Magnitude da carga eletrônica no canal do MOSFET Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo
Fórmula Usada
Carga do Elétron no Canal = Capacitância de Óxido*Largura de banda*Comprimento do canal*Tensão Efetiva
Qe = Cox*Wc*L*Veff
Esta fórmula usa 5 Variáveis
Variáveis Usadas
Carga do Elétron no Canal - (Medido em Coulomb) - Carga de elétron no canal refere-se à quantidade de carga transportada por um elétron na banda de condução do material semicondutor usado no dispositivo.
Capacitância de Óxido - (Medido em Farad) - A capacitância de óxido é um parâmetro importante que afeta o desempenho dos dispositivos MOS, como a velocidade e o consumo de energia dos circuitos integrados.
Largura de banda - (Medido em Metro) - A largura do canal refere-se à faixa de frequências usada para transmitir dados através de um canal de comunicação sem fio. Também é conhecido como largura de banda e é medido em hertz (Hz).
Comprimento do canal - (Medido em Metro) - O comprimento do canal refere-se à distância entre os terminais de fonte e dreno em um transistor de efeito de campo (FET).
Tensão Efetiva - (Medido em Volt) - A tensão efetiva em um MOSFET (transistor de efeito de campo semicondutor de óxido metálico) é a tensão que determina o comportamento do dispositivo. Também é conhecida como tensão porta-fonte.
ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base
Capacitância de Óxido: 940 Microfarad --> 0.00094 Farad (Verifique a conversão ​aqui)
Largura de banda: 10 Micrômetro --> 1E-05 Metro (Verifique a conversão ​aqui)
Comprimento do canal: 100 Micrômetro --> 0.0001 Metro (Verifique a conversão ​aqui)
Tensão Efetiva: 1.7 Volt --> 1.7 Volt Nenhuma conversão necessária
ETAPA 2: Avalie a Fórmula
Substituindo valores de entrada na fórmula
Qe = Cox*Wc*L*Veff --> 0.00094*1E-05*0.0001*1.7
Avaliando ... ...
Qe = 1.598E-12
PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída
1.598E-12 Coulomb -->1.598 Picocoulomb (Verifique a conversão ​aqui)
RESPOSTA FINAL
1.598 Picocoulomb <-- Carga do Elétron no Canal
(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

Créditos

Creator Image
Criado por Payal Priya
Birsa Institute of Technology (MORDEU), Sindri
Payal Priya criou esta calculadora e mais 600+ calculadoras!
Verifier Image
Verificado por Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod verificou esta calculadora e mais 1900+ calculadoras!

Efeitos capacitivos internos e modelo de alta frequência Calculadoras

Frequência de Transição do MOSFET
​ LaTeX ​ Vai Frequência de transição = Transcondutância/(2*pi*(Capacitância da porta de origem+Capacitância Gate-Dreno))
Largura do portão para o canal de origem do MOSFET
​ LaTeX ​ Vai Largura de banda = Capacitância de sobreposição/(Capacitância de Óxido*Comprimento da sobreposição)
Capacitância de sobreposição do MOSFET
​ LaTeX ​ Vai Capacitância de sobreposição = Largura de banda*Capacitância de Óxido*Comprimento da sobreposição
Capacitância Total entre Gate e Canal de MOSFETs
​ LaTeX ​ Vai Capacitância do canal de porta = Capacitância de Óxido*Largura de banda*Comprimento do canal

Magnitude da carga eletrônica no canal do MOSFET Fórmula

​LaTeX ​Vai
Carga do Elétron no Canal = Capacitância de Óxido*Largura de banda*Comprimento do canal*Tensão Efetiva
Qe = Cox*Wc*L*Veff

Explique todo o processo da região do canal do MOSFET formando um capacitor de placa paralela.

A porta e a região do canal do MOSFET formam um capacitor de placa paralela, com a camada de óxido atuando como o dielétrico do capacitor. A tensão da porta positiva faz com que uma carga positiva se acumule na placa superior do capacitor (o eletrodo da porta). A carga negativa correspondente na placa inferior é formada pelos elétrons no canal induzido. Um campo elétrico, portanto, se desenvolve na direção vertical. É este campo que controla a quantidade de carga no canal e, portanto, determina a condutividade do canal e, por sua vez, a corrente que fluirá através do canal quando uma tensão for aplicada.

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