Capacitância de Miller do Mosfet Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo
Fórmula Usada
Capacitância de Miller = Capacitância Gate-Dreno*(Ganho de tensão+1)
Cin = Cgd*(Av+1)
Esta fórmula usa 3 Variáveis
Variáveis Usadas
Capacitância de Miller - (Medido em Farad) - Capacitância Miller é a capacitância de entrada equivalente de um amplificador MOSFET devido ao efeito Miller.
Capacitância Gate-Dreno - (Medido em Farad) - A capacitância gate-drain é uma capacitância parasita que existe entre os eletrodos gate e dreno de um transistor de efeito de campo (FET).
Ganho de tensão - O ganho de tensão é uma medida da amplificação de um sinal elétrico por um amplificador. É a relação entre a tensão de saída e a tensão de entrada do circuito, expressa em decibéis (dB).
ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base
Capacitância Gate-Dreno: 7 Microfarad --> 7E-06 Farad (Verifique a conversão ​aqui)
Ganho de tensão: 0.026 --> Nenhuma conversão necessária
ETAPA 2: Avalie a Fórmula
Substituindo valores de entrada na fórmula
Cin = Cgd*(Av+1) --> 7E-06*(0.026+1)
Avaliando ... ...
Cin = 7.182E-06
PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída
7.182E-06 Farad -->7.182 Microfarad (Verifique a conversão ​aqui)
RESPOSTA FINAL
7.182 Microfarad <-- Capacitância de Miller
(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

Créditos

Creator Image
Criado por Suma Madhuri
Universidade VIT (VITA), Chennai
Suma Madhuri criou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!
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Verificado por Ritwik Tripathi
Instituto de Tecnologia de Vellore (VIT Vellore), Vellore
Ritwik Tripathi verificou esta calculadora e mais 100+ calculadoras!

Efeitos capacitivos internos e modelo de alta frequência Calculadoras

Frequência de Transição do MOSFET
​ LaTeX ​ Vai Frequência de transição = Transcondutância/(2*pi*(Capacitância da porta de origem+Capacitância Gate-Dreno))
Largura do portão para o canal de origem do MOSFET
​ LaTeX ​ Vai Largura de banda = Capacitância de sobreposição/(Capacitância de Óxido*Comprimento da sobreposição)
Capacitância de sobreposição do MOSFET
​ LaTeX ​ Vai Capacitância de sobreposição = Largura de banda*Capacitância de Óxido*Comprimento da sobreposição
Capacitância Total entre Gate e Canal de MOSFETs
​ LaTeX ​ Vai Capacitância do canal de porta = Capacitância de Óxido*Largura de banda*Comprimento do canal

Capacitância de Miller do Mosfet Fórmula

​LaTeX ​Vai
Capacitância de Miller = Capacitância Gate-Dreno*(Ganho de tensão+1)
Cin = Cgd*(Av+1)
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