Calculadora A a Z
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Aprimoramento do Canal P
Atual
Características MOSFET
Efeitos capacitivos internos e modelo de alta frequência
Fator de Amplificação ou Ganho
Resistência
Taxa de rejeição de modo comum (CMRR)
Tendência
Tensão
Transcondutância
✖
Potencial de Fermi em massa é um parâmetro que descreve o potencial eletrostático na massa (interior) de um material semicondutor.
ⓘ
Potencial de Fermi em massa [Φ
f
]
Abvolt
Attovolt
Centivot
Decivolt
Decavolt
EMU de potencial elétrico
ESU de potencial elétrico
Femtovolt
Gigavolt
Hectovolt
Quilovolt
Megavolt
Microvolt
Milivolt
Nanovalt
Petavolt
Picovolt
Planck Voltage
Statvolt
Teravolt
Volt
Watt/Ampère
Yoctovolt
Zeptovolt
+10%
-10%
✖
A concentração de dopagem do aceitador refere-se à concentração de átomos aceitadores adicionados intencionalmente a um material semicondutor.
ⓘ
Concentração de Dopagem do Aceitante [N
A
]
Elétrons por Angstrom Cúbico
Elétrons por Atômetro Cúbico
Elétrons por Centímetro Cúbico
Elétrons por Femtômetro Cúbico
Elétrons por metro cúbico
Elétrons por Micrômetro Cúbico
Elétrons por milímetro cúbico
Elétrons por nanômetro cúbico
Elétrons por Picômetro Cúbico
+10%
-10%
✖
A profundidade máxima de esgotamento refere-se à extensão máxima até a qual a região de esgotamento se estende para o material semicondutor do dispositivo sob certas condições operacionais.
ⓘ
Profundidade Máxima de Esgotamento [x
dm
]
Aln
Angstrom
Arpent
Unidade astronômica
Atômetro
UA de Comprimento
Barleycorn
Ano Billion Light
Bohr Radius
Cabo (Internacional)
Cabo (Reino Unido)
Cabo (Estados Unidos)
Calibre
Centímetro
Chain
Cubit (grego)
Cúbito (Longo)
Cubit (Reino Unido)
Decâmetro
Decímetro
Distância da Terra à Lua
Distância da Terra ao Sol
Raio Equatorial da Terra
Raio Polar da Terra
Electron Radius (Classical)
Ell
Exame
Famn
braça
Femtometer
Fermi
Finger (pano)
Fingerbreadth
Pé
Pé (Estados Unidos Survey)
Furlong
Gigametro
Mão
Handbreadth
Hectômetro
Polegada
Ken
Quilômetro
Kiloparsec
Quiloyard
League
Liga (Estatuto)
Ano luz
Ligação
Megametro
Megaparsec
Metro
Micropolegada
Micrômetro
mícron
Mil
Milha
Mile (romano)
Mile (Estados Unidos Survey)
Milímetro
Ano Million Light
Prego (pano)
Nanômetro
Liga Náutica (int)
Liga Náutica Reino Unido
Milhas náuticas (Internacional)
Milha náutica (Reino Unido)
Parsec
Poleiro
Petameter
Pica
picômetro
Planck Comprimento
Ponto
Pólo
Trimestre
Reed
Junco (longo)
Rod
Roman Actus
Corda
Russian Archin
Span (pano)
Raio do Sol
Terâmetro
Twip
Vara Castellana
Vara Conuquera
Vara De Tarea
Jarda
Yoctometer
Yottameter
Zeptômetro
Zettameter
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Fórmula
✖
Profundidade Máxima de Esgotamento
Fórmula
`"x"_{"dm"} = sqrt((2*"[Permitivity-silicon]"*"modulus"(2*"Φ"_{"f"}))/("[Charge-e]"*"N"_{"A"}))`
Exemplo
`"7.4E^6m"=sqrt((2*"[Permitivity-silicon]"*"modulus"(2*"0.25V"))/("[Charge-e]"*"1.32electrons/cm³"))`
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Profundidade Máxima de Esgotamento Solução
ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo
Fórmula Usada
Profundidade Máxima de Esgotamento
=
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*
modulus
(2*
Potencial de Fermi em massa
))/(
[Charge-e]
*
Concentração de Dopagem do Aceitante
))
x
dm
=
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*
modulus
(2*
Φ
f
))/(
[Charge-e]
*
N
A
))
Esta fórmula usa
2
Constantes
,
2
Funções
,
3
Variáveis
Constantes Usadas
[Permitivity-silicon]
- Permissividade do silício Valor considerado como 11.7
[Charge-e]
- Carga do elétron Valor considerado como 1.60217662E-19
Funções usadas
sqrt
- Uma função de raiz quadrada é uma função que recebe um número não negativo como entrada e retorna a raiz quadrada do número de entrada fornecido., sqrt(Number)
modulus
- O módulo de um número é o resto quando esse número é dividido por outro número., modulus
Variáveis Usadas
Profundidade Máxima de Esgotamento
-
(Medido em Metro)
- A profundidade máxima de esgotamento refere-se à extensão máxima até a qual a região de esgotamento se estende para o material semicondutor do dispositivo sob certas condições operacionais.
