Calculadora A a Z
🔍
Download PDF
Química
Engenharia
Financeiro
Saúde
Matemática
Física
Fração simples
Calculadora MMC
Capacitância de Miller do Mosfet Calculadora
Engenharia
Financeiro
Física
Matemática
Mais >>
↳
Eletrônicos
Ciência de materiais
Civil
Elétrico
Mais >>
⤿
Eletrônica Analógica
Amplificadores
Antena e propagação de ondas
Circuitos Integrados (CI)
Mais >>
⤿
MOSFET
BJT
⤿
Efeitos capacitivos internos e modelo de alta frequência
Análise de pequenos sinais
Aprimoramento do Canal N
Aprimoramento do Canal P
Mais >>
✖
A capacitância gate-drain é uma capacitância parasita que existe entre os eletrodos gate e dreno de um transistor de efeito de campo (FET).
ⓘ
Capacitância Gate-Dreno [C
gd
]
Farad
FemtoFarad
Quilofarad
Microfarad
Milifarad
Nanofarad
Picofarad
+10%
-10%
✖
O ganho de tensão é uma medida da amplificação de um sinal elétrico por um amplificador. É a relação entre a tensão de saída e a tensão de entrada do circuito, expressa em decibéis (dB).
ⓘ
Ganho de tensão [A
v
]
+10%
-10%
✖
Capacitância Miller é a capacitância de entrada equivalente de um amplificador MOSFET devido ao efeito Miller.
ⓘ
Capacitância de Miller do Mosfet [C
in
]
Farad
FemtoFarad
Quilofarad
Microfarad
Milifarad
Nanofarad
Picofarad
⎘ Cópia De
Degraus
👎
Fórmula
LaTeX
Redefinir
👍
Download MOSFET Fórmula PDF
Capacitância de Miller do Mosfet Solução
ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo
Fórmula Usada
Capacitância de Miller
=
Capacitância Gate-Dreno
*(
Ganho de tensão
+1)
C
in
=
C
gd
*(
A
v
+1)
Esta fórmula usa
3
Variáveis
Variáveis Usadas
Capacitância de Miller
-
(Medido em Farad)
- Capacitância Miller é a capacitância de entrada equivalente de um amplificador MOSFET devido ao efeito Miller.
Capacitância Gate-Dreno
-
(Medido em Farad)
- A capacitância gate-drain é uma capacitância parasita que existe entre os eletrodos gate e dreno de um transistor de efeito de campo (FET).
Ganho de tensão
- O ganho de tensão é uma medida da amplificação de um sinal elétrico por um amplificador. É a relação entre a tensão de saída e a tensão de entrada do circuito, expressa em decibéis (dB).
ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base
Capacitância Gate-Dreno:
7 Microfarad --> 7E-06 Farad
(Verifique a conversão
aqui
)
Ganho de tensão:
0.026 --> Nenhuma conversão necessária
ETAPA 2: Avalie a Fórmula
Substituindo valores de entrada na fórmula
C
in
= C
gd
*(A
v
+1) -->
7E-06*(0.026+1)
Avaliando ... ...
C
in
= 7.182E-06
PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída
7.182E-06 Farad -->7.182 Microfarad
(Verifique a conversão
aqui
)
RESPOSTA FINAL
7.182 Microfarad
<--
Capacitância de Miller
(Cálculo concluído em 00.004 segundos)
Você está aqui
-
Casa
»
Engenharia
»
Eletrônicos
»
MOSFET
»
Eletrônica Analógica
»
Efeitos capacitivos internos e modelo de alta frequência
»
Capacitância de Miller do Mosfet
Créditos
Criado por
Suma Madhuri
Universidade VIT
(VITA)
,
Chennai
Suma Madhuri criou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!
Verificado por
Ritwik Tripathi
Instituto de Tecnologia de Vellore
(VIT Vellore)
,
Vellore
Ritwik Tripathi verificou esta calculadora e mais 100+ calculadoras!
<
Efeitos capacitivos internos e modelo de alta frequência Calculadoras
Frequência de Transição do MOSFET
LaTeX
Vai
Frequência de transição
=
Transcondutância
/(2*
pi
*(
Capacitância da porta de origem
+
Capacitância Gate-Dreno
))
Largura do portão para o canal de origem do MOSFET
LaTeX
Vai
Largura de banda
=
Capacitância de sobreposição
/(
Capacitância de Óxido
*
Comprimento da sobreposição
)
Capacitância de sobreposição do MOSFET
LaTeX
Vai
Capacitância de sobreposição
=
Largura de banda
*
Capacitância de Óxido
*
Comprimento da sobreposição
Capacitância Total entre Gate e Canal de MOSFETs
LaTeX
Vai
Capacitância do canal de porta
=
Capacitância de Óxido
*
Largura de banda
*
Comprimento do canal
Ver mais >>
Capacitância de Miller do Mosfet Fórmula
LaTeX
Vai
Capacitância de Miller
=
Capacitância Gate-Dreno
*(
Ganho de tensão
+1)
C
in
=
C
gd
*(
A
v
+1)
Casa
LIVRE PDFs
🔍
Procurar
Categorias
Compartilhar
Let Others Know
✖
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!