Calculadora A a Z
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✖
A transcondutância do MESFET é um parâmetro chave nos MESFETs, representando a mudança na corrente de dreno em relação à mudança na tensão porta-fonte.
ⓘ
Transcondutância do MESFET [G
m
]
Abmho
Ampere/Volt
Gemmho
Gigasiemens
Quilosiemens
Megasiemens
Mho
Micromho
Microsiemens
Millisiemens
Nanosiemens
Picosiemens
Quantized Hall Condutância
Siemens
Statmho
+10%
-10%
✖
A capacitância da fonte da porta refere-se à capacitância entre os terminais da porta e da fonte de um transistor de efeito de campo (FET).
ⓘ
Capacitância da Fonte da Porta [C
gs
]
Abfarad
Attofarad
Centifarad
Coulomb/Volt
Decafarad
Decifarad
EMU de Capacitância
ESU de Capacitância
Exafarad
Farad
FemtoFarad
Gigafarad
Hectofarad
Quilofarad
Megafarad
Microfarad
Milifarad
Nanofarad
Petafarad
Picofarad
Statfarad
Terafarad
+10%
-10%
✖
A frequência de corte MESFET representa a frequência na qual o ganho de corrente do transistor (ou transcondutância) começa a diminuir significativamente.
ⓘ
Frequência de corte MESFET [f
co
]
Attohertz
Batidas / Minuto
Centihertz
Ciclo/Segundo
Decahertz
Decihertz
exahertz
Femtohertz
Frames por segundo
Gigahertz
Hectohertz
Hertz
Quilohertz
Megahertz
Microhertz
Milhertz
Nanohertz
petahertz
Picohertz
revolução por dia
Revolução por hora
Revolução por minuto
revolução por segundo
Terahertz
Yottahertz
Zettahertz
⎘ Cópia De
Degraus
👎
Fórmula
✖
Frequência de corte MESFET
Fórmula
`"f"_{"co"} = "G"_{"m"}/(2*pi*"C"_{"gs"})`
Exemplo
`"179.2539Hz"="0.063072S"/(2*pi*"56μF")`
Calculadora
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Frequência de corte MESFET Solução
ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo
Fórmula Usada
Frequência de corte MESFET
=
Transcondutância do MESFET
/(2*
pi
*
Capacitância da Fonte da Porta
)
f
co
=
G
m
/(2*
pi
*
C
gs
)
Esta fórmula usa
1
Constantes
,
3
Variáveis
Constantes Usadas
pi
- Constante de Arquimedes Valor considerado como 3.14159265358979323846264338327950288
Variáveis Usadas
Frequência de corte MESFET
-
(Medido em Hertz)
- A frequência de corte MESFET representa a frequência na qual o ganho de corrente do transistor (ou transcondutância) começa a diminuir significativamente.
Transcondutância do MESFET
-
(Medido em Siemens)
- A transcondutância do MESFET é um parâmetro chave nos MESFETs, representando a mudança na corrente de dreno em relação à mudança na tensão porta-fonte.
Capacitância da Fonte da Porta
-
(Medido em Farad)
- A capacitância da fonte da porta refere-se à capacitância entre os terminais da porta e da fonte de um transistor de efeito de campo (FET).
ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base
Transcondutância do MESFET:
0.063072 Siemens --> 0.063072 Siemens Nenhuma conversão necessária
Capacitância da Fonte da Porta:
56 Microfarad --> 5.6E-05 Farad
(Verifique a conversão
aqui
)
ETAPA 2: Avalie a Fórmula
Substituindo valores de entrada na fórmula
f
co
= G
m
/(2*pi*C
gs
) -->
0.063072/(2*
pi
*5.6E-05)
Avaliando ... ...
f
co
= 179.253938762358
PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída
179.253938762358 Hertz --> Nenhuma conversão necessária
RESPOSTA FINAL
179.253938762358
≈
179.2539 Hertz
<--
Frequência de corte MESFET
(Cálculo concluído em 00.004 segundos)
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Frequência de corte MESFET
Créditos
Criado por
banuprakash
Faculdade de Engenharia Dayananda Sagar
(DSCE)
,
Bangalore
banuprakash criou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!
Verificado por
Dipanjona Mallick
Instituto Patrimonial de Tecnologia
(HITK)
,
Calcutá
Dipanjona Mallick verificou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!
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10+ Amplificadores transistorizados Calculadoras
Ganho de potência do conversor descendente dado o Fator de Degradação
Vai
Ganho de potência do conversor descendente
=
Frequência do sinal
/
Frequência de saída
*(
Frequência do sinal
/
Frequência de saída
*(
Figura de mérito
)^2)/(1+
sqrt
(1+(
Frequência do sinal
/
Frequência de saída
*(
Figura de mérito
)^2)))^2
Ganhe fator de degradação para MESFET
Vai
Ganhe fator de degradação
=
Frequência de saída
/
Frequência do sinal
*(
Frequência do sinal
/
Frequência de saída
*(
Figura de mérito
)^2)/(1+
sqrt
(1+(
Frequência do sinal
/
Frequência de saída
*(
Figura de mérito
)^2)))^2
Fator de Ruído GaAs MESFET
Vai
Fator de ruído
= 1+2*
Frequência angular
*
Capacitância da Fonte da Porta
/
Transcondutância do MESFET
*
sqrt
((
Resistência da Fonte
-
Resistência do portão
)/
Resistência de entrada
)
Frequência máxima de operação
Vai
Frequência máxima de operação
=
Frequência de corte MESFET
/2*
sqrt
(
Resistência à drenagem
/(
Resistência da Fonte
+
Resistência de entrada
+
Resistência à Metalização de Portas
))
Potência máxima permitida
Vai
Potência máxima permitida
= 1/(
Reatância
*
Frequência de corte do tempo de trânsito
^2)*(
Campo Elétrico Máximo
*
Velocidade máxima de desvio de saturação
/(2*
pi
))^2
Ganho máximo de potência do transistor de microondas
Vai
Ganho máximo de potência de um transistor de micro-ondas
= (
Frequência de corte do tempo de trânsito
/
Frequência de ganho de potência
)^2*
Impedância de saída
/
Impedância de entrada
Transcondutância na região de saturação no MESFET
Vai
Transcondutância do MESFET
=
Condutância de saída
*(1-
sqrt
((
Tensão de entrada
-
Tensão de limiar
)/
Tensão de pinçamento
))
Ângulo de Trânsito
Vai
Ângulo de Trânsito
=
Frequência angular
*
Comprimento do espaço de deriva
/
Velocidade de deriva do transportador
Frequência de corte MESFET
Vai
Frequência de corte MESFET
=
Transcondutância do MESFET
/(2*
pi
*
Capacitância da Fonte da Porta
)
Frequência Máxima de Oscilação
Vai
Frequência Máxima de Oscilação
=
Velocidade de saturação
/(2*
pi
*
Comprimento do canal
)
Frequência de corte MESFET Fórmula
Frequência de corte MESFET
=
Transcondutância do MESFET
/(2*
pi
*
Capacitância da Fonte da Porta
)
f
co
=
G
m
/(2*
pi
*
C
gs
)
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