Ganho máximo de potência do transistor de microondas Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo
Fórmula Usada
Ganho máximo de potência de um transistor de micro-ondas = (Frequência de corte do tempo de trânsito/Frequência de ganho de potência)^2*Impedância de saída/Impedância de entrada
Gmax = (fTC/f)^2*Zout/Zin
Esta fórmula usa 5 Variáveis
Variáveis Usadas
Ganho máximo de potência de um transistor de micro-ondas - O ganho máximo de potência de um transistor de micro-ondas é a frequência na qual o transistor opera de maneira ideal.
Frequência de corte do tempo de trânsito - (Medido em Hertz) - A frequência de corte do tempo de trânsito está relacionada ao tempo que os portadores de carga (elétrons ou lacunas) levam para transitar pelo dispositivo.
Frequência de ganho de potência - (Medido em Hertz) - Frequência de ganho de potência refere-se à frequência na qual o ganho de potência do dispositivo começa a diminuir.
Impedância de saída - (Medido em Ohm) - Impedância de Saída refere-se à impedância, ou resistência, que um dispositivo ou circuito apresenta à carga externa conectada à sua saída.
Impedância de entrada - (Medido em Ohm) - Impedância de entrada é a impedância ou resistência equivalente que um dispositivo ou circuito apresenta em seus terminais de entrada quando um sinal é aplicado.
ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base
Frequência de corte do tempo de trânsito: 2.08 Hertz --> 2.08 Hertz Nenhuma conversão necessária
Frequência de ganho de potência: 80 Hertz --> 80 Hertz Nenhuma conversão necessária
Impedância de saída: 0.27 Ohm --> 0.27 Ohm Nenhuma conversão necessária
Impedância de entrada: 5.4 Ohm --> 5.4 Ohm Nenhuma conversão necessária
ETAPA 2: Avalie a Fórmula
Substituindo valores de entrada na fórmula
Gmax = (fTC/f)^2*Zout/Zin --> (2.08/80)^2*0.27/5.4
Avaliando ... ...
Gmax = 3.38E-05
PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída
3.38E-05 --> Nenhuma conversão necessária
RESPOSTA FINAL
3.38E-05 3.4E-5 <-- Ganho máximo de potência de um transistor de micro-ondas
(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

Créditos

Creator Image
Criado por banuprakash
Faculdade de Engenharia Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore
banuprakash criou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!
Verifier Image
Verificado por Dipanjona Mallick
Instituto Patrimonial de Tecnologia (HITK), Calcutá
Dipanjona Mallick verificou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!

Amplificadores transistorizados Calculadoras

Frequência máxima de operação
​ LaTeX ​ Vai Frequência máxima de operação = Frequência de corte MESFET/2*sqrt(Resistência à drenagem/(Resistência da Fonte+Resistência de entrada+Resistência à Metalização de Portas))
Transcondutância na região de saturação no MESFET
​ LaTeX ​ Vai Transcondutância do MESFET = Condutância de saída*(1-sqrt((Tensão de entrada-Tensão de limiar)/Tensão de pinçamento))
Frequência de corte MESFET
​ LaTeX ​ Vai Frequência de corte MESFET = Transcondutância do MESFET/(2*pi*Capacitância da Fonte da Porta)
Frequência Máxima de Oscilação
​ LaTeX ​ Vai Frequência Máxima de Oscilação = Velocidade de saturação/(2*pi*Comprimento do canal)

Ganho máximo de potência do transistor de microondas Fórmula

​LaTeX ​Vai
Ganho máximo de potência de um transistor de micro-ondas = (Frequência de corte do tempo de trânsito/Frequência de ganho de potência)^2*Impedância de saída/Impedância de entrada
Gmax = (fTC/f)^2*Zout/Zin
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