Carga da Camada de Inversão em PMOS Calculadora

✖A capacitância de óxido é um parâmetro importante que afeta o desempenho de dispositivos MOS, como a velocidade e o consumo de energia de circuitos integrados.ⓘ Capacitância de Óxido [C_ox]			+10% -10%
✖A tensão entre porta e fonte de um transistor de efeito de campo (FET) é conhecida como tensão porta-fonte (VGS). É um parâmetro importante que afeta a operação do FET.ⓘ Tensão entre Gate e Source [V_GS]			+10% -10%
✖A tensão limiar, também conhecida como tensão limiar da porta ou simplesmente Vth, é um parâmetro crítico na operação dos transistores de efeito de campo, que são componentes fundamentais da eletrônica moderna.ⓘ Tensão de limiar [V_T]			+10% -10%

✖A carga da camada de inversão refere-se ao acúmulo de portadores de carga na interface entre o semicondutor e a camada de óxido isolante quando uma tensão é aplicada ao eletrodo de porta.ⓘ Carga da Camada de Inversão em PMOS [Q_p]

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Carga da Camada de Inversão em PMOS Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Cobrança da Camada de Inversão = -Capacitância de Óxido*(Tensão entre Gate e Source-Tensão de limiar)
Q_p = -C_ox*(V_GS-V_T)
Esta fórmula usa 4 Variáveis

Variáveis Usadas

Cobrança da Camada de Inversão - (Medido em Coulomb por metro quadrado) - A carga da camada de inversão refere-se ao acúmulo de portadores de carga na interface entre o semicondutor e a camada de óxido isolante quando uma tensão é aplicada ao eletrodo de porta.
Capacitância de Óxido - (Medido em Farad) - A capacitância de óxido é um parâmetro importante que afeta o desempenho de dispositivos MOS, como a velocidade e o consumo de energia de circuitos integrados.
Tensão entre Gate e Source - (Medido em Volt) - A tensão entre porta e fonte de um transistor de efeito de campo (FET) é conhecida como tensão porta-fonte (VGS). É um parâmetro importante que afeta a operação do FET.
Tensão de limiar - (Medido em Volt) - A tensão limiar, também conhecida como tensão limiar da porta ou simplesmente Vth, é um parâmetro crítico na operação dos transistores de efeito de campo, que são componentes fundamentais da eletrônica moderna.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Capacitância de Óxido: 0.0008 Farad --> 0.0008 Farad Nenhuma conversão necessária
Tensão entre Gate e Source: 2.86 Volt --> 2.86 Volt Nenhuma conversão necessária
Tensão de limiar: 0.7 Volt --> 0.7 Volt Nenhuma conversão necessária

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

Q_p = -C_ox*(V_GS-V_T) --> -0.0008*(2.86-0.7)

Avaliando ... ...

Q_p = -0.001728

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

-0.001728 Coulomb por metro quadrado --> Nenhuma conversão necessária

RESPOSTA FINAL

-0.001728 Coulomb por metro quadrado <-- Cobrança da Camada de Inversão

(Cálculo concluído em 00.020 segundos)

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Créditos

Criado por Aman Dhussawat

INSTITUTO DE TECNOLOGIA GURU TEGH BAHADUR (GTBIT), NOVA DELHI

Aman Dhussawat criou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!

Verificado por Parminder Singh

Universidade de Chandigarh (CU), Punjab

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