Potencial de Fermi em massa
-
(Medido em Volt)
- Potencial de Fermi em massa é um parâmetro que descreve o potencial eletrostático na massa (interior) de um material semicondutor.
Concentração de Dopagem do Aceitante
-
(Medido em Elétrons por metro cúbico)
- A concentração de dopagem do aceitador refere-se à concentração de átomos aceitadores adicionados intencionalmente a um material semicondutor.
ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base
Potencial de Fermi em massa:
0.25 Volt --> 0.25 Volt Nenhuma conversão necessária
Concentração de Dopagem do Aceitante:
1.32 Elétrons por Centímetro Cúbico --> 1320000 Elétrons por metro cúbico
(Verifique a conversão
aqui
)
ETAPA 2: Avalie a Fórmula
Substituindo valores de entrada na fórmula
x
dm
= sqrt((2*[Permitivity-silicon]*modulus(2*Φ
f
))/([Charge-e]*N
A
)) -->
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*
modulus
(2*0.25))/(
[Charge-e]
*1320000))
Avaliando ... ...
x
dm
= 7437907.45302539
PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída
7437907.45302539 Metro --> Nenhuma conversão necessária
RESPOSTA FINAL
7437907.45302539
≈
7.4E+6 Metro
<--
Profundidade Máxima de Esgotamento
(Cálculo concluído em 00.004 segundos)
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Transistor MOS
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Profundidade Máxima de Esgotamento
Créditos
Criado por
banuprakash
Faculdade de Engenharia Dayananda Sagar
(DSCE)
,
Bangalore
banuprakash criou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!
Verificado por
Dipanjona Mallick
Instituto Patrimonial de Tecnologia
(HITK)
,
Calcutá
Dipanjona Mallick verificou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!
<
21 Transistor MOS Calculadoras
Fator de equivalência de tensão na parede lateral
Vai
Fator de equivalência de tensão na parede lateral
= -(2*
sqrt
(
Potencial integrado de junções de paredes laterais
)/(
Tensão Final
-
Tensão Inicial
)*(
sqrt
(
Potencial integrado de junções de paredes laterais
-
Tensão Final
)-
sqrt
(
Potencial integrado de junções de paredes laterais
-
Tensão Inicial
)))
Puxar para baixo a corrente na região linear
Vai
Corrente de redução da região linear
=
sum
(x,0,
Número de transistores de driver paralelo
,(
Mobilidade Eletrônica
*
Capacitância de Óxido
/2)*(
Largura de banda
/
Comprimento do canal
)*(2*(
Tensão da Fonte da Porta
-
Tensão de limiar
)*
Voltagem de saída
-
Voltagem de saída
^2))
Tensão do nó em determinada instância
Vai
Tensão do nó em determinada instância
= (
Fator de Transcondutância
/
Capacitância do nó
)*
int
(
exp
(-(1/(
Resistência do nó
*
Capacitância do nó
))*(
Período de tempo
-x))*
Corrente fluindo para o nó
*x,x,0,
Período de tempo
)
Puxe para baixo a corrente na região de saturação
Vai
Corrente de redução da região de saturação
=
sum
(x,0,
Número de transistores de driver paralelo
,(
Mobilidade Eletrônica
*
Capacitância de Óxido
/2)*(
Largura de banda
/
Comprimento do canal
)*(
Tensão da Fonte da Porta
-
Tensão de limiar
)^2)
Tempo de saturação
Vai
Tempo de saturação
= -2*
Capacitância de Carga
/(
Parâmetro do Processo de Transcondutância
*(
Alta Tensão de Saída
-
Tensão de limiar
)^2)*
int
(1,x,
Alta Tensão de Saída
,
Alta Tensão de Saída
-
Tensão de limiar
)
Corrente de drenagem que flui através do transistor MOS
Vai
Corrente de drenagem
= (
Largura de banda
/
Comprimento do canal
)*
Mobilidade Eletrônica
*
Capacitância de Óxido
*
int
((
Tensão da Fonte da Porta
-x-
Tensão de limiar
),x,0,
Tensão da fonte de drenagem
)
Densidade de Carga da Região de Esgotamento
Vai
