Largura tipo N Calculadora

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Junção SSD Elétrons e Buracos Faixa de energia e portador de carga Portadores de semicondutores

✖A carga total do aceitador refere-se à carga líquida geral associada aos átomos aceitadores em um material ou dispositivo semicondutor.ⓘ Cobrança total do aceitante [\|Q\|]			+10% -10%
✖A área de junção é o limite ou área de interface entre dois tipos de materiais semicondutores em um diodo pn.ⓘ Área de Junção [A_j]			+10% -10%
✖A concentração do receptor é a concentração de um átomo receptor ou dopante que, quando substituído em uma rede semicondutora, forma uma região do tipo p.ⓘ Concentração do Aceitador [N_a]			+10% -10%

✖Penetração de carga do tipo N refere-se ao fenômeno em que elétrons adicionais de átomos dopantes, normalmente fósforo ou arsênico, penetram na rede cristalina do material semicondutor.ⓘ Largura tipo N [x_no]

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Largura tipo N Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Penetração de carga tipo N = Cobrança total do aceitante/(Área de Junção*Concentração do Aceitador*[Charge-e])
x_no = |Q|/(A_j*N_a*[Charge-e])
Esta fórmula usa 1 Constantes, 4 Variáveis

Constantes Usadas

[Charge-e] - Carga do elétron Valor considerado como 1.60217662E-19

Variáveis Usadas

Penetração de carga tipo N - (Medido em Metro) - Penetração de carga do tipo N refere-se ao fenômeno em que elétrons adicionais de átomos dopantes, normalmente fósforo ou arsênico, penetram na rede cristalina do material semicondutor.
Cobrança total do aceitante - (Medido em Coulomb) - A carga total do aceitador refere-se à carga líquida geral associada aos átomos aceitadores em um material ou dispositivo semicondutor.
Área de Junção - (Medido em Metro quadrado) - A área de junção é o limite ou área de interface entre dois tipos de materiais semicondutores em um diodo pn.
Concentração do Aceitador - (Medido em 1 por metro cúbico) - A concentração do receptor é a concentração de um átomo receptor ou dopante que, quando substituído em uma rede semicondutora, forma uma região do tipo p.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Cobrança total do aceitante: 13 Coulomb --> 13 Coulomb Nenhuma conversão necessária
Área de Junção: 5401.3 Micrometros Quadrados --> 5.4013E-09 Metro quadrado (Verifique a conversão aqui)
Concentração do Aceitador: 7.9E+35 1 por metro cúbico --> 7.9E+35 1 por metro cúbico Nenhuma conversão necessária

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

x_no = |Q|/(A_j*N_a*[Charge-e]) --> 13/(5.4013E-09*7.9E+35*[Charge-e])

Avaliando ... ...

x_no = 1.90154922096807E-08

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

1.90154922096807E-08 Metro -->0.0190154922096807 Micrômetro (Verifique a conversão aqui)

RESPOSTA FINAL

0.0190154922096807 ≈ 0.019015 Micrômetro <-- Penetração de carga tipo N

(Cálculo concluído em 00.020 segundos)

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Créditos

Criado por Shobhit Dimri

Instituto de Tecnologia Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri criou esta calculadora e mais 900+ calculadoras!

Verificado por Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod verificou esta calculadora e mais 1900+ calculadoras!

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Capacitância de Junção

LaTeX Vai Capacitância de Junção = (Área de Junção/2)*sqrt((2*[Charge-e]*Deslocamento de Comprimento Constante*Dopagem Concentração de Base)/(Tensão da fonte-Tensão da fonte 1))

Resistência em série no tipo P

LaTeX Vai Resistência em série na junção P = ((Tensão da fonte-Tensão de Junção)/Corrente elétrica)-Resistência em série na junção N

Tensão de junção

LaTeX Vai Tensão de Junção = Tensão da fonte-(Resistência em série na junção P+Resistência em série na junção N)*Corrente elétrica

Largura tipo N

LaTeX Vai Penetração de carga tipo N = Cobrança total do aceitante/(Área de Junção*Concentração do Aceitador*[Charge-e])

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Largura tipo N Fórmula

LaTeX Vai

Penetração de carga tipo N = Cobrança total do aceitante/(Área de Junção*Concentração do Aceitador*[Charge-e])
x_no = |Q|/(A_j*N_a*[Charge-e])

O que são correntes de difusão e deriva?

A corrente de deriva depende do campo elétrico aplicado, se não houver campo elétrico não há corrente de deriva. A corrente de difusão ocorre mesmo que não haja um campo elétrico aplicado ao semicondutor.

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