✖A capacitância de drenagem da porta PMOS é a capacitância entre os terminais de porta e dreno de um transistor PMOS, impactando sua velocidade de comutação e consumo de energia em aplicações de circuitos digitais.ⓘ Capacitância de drenagem da porta PMOS [Cgd,p] | | | +10% -10% |
✖A capacitância de drenagem da porta NMOS é a capacitância entre os terminais de porta e dreno de um transistor NMOS, influenciando sua velocidade de comutação e consumo de energia em aplicações de circuitos digitais.ⓘ Capacitância de drenagem da porta NMOS [Cgd,n] | | | +10% -10% |
✖A capacitância de dreno PMOS refere-se à capacitância entre o terminal de dreno e o substrato de um transistor PMOS, influenciando seu comportamento em diversas aplicações de circuito.ⓘ Capacitância em massa de drenagem PMOS [Cdb,p] | | | +10% -10% |
✖A capacitância de dreno NMOS refere-se à capacitância entre o terminal de dreno e o volume (substrato) de um transistor NMOS, impactando suas características de comutação e desempenho geral.ⓘ Capacitância em massa de drenagem NMOS [Cdb,n] | | | +10% -10% |
✖A capacitância interna do CMOS do inversor refere-se às capacitâncias parasitas dentro de um inversor CMOS, incluindo capacitâncias de junção e sobreposição, afetando sua velocidade de comutação e consumo de energia.ⓘ Capacitância interna do CMOS do inversor [Cin] | | | +10% -10% |
✖A capacitância da porta CMOS do inversor é a capacitância total no terminal da porta de um inversor CMOS, impactando a velocidade de comutação e o consumo de energia, consistindo de porta-fonte.ⓘ Capacitância da porta CMOS do inversor [Cg] | | | +10% -10% |