Concentração de Portadores Majoritários em Semicondutores Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo
Fórmula Usada
Concentração de portadores majoritários = Concentração de Portadores Intrínsecos^2/Concentração de portadores minoritários
n0 = ni^2/p0
Esta fórmula usa 3 Variáveis
Variáveis Usadas
Concentração de portadores majoritários - (Medido em 1 por metro cúbico) - A concentração de portadores majoritários é o número de portadores na banda de condução sem viés aplicado externamente.
Concentração de Portadores Intrínsecos - (Medido em 1 por metro cúbico) - A concentração de portadores intrínsecos é o número de elétrons na banda de condução ou o número de lacunas na banda de valência no material intrínseco.
Concentração de portadores minoritários - (Medido em 1 por metro cúbico) - A concentração de portadores minoritários é o número de portadores na banda de valência sem viés aplicado externamente.
ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base
Concentração de Portadores Intrínsecos: 120000000 1 por metro cúbico --> 120000000 1 por metro cúbico Nenhuma conversão necessária
Concentração de portadores minoritários: 91000000 1 por metro cúbico --> 91000000 1 por metro cúbico Nenhuma conversão necessária
ETAPA 2: Avalie a Fórmula
Substituindo valores de entrada na fórmula
n0 = ni^2/p0 --> 120000000^2/91000000
Avaliando ... ...
n0 = 158241758.241758
PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída
158241758.241758 1 por metro cúbico --> Nenhuma conversão necessária
RESPOSTA FINAL
158241758.241758 1.6E+8 1 por metro cúbico <-- Concentração de portadores majoritários
(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

Créditos

Creator Image
Criado por Payal Priya
Birsa Institute of Technology (MORDEU), Sindri
Payal Priya criou esta calculadora e mais 600+ calculadoras!
Verifier Image
Verificado por Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod verificou esta calculadora e mais 1900+ calculadoras!

Características do semicondutor Calculadoras

Condutividade em semicondutores
​ Vai Condutividade = (Densidade eletrônica*[Charge-e]*Mobilidade do Elétron)+(Densidade dos furos*[Charge-e]*Mobilidade de Buracos)
Comprimento de difusão de elétrons
​ Vai Comprimento da difusão de elétrons = sqrt(Constante de difusão de elétrons*Vida útil do portador minoritário)
Nível Fermi de Semicondutores Intrínsecos
​ Vai Fermi Nível Intrínseco Semicondutor = (Energia da Banda de Condução+Energia da banda de valência)/2
Mobilidade de Portadores de Carga
​ Vai Mobilidade de Portadores de Carga = Velocidade de deriva/Intensidade do campo elétrico

Concentração de Portadores Majoritários em Semicondutores Fórmula

Concentração de portadores majoritários = Concentração de Portadores Intrínsecos^2/Concentração de portadores minoritários
n0 = ni^2/p0

O que é uma lei de ação de massa?

Em um semicondutor em equilíbrio térmico (em temperatura constante), o produto dos buracos e dos elétrons é sempre constante e igual ao quadrado do semicondutor intrínseco.

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