Tensão Limite Adicional de Canal Estreito VLSI Calculadora

Engenharia Financeiro Física Matemática Mais >>

↳

Eletrônicos Ciência de materiais Civil Elétrico Mais >>

⤿

Fabricação VLSI Amplificadores Antena e propagação de ondas Circuitos Integrados (CI)Mais >>

⤿

Otimização de materiais VLSI Projeto VLSI analógico

✖Parâmetro Empírico é uma constante ou valor usado em um modelo, equação ou teoria que é derivado de experimento e observação, em vez de ser deduzido teoricamente.ⓘ Parâmetro Empírico [k]			+10% -10%
✖O esgotamento em massa de extensão vertical no substrato refere-se à profundidade da região de esgotamento no substrato (volume) do MOSFET.ⓘ Depleção em massa de extensão vertical no substrato [x_dm]			+10% -10%
✖A largura do canal é definida como a largura física do canal semicondutor entre os terminais de fonte e dreno dentro da estrutura do transistor.ⓘ Largura de banda [W_c]			+10% -10%
✖A capacitância de óxido por unidade de área é definida como a capacitância por unidade de área da camada isolante de óxido que separa a porta de metal do material semicondutor.ⓘ Capacitância de Óxido por Unidade de Área [C_oxide]			+10% -10%
✖Concentração do aceitador refere-se à concentração de átomos dopantes aceitadores em um material semicondutor.ⓘ Concentração do aceitante [N_A]			+10% -10%
✖O potencial de superfície é um parâmetro chave na avaliação da propriedade DC de transistores de filme fino.ⓘ Potencial de Superfície [Φ_s]			+10% -10%

✖A tensão limite adicional de canal estreito é definida como uma contribuição adicional à tensão limite devido aos efeitos de canal estreito no MOSFET.ⓘ Tensão Limite Adicional de Canal Estreito VLSI [ΔV_T0(nc)]

⎘ Cópia De

👎

Fórmula

✖

Tensão Limite Adicional de Canal Estreito VLSI

Fórmula

ΔV T0(nc) = (\frac{k \cdot x dm}{W c \cdot C oxide}) \cdot (\sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot N A \cdot [Permitivity-vacuum] \cdot [Permitivity-silicon] \cdot | 2 \cdot Φ s |})

Exemplo

2.382463 V = (\frac{1.57 \cdot 1.25 μm}{2.5 μm \cdot 0.0703 μF/cm²}) \cdot (\sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot 1e+16 /cm³ \cdot [Permitivity-vacuum] \cdot [Permitivity-silicon] \cdot | 2 \cdot 6.86 V |})

Calculadora

LaTeX

Redefinir

👍

Download Eletrônicos Fórmula PDF PDF Image

Tensão Limite Adicional de Canal Estreito VLSI Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Tensão Limite Adicional de Canal Estreito = ((Parâmetro Empírico*Depleção em massa de extensão vertical no substrato)/(Largura de banda*Capacitância de Óxido por Unidade de Área))*(sqrt(2*[Charge-e]*Concentração do aceitante*[Permitivity-vacuum]*[Permitivity-silicon]*abs(2*Potencial de Superfície)))
ΔV_T0(nc) = ((k*x_dm)/(W_c*C_oxide))*(sqrt(2*[Charge-e]*N_A*[Permitivity-vacuum]*[Permitivity-silicon]*abs(2*Φ_s)))
Esta fórmula usa 3 Constantes, 2 Funções, 7 Variáveis

Constantes Usadas

[Permitivity-silicon] - Permissividade do silício Valor considerado como 11.7
[Permitivity-vacuum] - Permissividade do vácuo Valor considerado como 8.85E-12
[Charge-e] - Carga do elétron Valor considerado como 1.60217662E-19

Funções usadas

sqrt - Uma função de raiz quadrada é uma função que recebe um número não negativo como entrada e retorna a raiz quadrada do número de entrada fornecido., sqrt(Number)
abs - O valor absoluto de um número é a sua distância do zero na reta numérica. É sempre um valor positivo, pois representa a magnitude de um número sem considerar a sua direção., abs(Number)

