Capacitância de carga do inversor CMOS em cascata Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo
Fórmula Usada
Capacitância de carga CMOS do inversor = Capacitância de drenagem da porta PMOS+Capacitância de drenagem da porta NMOS+Capacitância em massa de drenagem PMOS+Capacitância em massa de drenagem NMOS+Capacitância interna do CMOS do inversor+Capacitância da porta CMOS do inversor
Cload = Cgd,p+Cgd,n+Cdb,p+Cdb,n+Cin+Cg
Esta fórmula usa 7 Variáveis
Variáveis Usadas
Capacitância de carga CMOS do inversor - (Medido em Farad) - A capacitância de carga CMOS do inversor é a capacitância acionada pela saída de um inversor CMOS, incluindo fiação, capacitâncias de entrada de portas conectadas e capacitâncias parasitas.
Capacitância de drenagem da porta PMOS - (Medido em Farad) - A capacitância de drenagem da porta PMOS é a capacitância entre os terminais de porta e dreno de um transistor PMOS, impactando sua velocidade de comutação e consumo de energia em aplicações de circuitos digitais.
Capacitância de drenagem da porta NMOS - (Medido em Farad) - A capacitância de drenagem da porta NMOS é a capacitância entre os terminais de porta e dreno de um transistor NMOS, influenciando sua velocidade de comutação e consumo de energia em aplicações de circuitos digitais.
Capacitância em massa de drenagem PMOS - (Medido em Farad) - A capacitância de dreno PMOS refere-se à capacitância entre o terminal de dreno e o substrato de um transistor PMOS, influenciando seu comportamento em diversas aplicações de circuito.
Capacitância em massa de drenagem NMOS - (Medido em Farad) - A capacitância de dreno NMOS refere-se à capacitância entre o terminal de dreno e o volume (substrato) de um transistor NMOS, impactando suas características de comutação e desempenho geral.
Capacitância interna do CMOS do inversor - (Medido em Farad) - A capacitância interna do CMOS do inversor refere-se às capacitâncias parasitas dentro de um inversor CMOS, incluindo capacitâncias de junção e sobreposição, afetando sua velocidade de comutação e consumo de energia.
Capacitância da porta CMOS do inversor - (Medido em Farad) - A capacitância da porta CMOS do inversor é a capacitância total no terminal da porta de um inversor CMOS, impactando a velocidade de comutação e o consumo de energia, consistindo de porta-fonte.
ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base
Capacitância de drenagem da porta PMOS: 0.15 FemtoFarad --> 1.5E-16 Farad (Verifique a conversão ​aqui)
Capacitância de drenagem da porta NMOS: 0.1 FemtoFarad --> 1E-16 Farad (Verifique a conversão ​aqui)
Capacitância em massa de drenagem PMOS: 0.25 FemtoFarad --> 2.5E-16 Farad (Verifique a conversão ​aqui)
Capacitância em massa de drenagem NMOS: 0.2 FemtoFarad --> 2E-16 Farad (Verifique a conversão ​aqui)
Capacitância interna do CMOS do inversor: 0.05 FemtoFarad --> 5E-17 Farad (Verifique a conversão ​aqui)
Capacitância da porta CMOS do inversor: 0.18 FemtoFarad --> 1.8E-16 Farad (Verifique a conversão ​aqui)
ETAPA 2: Avalie a Fórmula
Substituindo valores de entrada na fórmula
Cload = Cgd,p+Cgd,n+Cdb,p+Cdb,n+Cin+Cg --> 1.5E-16+1E-16+2.5E-16+2E-16+5E-17+1.8E-16
Avaliando ... ...
Cload = 9.3E-16
PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída
9.3E-16 Farad -->0.93 FemtoFarad (Verifique a conversão ​aqui)
RESPOSTA FINAL
0.93 FemtoFarad <-- Capacitância de carga CMOS do inversor
(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

Créditos

Creator Image
Criado por Priyanka Patel
Faculdade de Engenharia Lalbhai Dalpatbhai (LDCE), Ahmedabad
Priyanka Patel criou esta calculadora e mais 25+ calculadoras!
Verifier Image
Verificado por Parminder Singh
Universidade de Chandigarh (CU), Punjab
Parminder Singh verificou esta calculadora e mais 500+ calculadoras!

Inversores CMOS Calculadoras

Tensão máxima de entrada CMOS
​ LaTeX ​ Vai Tensão máxima de entrada CMOS = (2*Tensão de saída para entrada máxima+(Tensão limite de PMOS sem polarização corporal)-Tensão de alimentação+Razão de Transcondutância*Tensão limite de NMOS sem polarização corporal)/(1+Razão de Transcondutância)
Tensão Limite CMOS
​ LaTeX ​ Vai Tensão de limiar = (Tensão limite de NMOS sem polarização corporal+sqrt(1/Razão de Transcondutância)*(Tensão de alimentação+(Tensão limite de PMOS sem polarização corporal)))/(1+sqrt(1/Razão de Transcondutância))
Tensão máxima de entrada para CMOS simétrico
​ LaTeX ​ Vai CMOS simétrico de tensão máxima de entrada = (3*Tensão de alimentação+2*Tensão limite de NMOS sem polarização corporal)/8
Margem de ruído para CMOS de alto sinal
​ LaTeX ​ Vai Margem de ruído para sinal alto = Tensão máxima de saída-Tensão Mínima de Entrada

Capacitância de carga do inversor CMOS em cascata Fórmula

​LaTeX ​Vai
Capacitância de carga CMOS do inversor = Capacitância de drenagem da porta PMOS+Capacitância de drenagem da porta NMOS+Capacitância em massa de drenagem PMOS+Capacitância em massa de drenagem NMOS+Capacitância interna do CMOS do inversor+Capacitância da porta CMOS do inversor
Cload = Cgd,p+Cgd,n+Cdb,p+Cdb,n+Cin+Cg
Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!