N
A
]
1 por centímetro cúbico
1 por metro cúbico
por litro
+10%
-10%
✖
O potencial de superfície é um parâmetro chave na avaliação da propriedade DC de transistores de filme fino.
ⓘ
Potencial de Superfície [Φ
s
]
Quilovolt
Megavolt
Microvolt
Milivolt
Nanovalt
Planck Voltage
Volt
+10%
-10%
✖
A tensão limite adicional de canal estreito é definida como uma contribuição adicional à tensão limite devido aos efeitos de canal estreito no MOSFET.
ⓘ
Tensão Limite Adicional de Canal Estreito VLSI [ΔV
T0(nc)
]
Quilovolt
Megavolt
Microvolt
Milivolt
Nanovalt
Planck Voltage
Volt
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Tensão Limite Adicional de Canal Estreito VLSI Solução
ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo
Fórmula Usada
Tensão Limite Adicional de Canal Estreito
= ((
Parâmetro Empírico
*
Depleção em massa de extensão vertical no substrato
)/(
Largura de banda
*
Capacitância de Óxido por Unidade de Área
))*(
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
Concentração do aceitante
*
[Permitivity-vacuum]
*
[Permitivity-silicon]
*
abs
(2*
Potencial de Superfície
)))
ΔV
T0(nc)
= ((
k
*
x
dm
)/(
W
c
*
C
oxide
))*(
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
N
A
*
[Permitivity-vacuum]
*
[Permitivity-silicon]
*
abs
(2*
Φ
s
)))
Esta fórmula usa
3
Constantes
,
2
Funções
,
7
Variáveis
Constantes Usadas
[Permitivity-silicon]
- Permissividade do silício Valor considerado como 11.7
[Permitivity-vacuum]
- Permissividade do vácuo Valor considerado como 8.85E-12
[Charge-e]
- Carga do elétron Valor considerado como 1.60217662E-19
Funções usadas
sqrt
- Uma função de raiz quadrada é uma função que recebe um número não negativo como entrada e retorna a raiz quadrada do número de entrada fornecido., sqrt(Number)
abs
- O valor absoluto de um número é sua distância de zero na reta numérica. É sempre um valor positivo, pois representa a magnitude de um número sem considerar sua direção., abs(Number)
Variáveis Usadas
Tensão Limite Adicional de Canal Estreito
-
(Medido em Volt)
- A tensão limite adicional de canal estreito é definida como uma contribuição adicional à tensão limite devido aos efeitos de canal estreito no MOSFET.
Parâmetro Empírico
- Parâmetro Empírico é uma constante ou valor usado em um modelo, equação ou teoria que é derivado de experimento e observação, em vez de ser deduzido teoricamente.
Depleção em massa de extensão vertical no substrato
-
(Medido em Metro)
- O esgotamento em massa de extensão vertical no substrato refere-se à profundidade da região de esgotamento no substrato (volume) do MOSFET.
Largura de banda
-
(Medido em Metro)
- A largura do canal é definida como a largura física do canal semicondutor entre os terminais de fonte e dreno dentro da estrutura do transistor.
Capacitância de Óxido por Unidade de Área
-
(Medido em Farad por metro quadrado)
- A capacitância de óxido por unidade de área é definida como a capacitância por unidade de área da camada isolante de óxido que separa a porta de metal do material semicondutor.
Concentração do aceitante
-
(Medido em 1 por metro cúbico)
- Concentração do aceitador refere-se à concentração de átomos dopantes aceitadores em um material semicondutor.
Potencial de Superfície
-
(Medido em Volt)
- O potencial de superfície é um parâmetro chave na avaliação da propriedade DC de transistores de filme fino.
ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base
Parâmetro Empírico:
1.57 --> Nenhuma conversão necessária
Depleção em massa de extensão vertical no substrato:
1.25 Micrômetro --> 1.25E-06 Metro
(Verifique a conversão
aqui
)
Largura de banda:
2.5 Micrômetro --> 2.5E-06 Metro
(Verifique a conversão
aqui
)
Capacitância de Óxido por Unidade de Área:
0.0703 Microfarad por centímetro quadrado --> 0.000703 Farad por metro quadrado
(Verifique a conversão
aqui
)
Concentração do aceitante:
1E+16 1 por centímetro cúbico --> 1E+22 1 por metro cúbico
(Verifique a conversão
aqui
)
Potencial de Superfície:
6.86 Volt --> 6.86 Volt Nenhuma conversão necessária
ETAPA 2: Avalie a Fórmula
Substituindo valores de entrada na fórmula
ΔV
T0(nc)
= ((k*x
dm
)/(W
c
*C
oxide
))*(sqrt(2*[Charge-e]*N
A
*[Permitivity-vacuum]*[Permitivity-silicon]*abs(2*Φ
s
))) -->
((1.57*1.25E-06)/(2.5E-06*0.000703))*(
sqrt
(2*
[Charge-e]
*1E+22*
[Permitivity-vacuum]
*
[Permitivity-silicon]
*
abs
(2*6.86)))
Avaliando ... ...
ΔV
T0(nc)
= 2.38246289976913
PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída
2.38246289976913 Volt --> Nenhuma conversão necessária
RESPOSTA FINAL
2.38246289976913
≈
2.382463 Volt
<--
Tensão Limite Adicional de Canal Estreito
(Cálculo concluído em 00.020 segundos)
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Tensão Limite Adicional de Canal Estreito VLSI
Créditos
Criado por
Priyanka Patel
Faculdade de Engenharia Lalbhai Dalpatbhai
(LDCE)
,
Ahmedabad
Priyanka Patel criou esta calculadora e mais 25+ calculadoras!
Verificado por
Santosh Yadav
Faculdade de Engenharia Dayananda Sagar
(DSCE)
,
Banglore
Santosh Yadav verificou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!
<
Otimização de materiais VLSI Calculadoras
Coeficiente de Efeito Corporal
LaTeX
Vai
Coeficiente de Efeito Corporal
=
modulus
((
Tensão de limiar
-
Tensão Limite DIBL
)/(
sqrt
(
Potencial de Superfície
+(
Diferença potencial do corpo de origem
))-
sqrt
(
Potencial de Superfície
)))
Coeficiente DIBL
LaTeX
Vai
Coeficiente DIBL
= (
Tensão Limite DIBL
-
Tensão de limiar
)/
Drenar para Potencial de Fonte
Carga do canal
LaTeX
Vai
Taxa de canal
=
Capacitância do portão
*(
Tensão do portão para o canal
-
Tensão de limiar
)
Tensão Crítica
LaTeX
Vai
Tensão Crítica
=
Campo Elétrico Crítico
*
Campo elétrico ao longo do comprimento do canal
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Tensão Limite Adicional de Canal Estreito VLSI Fórmula
LaTeX
Vai
Tensão Limite Adicional de Canal Estreito
= ((
Parâmetro Empírico
*
Depleção em massa de extensão vertical no substrato
)/(
Largura de banda
*
Capacitância de Óxido por Unidade de Área
))*(
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
Concentração do aceitante
*
[Permitivity-vacuum]
*
[Permitivity-silicon]
*
abs
(2*
Potencial de Superfície
)))
ΔV
T0(nc)
= ((
k
*
x
dm
)/(
W
c
*
C
oxide
))*(
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
N
A
*
[Permitivity-vacuum]
*
[Permitivity-silicon]
*
abs
(2*
Φ
s
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