Concentração Máxima de Dopante Calculadora

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✖Concentração de referência refere-se a uma constante que serve como concentração de referência ou linha de base.ⓘ Concentração de Referência [C_o]			+10% -10%
✖Energia de Ativação para Solubilidade Sólida é um parâmetro que caracteriza a barreira energética para incorporação de átomos dopantes na rede cristalina de um material semicondutor.ⓘ Energia de ativação para solubilidade sólida [E_s]			+10% -10%
✖A temperatura absoluta é uma medida da energia térmica em um sistema e é medida em Kelvins.ⓘ Temperatura absoluta [T_a]			+10% -10%

✖A concentração máxima de dopante descreve como a concentração de átomos dopantes em um material semicondutor diminui exponencialmente com o aumento da temperatura.ⓘ Concentração Máxima de Dopante [C_s]

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Concentração Máxima de Dopante Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Concentração Máxima de Dopante = Concentração de Referência*exp(-Energia de ativação para solubilidade sólida/([BoltZ]*Temperatura absoluta))
C_s = C_o*exp(-E_s/([BoltZ]*T_a))
Esta fórmula usa 1 Constantes, 1 Funções, 4 Variáveis

Constantes Usadas

[BoltZ] - Constante de Boltzmann Valor considerado como 1.38064852E-23

Funções usadas

exp - Em uma função exponencial, o valor da função muda por um fator constante para cada mudança de unidade na variável independente., exp(Number)

Variáveis Usadas

Concentração Máxima de Dopante - (Medido em Elétrons por metro cúbico) - A concentração máxima de dopante descreve como a concentração de átomos dopantes em um material semicondutor diminui exponencialmente com o aumento da temperatura.
Concentração de Referência - Concentração de referência refere-se a uma constante que serve como concentração de referência ou linha de base.
Energia de ativação para solubilidade sólida - (Medido em Joule) - Energia de Ativação para Solubilidade Sólida é um parâmetro que caracteriza a barreira energética para incorporação de átomos dopantes na rede cristalina de um material semicondutor.
Temperatura absoluta - (Medido em Kelvin) - A temperatura absoluta é uma medida da energia térmica em um sistema e é medida em Kelvins.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Concentração de Referência: 0.005 --> Nenhuma conversão necessária
Energia de ativação para solubilidade sólida: 1E-23 Joule --> 1E-23 Joule Nenhuma conversão necessária
Temperatura absoluta: 24.5 Kelvin --> 24.5 Kelvin Nenhuma conversão necessária

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

C_s = C_o*exp(-E_s/([BoltZ]*T_a)) --> 0.005*exp(-1E-23/([BoltZ]*24.5))

Avaliando ... ...

C_s = 0.00485434780101741

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

0.00485434780101741 Elétrons por metro cúbico -->4.85434780101741E-09 Elétrons por Centímetro Cúbico (Verifique a conversão aqui)

RESPOSTA FINAL

4.85434780101741E-09 ≈ 4.9E-9 Elétrons por Centímetro Cúbico <-- Concentração Máxima de Dopante

(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

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Créditos

Criado por banuprakash

Faculdade de Engenharia Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore

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Verificado por Santosh Yadav

Faculdade de Engenharia Dayananda Sagar (DSCE), Banglore

Santosh Yadav verificou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!

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Efeito Corporal no MOSFET

LaTeX Vai Tensão Limite com Substrato = Tensão limite com polarização corporal zero+Parâmetro de efeito corporal*(sqrt(2*Potencial de Fermi em massa+Tensão aplicada ao corpo)-sqrt(2*Potencial de Fermi em massa))

Corrente de drenagem do MOSFET na região de saturação

LaTeX Vai Corrente de drenagem = Parâmetro de Transcondutância/2*(Tensão da Fonte da Porta-Tensão limite com polarização corporal zero)^2*(1+Fator de modulação de comprimento de canal*Tensão da fonte de drenagem)

Resistência do Canal

LaTeX Vai Resistência do Canal = Comprimento do transistor/Largura do transistor*1/(Mobilidade Eletrônica*Densidade de portadora)

Frequência de ganho unitário MOSFET

LaTeX Vai Frequência de ganho unitário em MOSFET = Transcondutância em MOSFET/(Capacitância da Fonte da Porta+Capacitância de drenagem do portão)

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Concentração Máxima de Dopante Fórmula

LaTeX Vai

Concentração Máxima de Dopante = Concentração de Referência*exp(-Energia de ativação para solubilidade sólida/([BoltZ]*Temperatura absoluta))
C_s = C_o*exp(-E_s/([BoltZ]*T_a))

Onde posso encontrar valores para energia de ativação?

Valores experimentais para energia de ativação podem ser encontrados em livros didáticos de física de semicondutores, artigos de pesquisa e bancos de dados de propriedades de materiais. Os pesquisadores frequentemente relatam E_s para materiais e dopantes específicos na literatura.

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