Profundidade Máxima de Esgotamento Calculadora

✖Potencial de Fermi em massa é um parâmetro que descreve o potencial eletrostático na massa (interior) de um material semicondutor.ⓘ Potencial de Fermi em massa [Φ_f]			+10% -10%
✖A concentração de dopagem do aceitador refere-se à concentração de átomos aceitadores adicionados intencionalmente a um material semicondutor.ⓘ Concentração de Dopagem do Aceitante [N_A]			+10% -10%

✖A profundidade máxima de esgotamento refere-se à extensão máxima até a qual a região de esgotamento se estende para o material semicondutor do dispositivo sob certas condições operacionais.ⓘ Profundidade Máxima de Esgotamento [x_dm]

⎘ Cópia De

👎

Fórmula

LaTeX

Redefinir

👍

Download MOSFET Fórmula PDF PDF Image

Profundidade Máxima de Esgotamento Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Profundidade Máxima de Esgotamento = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*modulus(2*Potencial de Fermi em massa))/([Charge-e]*Concentração de Dopagem do Aceitante))
x_dm = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*modulus(2*Φ_f))/([Charge-e]*N_A))
Esta fórmula usa 2 Constantes, 2 Funções, 3 Variáveis

Constantes Usadas

[Permitivity-silicon] - Permissividade do silício Valor considerado como 11.7
[Charge-e] - Carga do elétron Valor considerado como 1.60217662E-19

Funções usadas

sqrt - Uma função de raiz quadrada é uma função que recebe um número não negativo como entrada e retorna a raiz quadrada do número de entrada fornecido., sqrt(Number)
modulus - O módulo de um número é o resto quando esse número é dividido por outro número., modulus

Variáveis Usadas

Profundidade Máxima de Esgotamento - (Medido em Metro) - A profundidade máxima de esgotamento refere-se à extensão máxima até a qual a região de esgotamento se estende para o material semicondutor do dispositivo sob certas condições operacionais.
Potencial de Fermi em massa - (Medido em Volt) - Potencial de Fermi em massa é um parâmetro que descreve o potencial eletrostático na massa (interior) de um material semicondutor.
Concentração de Dopagem do Aceitante - (Medido em Elétrons por metro cúbico) - A concentração de dopagem do aceitador refere-se à concentração de átomos aceitadores adicionados intencionalmente a um material semicondutor.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Potencial de Fermi em massa: 0.25 Volt --> 0.25 Volt Nenhuma conversão necessária
Concentração de Dopagem do Aceitante: 1.32 Elétrons por Centímetro Cúbico --> 1320000 Elétrons por metro cúbico (Verifique a conversão aqui)

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

x_dm = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*modulus(2*Φ_f))/([Charge-e]*N_A)) --> sqrt((2*[Permitivity-silicon]*modulus(2*0.25))/([Charge-e]*1320000))

Avaliando ... ...

x_dm = 7437907.45302539

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

7437907.45302539 Metro --> Nenhuma conversão necessária

RESPOSTA FINAL

7437907.45302539 ≈ 7.4E+6 Metro <-- Profundidade Máxima de Esgotamento

(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

Você está aqui -

Casa » Engenharia » Eletrônicos » MOSFET » Eletrônica Analógica » Transistor MOS » Profundidade Máxima de Esgotamento

Créditos

Criado por banuprakash

Faculdade de Engenharia Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore

banuprakash criou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!

Verificado por Dipanjona Mallick

Instituto Patrimonial de Tecnologia (HITK), Calcutá

Dipanjona Mallick verificou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!

< Transistor MOS Calculadoras

Fator de equivalência de tensão na parede lateral

LaTeX Vai Fator de equivalência de tensão na parede lateral = -(2*sqrt(Potencial integrado de junções de paredes laterais)/(Tensão Final-Tensão Inicial)*(sqrt(Potencial integrado de junções de paredes laterais-Tensão Final)-sqrt(Potencial integrado de junções de paredes laterais-Tensão Inicial)))

Potencial de Fermi para tipo P

LaTeX Vai Potencial de Fermi para tipo P = ([BoltZ]*Temperatura absoluta)/[Charge-e]*ln(Concentração Intrínseca de Portadores/Concentração de Dopagem do Aceitante)

Capacitância equivalente de junção de sinal grande

LaTeX Vai Capacitância equivalente de junção de sinal grande = Perímetro da parede lateral*Capacitância de Junção Lateral*Fator de equivalência de tensão na parede lateral

Capacitância da junção da parede lateral com polarização zero por unidade de comprimento

LaTeX Vai Capacitância de Junção Lateral = Potencial de junção da parede lateral com polarização zero*Profundidade da parede lateral

Ver mais >>

Profundidade Máxima de Esgotamento Fórmula

LaTeX Vai

Casa

LIVRE PDFs

🔍 Procurar

Categorias

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!