Densidade de Carga da Camada de Esgotamento
= (
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
Concentração de Dopagem do Aceitante
*
modulus
(
Potencial de Superfície
-
Potencial de Fermi em massa
)))
Atraso de tempo quando o NMOS opera na região linear
Vai
Região Linear em Atraso de Tempo
= -2*
Capacitância de Junção
*
int
(1/(
Parâmetro do Processo de Transcondutância
*(2*(
Tensão de entrada
-
Tensão de limiar
)*x-x^2)),x,
Tensão Inicial
,
Tensão Final
)
Profundidade da região de esgotamento associada ao dreno
Vai
Região de profundidade de esgotamento do dreno
=
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*(
Potencial de junção integrado
+
Tensão da fonte de drenagem
))/(
[Charge-e]
*
Concentração de Dopagem do Aceitante
))
Corrente de drenagem na região de saturação no transistor MOS
Vai
Corrente de drenagem da região de saturação
=
Largura de banda
*
Velocidade de deriva de elétrons de saturação
*
int
(
Carregar
*
Parâmetro de canal curto
,x,0,
Comprimento Efetivo do Canal
)
Profundidade Máxima de Esgotamento
Vai
Profundidade Máxima de Esgotamento
=
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*
modulus
(2*
Potencial de Fermi em massa
))/(
[Charge-e]
*
Concentração de Dopagem do Aceitante
))
Potencial de Fermi para tipo P
Vai
Potencial de Fermi para tipo P
= (
[BoltZ]
*
Temperatura absoluta
)/
[Charge-e]
*
ln
(
Concentração Intrínseca de Portadores
/
Concentração de Dopagem do Aceitante
)
Potencial de Fermi para tipo N
Vai
Potencial de Fermi para tipo N
= (
[BoltZ]
*
Temperatura absoluta
)/
[Charge-e]
*
ln
(
Concentração de dopante doador
/
Concentração Intrínseca de Portadores
)
Potencial integrado na região de esgotamento
Vai
Tensão embutida
= -(
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
Concentração de Dopagem do Aceitante
*
modulus
(-2*
Potencial de Fermi em massa
)))
Capacitância equivalente de sinal grande
Vai
Capacitância equivalente de sinal grande
= (1/(
Tensão Final
-
Tensão Inicial
))*
int
(
Capacitância de Junção
*x,x,
Tensão Inicial
,
Tensão Final
)
Profundidade da região de esgotamento associada à fonte
Vai
Região de profundidade de esgotamento da fonte
=
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*
Potencial de junção integrado
)/(
[Charge-e]
*
Concentração de Dopagem do Aceitante
))
Coeficiente de polarização do substrato
Vai
Coeficiente de polarização do substrato
=
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
Concentração de Dopagem do Aceitante
)/
Capacitância de Óxido
Capacitância equivalente de junção de sinal grande
Vai
Capacitância equivalente de junção de sinal grande
=
Perímetro da parede lateral
*
Capacitância de Junção Lateral
*
Fator de equivalência de tensão na parede lateral
Potência Média Dissipada ao Longo do Tempo
Vai
Potencia média
= (1/
Tempo total gasto
)*
int
(
Tensão
*
Atual
,x,0,
Tempo Total Levado
)
Capacitância da junção da parede lateral com polarização zero por unidade de comprimento
Vai
Capacitância de Junção Lateral
=
Potencial de junção da parede lateral com polarização zero
*
Profundidade da parede lateral
Função de trabalho no MOSFET
Vai
Função no trabalho
=
Nível de vácuo
+(
Nível de energia da banda de condução
-
Nível Fermi
)
Profundidade Máxima de Esgotamento Fórmula
Profundidade Máxima de Esgotamento
=
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*
modulus
(2*
Potencial de Fermi em massa
))/(
[Charge-e]
*
Concentração de Dopagem do Aceitante
))
x
dm
=
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*
modulus
(2*
Φ
f
))/(
[Charge-e]
*
N
A
))
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