Mobilidade em Mosfet Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo
Fórmula Usada
Mobilidade em MOSFET = K Prime/Capacitância da camada de óxido de porta
μeff = Kp/Cox
Esta fórmula usa 3 Variáveis
Variáveis Usadas
Mobilidade em MOSFET - (Medido em Metro quadrado por volt por segundo) - A mobilidade no MOSFET é definida com base na capacidade de um elétron se mover rapidamente através de um metal ou semicondutor, quando puxado por um campo elétrico.
K Prime - (Medido em Metro quadrado por volt por segundo) - K Prime é a constante de taxa reversa da reação.
Capacitância da camada de óxido de porta - (Medido em Farad por metro quadrado) - A capacitância da camada de óxido de porta é definida como a capacitância do terminal de porta de um transistor de efeito de campo.
ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base
K Prime: 4.502 Centímetro Quadrado por Volt Segundo --> 0.0004502 Metro quadrado por volt por segundo (Verifique a conversão ​aqui)
Capacitância da camada de óxido de porta: 29.83 Microfarad por Milímetro Quadrado --> 29.83 Farad por metro quadrado (Verifique a conversão ​aqui)
ETAPA 2: Avalie a Fórmula
Substituindo valores de entrada na fórmula
μeff = Kp/Cox --> 0.0004502/29.83
Avaliando ... ...
μeff = 1.50921890714046E-05
PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída
1.50921890714046E-05 Metro quadrado por volt por segundo -->0.150921890714046 Centímetro Quadrado por Volt Segundo (Verifique a conversão ​aqui)
RESPOSTA FINAL
0.150921890714046 0.150922 Centímetro Quadrado por Volt Segundo <-- Mobilidade em MOSFET
(Cálculo concluído em 00.020 segundos)

Créditos

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Criado por Shobhit Dimri
Instituto de Tecnologia Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri criou esta calculadora e mais 900+ calculadoras!
Verifier Image
Verificado por Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod verificou esta calculadora e mais 1900+ calculadoras!

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Coeficiente de Efeito Corporal
​ LaTeX ​ Vai Coeficiente de Efeito Corporal = modulus((Tensão de limiar-Tensão Limite DIBL)/(sqrt(Potencial de Superfície+(Diferença potencial do corpo de origem))-sqrt(Potencial de Superfície)))
Coeficiente DIBL
​ LaTeX ​ Vai Coeficiente DIBL = (Tensão Limite DIBL-Tensão de limiar)/Drenar para Potencial de Fonte
Carga do canal
​ LaTeX ​ Vai Taxa de canal = Capacitância do portão*(Tensão do portão para o canal-Tensão de limiar)
Tensão Crítica
​ LaTeX ​ Vai Tensão Crítica = Campo Elétrico Crítico*Campo elétrico ao longo do comprimento do canal

Mobilidade em Mosfet Fórmula

​LaTeX ​Vai
Mobilidade em MOSFET = K Prime/Capacitância da camada de óxido de porta
μeff = Kp/Cox

Como a mobilidade afeta o funcionamento do CMOS?

Mobilidade em CMOS refere-se ao movimento de portadores de carga (elétrons e lacunas) nos canais do transistor. Afeta o ganho e o estoque de corrente do transistor, daí o funcionamento geral do circuito CMOS. A mobilidade determina a velocidade de comutação e a tensão de porta aplicável de um transistor CMOS.

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