K-Prime Calculadora

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Otimização de materiais VLSI Projeto VLSI analógico

✖A mobilidade no MOSFET é definida com base na capacidade de um elétron se mover rapidamente através de um metal ou semicondutor, quando puxado por um campo elétrico.ⓘ Mobilidade em MOSFET [μ_eff]			+10% -10%
✖A capacitância da camada de óxido de porta é definida como a capacitância do terminal de porta de um transistor de efeito de campo.ⓘ Capacitância da camada de óxido de porta [C_ox]			+10% -10%

✖K Prime é a constante de taxa reversa da reação.ⓘ K-Prime [K_p]

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K-Prime Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

K Prime = Mobilidade em MOSFET*Capacitância da camada de óxido de porta
K_p = μ_eff*C_ox
Esta fórmula usa 3 Variáveis

Variáveis Usadas

K Prime - (Medido em Metro quadrado por volt por segundo) - K Prime é a constante de taxa reversa da reação.
Mobilidade em MOSFET - (Medido em Metro quadrado por volt por segundo) - A mobilidade no MOSFET é definida com base na capacidade de um elétron se mover rapidamente através de um metal ou semicondutor, quando puxado por um campo elétrico.
Capacitância da camada de óxido de porta - (Medido em Farad por metro quadrado) - A capacitância da camada de óxido de porta é definida como a capacitância do terminal de porta de um transistor de efeito de campo.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Mobilidade em MOSFET: 0.15 Centímetro Quadrado por Volt Segundo --> 1.5E-05 Metro quadrado por volt por segundo (Verifique a conversão aqui)
Capacitância da camada de óxido de porta: 29.83 Microfarad por Milímetro Quadrado --> 29.83 Farad por metro quadrado (Verifique a conversão aqui)

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

K_p = μ_eff*C_ox --> 1.5E-05*29.83

Avaliando ... ...

K_p = 0.00044745

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

0.00044745 Metro quadrado por volt por segundo -->4.4745 Centímetro Quadrado por Volt Segundo (Verifique a conversão aqui)

RESPOSTA FINAL

4.4745 Centímetro Quadrado por Volt Segundo <-- K Prime

(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

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Créditos

Criado por Shobhit Dimri

Instituto de Tecnologia Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri criou esta calculadora e mais 900+ calculadoras!

Verificado por Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod verificou esta calculadora e mais 1900+ calculadoras!

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Coeficiente de Efeito Corporal

LaTeX Vai Coeficiente de Efeito Corporal = modulus((Tensão de limiar-Tensão Limite DIBL)/(sqrt(Potencial de Superfície+(Diferença potencial do corpo de origem))-sqrt(Potencial de Superfície)))

Coeficiente DIBL

LaTeX Vai Coeficiente DIBL = (Tensão Limite DIBL-Tensão de limiar)/Drenar para Potencial de Fonte

Carga do canal

LaTeX Vai Taxa de canal = Capacitância do portão*(Tensão do portão para o canal-Tensão de limiar)

Tensão Crítica

LaTeX Vai Tensão Crítica = Campo Elétrico Crítico*Campo elétrico ao longo do comprimento do canal

Ver mais >>

K-Prime Fórmula

LaTeX Vai

K Prime = Mobilidade em MOSFET*Capacitância da camada de óxido de porta
K_p = μ_eff*C_ox

O que é transistor?

Na eletrônica, um transistor é um dispositivo semicondutor comumente usado para amplificar ou alternar sinais eletrônicos. O transistor é o bloco de construção fundamental dos computadores e de todos os outros dispositivos eletrônicos modernos. Alguns transistores são embalados individualmente, mas a maioria é encontrada em circuitos integrados.

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