Concentração de portadores majoritários em semicondutores para tipo p Calculadora

✖A concentração de portadores intrínsecos é o número de elétrons na banda de condução ou o número de lacunas na banda de valência no material intrínseco.ⓘ Concentração de Portadores Intrínsecos [n_i]			+10% -10%
✖A concentração de portadores minoritários é o número de portadores na banda de valência sem viés aplicado externamente.ⓘ Concentração de portadores minoritários [p₀]			+10% -10%

✖A concentração de portadores majoritários é o número de portadores na banda de condução sem viés aplicado externamente.ⓘ Concentração de portadores majoritários em semicondutores para tipo p [n₀]

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Concentração de portadores majoritários em semicondutores para tipo p Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Concentração de portadores majoritários = Concentração de Portadores Intrínsecos^2/Concentração de portadores minoritários
n₀ = n_i^2/p₀
Esta fórmula usa 3 Variáveis

Variáveis Usadas

Concentração de portadores majoritários - (Medido em 1 por metro cúbico) - A concentração de portadores majoritários é o número de portadores na banda de condução sem viés aplicado externamente.
Concentração de Portadores Intrínsecos - (Medido em 1 por metro cúbico) - A concentração de portadores intrínsecos é o número de elétrons na banda de condução ou o número de lacunas na banda de valência no material intrínseco.
Concentração de portadores minoritários - (Medido em 1 por metro cúbico) - A concentração de portadores minoritários é o número de portadores na banda de valência sem viés aplicado externamente.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Concentração de Portadores Intrínsecos: 120000000 1 por metro cúbico --> 120000000 1 por metro cúbico Nenhuma conversão necessária
Concentração de portadores minoritários: 91000000 1 por metro cúbico --> 91000000 1 por metro cúbico Nenhuma conversão necessária

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

n₀ = n_i^2/p₀ --> 120000000^2/91000000

Avaliando ... ...

n₀ = 158241758.241758

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

158241758.241758 1 por metro cúbico --> Nenhuma conversão necessária

RESPOSTA FINAL

158241758.241758 ≈ 1.6E+8 1 por metro cúbico <-- Concentração de portadores majoritários

(Cálculo concluído em 00.020 segundos)

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Créditos

Criado por Akshada Kulkarni

Instituto Nacional de Tecnologia da Informação (NIIT), Neemrana

Akshada Kulkarni criou esta calculadora e mais 500+ calculadoras!

Verificado por Equipe Softusvista

Escritório Softusvista (Pune), Índia

Equipe Softusvista verificou esta calculadora e mais 1100+ calculadoras!

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Condutividade em semicondutores

LaTeX Vai Condutividade = (Densidade eletrônica*[Charge-e]*Mobilidade do Elétron)+(Densidade dos furos*[Charge-e]*Mobilidade de Buracos)

Comprimento de difusão de elétrons

LaTeX Vai Comprimento da difusão de elétrons = sqrt(Constante de difusão de elétrons*Vida útil do portador minoritário)

Nível Fermi de Semicondutores Intrínsecos

LaTeX Vai Fermi Nível Intrínseco Semicondutor = (Energia da Banda de Condução+Energia da banda de valência)/2

Mobilidade de Portadores de Carga

LaTeX Vai Mobilidade de Portadores de Carga = Velocidade de deriva/Intensidade do campo elétrico

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Concentração de portadores majoritários em semicondutores para tipo p Fórmula

LaTeX Vai

Concentração de portadores majoritários = Concentração de Portadores Intrínsecos^2/Concentração de portadores minoritários
n₀ = n_i^2/p₀

Como a concentração da maioria do portador é afetada pela concentração de impurezas do doador?

a concentração de elétrons transportadores majoritários de equilíbrio térmico é essencialmente igual à concentração de impurezas doadoras. As concentrações de portadores majoritários e minoritários de equilíbrio térmico podem diferir em muitas ordens de magnitude. Se a concentração de impurezas doadoras não for muito diferente em magnitude da concentração intrínseca de portadores, a concentração de elétrons portadores majoritários de equilíbrio térmico é influenciada pela concentração intrínseca.

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