Transcondutância MOSFET dada capacitância de óxido Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo
Fórmula Usada
Transcondutância em MOSFET = sqrt(2*Mobilidade Eletrônica*Capacitância de Óxido*(Largura do transistor/Comprimento do transistor)*Corrente de drenagem)
gm = sqrt(2*μn*Cox*(Wt/Lt)*Id)
Esta fórmula usa 1 Funções, 6 Variáveis
Funções usadas
sqrt - Uma função de raiz quadrada é uma função que recebe um número não negativo como entrada e retorna a raiz quadrada do número de entrada fornecido., sqrt(Number)
Variáveis Usadas
Transcondutância em MOSFET - (Medido em Siemens) - A transcondutância no MOSFET é um parâmetro chave que descreve a relação entre a tensão de entrada e a corrente de saída.
Mobilidade Eletrônica - (Medido em Metro quadrado por volt por segundo) - A mobilidade eletrônica descreve a rapidez com que os elétrons podem se mover através do material em resposta a um campo elétrico.
Capacitância de Óxido - (Medido em Farad) - Capacitância de óxido refere-se à capacitância associada à camada isolante de óxido em uma estrutura de metal-óxido-semicondutor (MOS), como em MOSFETs.
Largura do transistor - (Medido em Metro) - A largura do transistor refere-se à largura da região do canal em um MOSFET. Esta dimensão desempenha um papel crucial na determinação das características elétricas e do desempenho do transistor.
Comprimento do transistor - (Medido em Metro) - O comprimento do transistor refere-se ao comprimento da região do canal em um MOSFET. Esta dimensão desempenha um papel crucial na determinação das características elétricas e do desempenho do transistor.
Corrente de drenagem - (Medido em Ampere) - Corrente de drenagem refere-se à corrente que flui entre os terminais de drenagem e fonte do transistor quando ele está em operação.
ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base
Mobilidade Eletrônica: 30 Metro quadrado por volt por segundo --> 30 Metro quadrado por volt por segundo Nenhuma conversão necessária
Capacitância de Óxido: 3.9 Farad --> 3.9 Farad Nenhuma conversão necessária
Largura do transistor: 5.5 Micrômetro --> 5.5E-06 Metro (Verifique a conversão ​aqui)
Comprimento do transistor: 3.2 Micrômetro --> 3.2E-06 Metro (Verifique a conversão ​aqui)
Corrente de drenagem: 0.013 Ampere --> 0.013 Ampere Nenhuma conversão necessária
ETAPA 2: Avalie a Fórmula
Substituindo valores de entrada na fórmula
gm = sqrt(2*μn*Cox*(Wt/Lt)*Id) --> sqrt(2*30*3.9*(5.5E-06/3.2E-06)*0.013)
Avaliando ... ...
gm = 2.28657768291392
PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída
2.28657768291392 Siemens --> Nenhuma conversão necessária
RESPOSTA FINAL
2.28657768291392 2.286578 Siemens <-- Transcondutância em MOSFET
(Cálculo concluído em 00.020 segundos)

Créditos

Creator Image
Criado por banuprakash
Faculdade de Engenharia Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore
banuprakash criou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!
Verifier Image
Verificado por Santosh Yadav
Faculdade de Engenharia Dayananda Sagar (DSCE), Banglore
Santosh Yadav verificou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!

Características MOSFET Calculadoras

Ganho de tensão dado a resistência de carga do MOSFET
​ LaTeX ​ Vai Ganho de tensão = Transcondutância*(1/(1/Resistência de carga+1/Resistência de saída))/(1+Transcondutância*Resistência da fonte)
Ganho de tensão máximo no ponto de polarização
​ LaTeX ​ Vai Ganho Máximo de Tensão = 2*(Tensão de alimentação-Tensão Efetiva)/(Tensão Efetiva)
Ganho de tensão dada tensão de dreno
​ LaTeX ​ Vai Ganho de tensão = (Corrente de drenagem*Resistência de carga*2)/Tensão Efetiva
Ganho máximo de tensão considerando todas as tensões
​ LaTeX ​ Vai Ganho Máximo de Tensão = (Tensão de alimentação-0.3)/Tensão Térmica

Transcondutância MOSFET dada capacitância de óxido Fórmula

​LaTeX ​Vai
Transcondutância em MOSFET = sqrt(2*Mobilidade Eletrônica*Capacitância de Óxido*(Largura do transistor/Comprimento do transistor)*Corrente de drenagem)
gm = sqrt(2*μn*Cox*(Wt/Lt)*Id)
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