Tensão integrada de junção VLSI Calculadora

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Otimização de materiais VLSI Projeto VLSI analógico

✖A temperatura reflete o quão quente ou frio é um objeto ou ambiente.ⓘ Temperatura [T]			+10% -10%
✖Concentração do aceitador refere-se à concentração de átomos dopantes aceitadores em um material semicondutor.ⓘ Concentração do aceitante [N_A]			+10% -10%
✖A concentração doadora refere-se à concentração de átomos dopantes doadores introduzidos em um material semicondutor para aumentar o número de elétrons livres.ⓘ Concentração de doadores [N_D]			+10% -10%
✖Concentração Intrínseca refere-se à concentração de portadores de carga (elétrons e lacunas) em um semicondutor intrínseco em equilíbrio térmico.ⓘ Concentração Intrínseca [N_i]			+10% -10%

✖A tensão incorporada na junção é definida como a tensão que existe através de uma junção semicondutora em equilíbrio térmico, onde nenhuma tensão externa é aplicada.ⓘ Tensão integrada de junção VLSI [Ø₀]

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Tensão integrada de junção VLSI Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Tensão interna de junção = ([BoltZ]*Temperatura/[Charge-e])*ln(Concentração do aceitante*Concentração de doadores/(Concentração Intrínseca)^2)
Ø₀ = ([BoltZ]*T/[Charge-e])*ln(N_A*N_D/(N_i)^2)
Esta fórmula usa 2 Constantes, 1 Funções, 5 Variáveis

Constantes Usadas

[Charge-e] - Carga do elétron Valor considerado como 1.60217662E-19
[BoltZ] - Constante de Boltzmann Valor considerado como 1.38064852E-23

Funções usadas

ln - O logaritmo natural, também conhecido como logaritmo de base e, é a função inversa da função exponencial natural., ln(Number)

Variáveis Usadas

Tensão interna de junção - (Medido em Volt) - A tensão incorporada na junção é definida como a tensão que existe através de uma junção semicondutora em equilíbrio térmico, onde nenhuma tensão externa é aplicada.
Temperatura - (Medido em Kelvin) - A temperatura reflete o quão quente ou frio é um objeto ou ambiente.
Concentração do aceitante - (Medido em 1 por metro cúbico) - Concentração do aceitador refere-se à concentração de átomos dopantes aceitadores em um material semicondutor.
Concentração de doadores - (Medido em 1 por metro cúbico) - A concentração doadora refere-se à concentração de átomos dopantes doadores introduzidos em um material semicondutor para aumentar o número de elétrons livres.
Concentração Intrínseca - (Medido em 1 por metro cúbico) - Concentração Intrínseca refere-se à concentração de portadores de carga (elétrons e lacunas) em um semicondutor intrínseco em equilíbrio térmico.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Temperatura: 300 Kelvin --> 300 Kelvin Nenhuma conversão necessária
Concentração do aceitante: 1E+16 1 por centímetro cúbico --> 1E+22 1 por metro cúbico (Verifique a conversão aqui)
Concentração de doadores: 1E+17 1 por centímetro cúbico --> 1E+23 1 por metro cúbico (Verifique a conversão aqui)
Concentração Intrínseca: 14500000000 1 por centímetro cúbico --> 1.45E+16 1 por metro cúbico (Verifique a conversão aqui)

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

Ø₀ = ([BoltZ]*T/[Charge-e])*ln(N_A*N_D/(N_i)^2) --> ([BoltZ]*300/[Charge-e])*ln(1E+22*1E+23/(1.45E+16)^2)

Avaliando ... ...

Ø₀ = 0.75463200359389

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

0.75463200359389 Volt --> Nenhuma conversão necessária

RESPOSTA FINAL

0.75463200359389 ≈ 0.754632 Volt <-- Tensão interna de junção

(Cálculo concluído em 00.020 segundos)

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Créditos

Criado por Priyanka Patel

Faculdade de Engenharia Lalbhai Dalpatbhai (LDCE), Ahmedabad

Priyanka Patel criou esta calculadora e mais 25+ calculadoras!

Verificado por Santosh Yadav

Faculdade de Engenharia Dayananda Sagar (DSCE), Banglore

Santosh Yadav verificou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!

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Coeficiente de Efeito Corporal

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