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Frequência de ganho unitário MOSFET Calculadora
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Fabricação de IC MOS
Fabricação de CI bipolar
Gatilho Schmitt
✖
A transcondutância no MOSFET é um parâmetro chave que descreve a relação entre a tensão de entrada e a corrente de saída.
ⓘ
Transcondutância em MOSFET [g
m
]
Megasiemens
Mho
Micromho
Millisiemens
Siemens
+10%
-10%
✖
A capacitância da fonte da porta refere-se à capacitância entre os terminais da porta e da fonte de um transistor de efeito de campo (FET).
ⓘ
Capacitância da Fonte da Porta [C
gs
]
Farad
FemtoFarad
Quilofarad
Microfarad
Milifarad
Nanofarad
Picofarad
+10%
-10%
✖
A capacitância de drenagem do portão refere-se à capacitância entre os terminais do portão e do dreno do dispositivo.
ⓘ
Capacitância de drenagem do portão [C
gd
]
Farad
FemtoFarad
Quilofarad
Microfarad
Milifarad
Nanofarad
Picofarad
+10%
-10%
✖
A frequência de ganho unitário no MOSFET refere-se à frequência na qual o ganho de tensão do dispositivo cai para 1 (0dB) em uma configuração de fonte comum com carga resistiva.
ⓘ
Frequência de ganho unitário MOSFET [f
t
]
Batidas / Minuto
Ciclo/Segundo
Frames por segundo
Gigahertz
Hectohertz
Hertz
Quilohertz
Megahertz
petahertz
Picohertz
Revolução por hora
Revolução por minuto
revolução por segundo
Terahertz
⎘ Cópia De
Degraus
👎
Fórmula
✖
Frequência de ganho unitário MOSFET
Fórmula
f
t
=
g
m
C
gs
+
C
gd
Exemplo
37.41497 kHz
=
2.2 S
56 μF
+
2.8 μF
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Download Fabricação de IC MOS Fórmulas PDF
Frequência de ganho unitário MOSFET Solução
ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo
Fórmula Usada
Frequência de ganho unitário em MOSFET
=
Transcondutância em MOSFET
/(
Capacitância da Fonte da Porta
+
Capacitância de drenagem do portão
)
f
t
=
g
m
/(
C
gs
+
C
gd
)
Esta fórmula usa
4
Variáveis
Variáveis Usadas
Frequência de ganho unitário em MOSFET
-
(Medido em Hertz)
- A frequência de ganho unitário no MOSFET refere-se à frequência na qual o ganho de tensão do dispositivo cai para 1 (0dB) em uma configuração de fonte comum com carga resistiva.
Transcondutância em MOSFET
-
(Medido em Siemens)
- A transcondutância no MOSFET é um parâmetro chave que descreve a relação entre a tensão de entrada e a corrente de saída.
Capacitância da Fonte da Porta
-
(Medido em Farad)
- A capacitância da fonte da porta refere-se à capacitância entre os terminais da porta e da fonte de um transistor de efeito de campo (FET).
Capacitância de drenagem do portão
-
(Medido em Farad)
- A capacitância de drenagem do portão refere-se à capacitância entre os terminais do portão e do dreno do dispositivo.
ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base
Transcondutância em MOSFET:
2.2 Siemens --> 2.2 Siemens Nenhuma conversão necessária
Capacitância da Fonte da Porta:
56 Microfarad --> 5.6E-05 Farad
(Verifique a conversão
aqui
)
Capacitância de drenagem do portão:
2.8 Microfarad --> 2.8E-06 Farad
(Verifique a conversão
aqui
)
ETAPA 2: Avalie a Fórmula
Substituindo valores de entrada na fórmula
f
t
= g
m
/(C
gs
+C
gd
) -->
2.2/(5.6E-05+2.8E-06)
Avaliando ... ...
f
t
= 37414.9659863946
PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída
37414.9659863946 Hertz -->37.4149659863946 Quilohertz
(Verifique a conversão
aqui
)
RESPOSTA FINAL
37.4149659863946
≈
37.41497 Quilohertz
<--
Frequência de ganho unitário em MOSFET
(Cálculo concluído em 00.004 segundos)
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Frequência de ganho unitário MOSFET
Créditos
Criado por
banuprakash
Faculdade de Engenharia Dayananda Sagar
(DSCE)
,
Bangalore
banuprakash criou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!
Verificado por
Santosh Yadav
Faculdade de Engenharia Dayananda Sagar
(DSCE)
,
Banglore
Santosh Yadav verificou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!
<
Fabricação de IC MOS Calculadoras
Efeito Corporal no MOSFET
Vai
Tensão Limite com Substrato
=
Tensão limite com polarização corporal zero
+
Parâmetro de efeito corporal
*(
sqrt
(2*
Potencial de Fermi em massa
+
Tensão aplicada ao corpo
)-
sqrt
(2*
Potencial de Fermi em massa
))
Corrente de drenagem do MOSFET na região de saturação
Vai
Corrente de drenagem
=
Parâmetro de Transcondutância
/2*(
Tensão da Fonte da Porta
-
Tensão limite com polarização corporal zero
)^2*(1+
Fator de modulação de comprimento de canal
*
Tensão da fonte de drenagem
)
Resistência do Canal
Vai
Resistência do Canal
=
Comprimento do transistor
/
Largura do transistor
*1/(
Mobilidade Eletrônica
*
Densidade de portadora
)
Frequência de ganho unitário MOSFET
Vai
Frequência de ganho unitário em MOSFET
=
Transcondutância em MOSFET
/(
Capacitância da Fonte da Porta
+
Capacitância de drenagem do portão
)
Ver mais >>
Frequência de ganho unitário MOSFET Fórmula
Frequência de ganho unitário em MOSFET
=
Transcondutância em MOSFET
/(
Capacitância da Fonte da Porta
+
Capacitância de drenagem do portão
)
f
t
=
g
m
/(
C
gs
+
C
gd
)
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