Variáveis Usadas

Tensão Limite Adicional de Canal Estreito - (Medido em Volt) - A tensão limite adicional de canal estreito é definida como uma contribuição adicional à tensão limite devido aos efeitos de canal estreito no MOSFET.
Parâmetro Empírico - Parâmetro Empírico é uma constante ou valor usado em um modelo, equação ou teoria que é derivado de experimento e observação, em vez de ser deduzido teoricamente.
Depleção em massa de extensão vertical no substrato - (Medido em Metro) - O esgotamento em massa de extensão vertical no substrato refere-se à profundidade da região de esgotamento no substrato (volume) do MOSFET.
Largura de banda - (Medido em Metro) - A largura do canal é definida como a largura física do canal semicondutor entre os terminais de fonte e dreno dentro da estrutura do transistor.
Capacitância de Óxido por Unidade de Área - (Medido em Farad por metro quadrado) - A capacitância de óxido por unidade de área é definida como a capacitância por unidade de área da camada isolante de óxido que separa a porta de metal do material semicondutor.
Concentração do aceitante - (Medido em 1 por metro cúbico) - Concentração do aceitador refere-se à concentração de átomos dopantes aceitadores em um material semicondutor.
Potencial de Superfície - (Medido em Volt) - O potencial de superfície é um parâmetro chave na avaliação da propriedade DC de transistores de filme fino.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Parâmetro Empírico: 1.57 --> Nenhuma conversão necessária
Depleção em massa de extensão vertical no substrato: 1.25 Micrômetro --> 1.25E-06 Metro (Verifique a conversão aqui)
Largura de banda: 2.5 Micrômetro --> 2.5E-06 Metro (Verifique a conversão aqui)
Capacitância de Óxido por Unidade de Área: 0.0703 Microfarad por centímetro quadrado --> 0.000703 Farad por metro quadrado (Verifique a conversão aqui)
Concentração do aceitante: 1E+16 1 por centímetro cúbico --> 1E+22 1 por metro cúbico (Verifique a conversão aqui)
Potencial de Superfície: 6.86 Volt --> 6.86 Volt Nenhuma conversão necessária

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

ΔV_T0(nc) = ((k*x_dm)/(W_c*C_oxide))*(sqrt(2*[Charge-e]*N_A*[Permitivity-vacuum]*[Permitivity-silicon]*abs(2*Φ_s))) --> ((1.57*1.25E-06)/(2.5E-06*0.000703))*(sqrt(2*[Charge-e]*1E+22*[Permitivity-vacuum]*[Permitivity-silicon]*abs(2*6.86)))

Avaliando ... ...

ΔV_T0(nc) = 2.38246289976913

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

2.38246289976913 Volt --> Nenhuma conversão necessária

RESPOSTA FINAL

2.38246289976913 ≈ 2.382463 Volt <-- Tensão Limite Adicional de Canal Estreito

(Cálculo concluído em 00.020 segundos)

Você está aqui -

Casa » Engenharia » Eletrônicos » Fabricação VLSI » Otimização de materiais VLSI » Tensão Limite Adicional de Canal Estreito VLSI

Créditos

Criado por Priyanka Patel

Faculdade de Engenharia Lalbhai Dalpatbhai (LDCE), Ahmedabad

Priyanka Patel criou esta calculadora e mais 25+ calculadoras!

Verificado por Santosh Yadav

Faculdade de Engenharia Dayananda Sagar (DSCE), Banglore

Santosh Yadav verificou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!

< Otimização de materiais VLSI Calculadoras

Coeficiente de Efeito Corporal

Vai Coeficiente de Efeito Corporal = modulus((Tensão de limiar-Tensão Limite DIBL)/(sqrt(Potencial de Superfície+(Diferença potencial do corpo de origem))-sqrt(Potencial de Superfície)))

Coeficiente DIBL

Vai Coeficiente DIBL = (Tensão Limite DIBL-Tensão de limiar)/Drenar para Potencial de Fonte

Carga do canal

Vai Taxa de canal = Capacitância do portão*(Tensão do portão para o canal-Tensão de limiar)

Tensão Crítica

Vai Tensão Crítica = Campo Elétrico Crítico*Campo elétrico ao longo do comprimento do canal

Ver mais >>