Carga da Camada de Inversão na Condição Pinch-Off no PMOS Calculadora

Cobrança da Camada de Inversão = -Capacitância de Óxido*(Tensão entre Gate e Source-Tensão de limiar-Tensão entre Dreno e Fonte)
Q_p = -C_ox*(V_GS-V_T-V_DS)
Esta fórmula usa 5 Variáveis
Cobrança da Camada de Inversão - (Medido em Coulomb por metro quadrado) - A carga da camada de inversão refere-se ao acúmulo de portadores de carga na interface entre o semicondutor e a camada de óxido isolante quando uma tensão é aplicada ao eletrodo de porta.
Capacitância de Óxido - (Medido em Farad) - A capacitância de óxido é um parâmetro importante que afeta o desempenho de dispositivos MOS, como a velocidade e o consumo de energia de circuitos integrados.
Tensão entre Gate e Source - (Medido em Volt) - A tensão entre porta e fonte de um transistor de efeito de campo (FET) é conhecida como tensão porta-fonte (VGS). É um parâmetro importante que afeta a operação do FET.
Tensão de limiar - (Medido em Volt) - A tensão limiar, também conhecida como tensão limiar da porta ou simplesmente Vth, é um parâmetro crítico na operação dos transistores de efeito de campo, que são componentes fundamentais da eletrônica moderna.
Tensão entre Dreno e Fonte - (Medido em Volt) - A tensão entre o dreno e a fonte é um parâmetro chave na operação de um transistor de efeito de campo (FET) e é frequentemente chamada de "tensão dreno-fonte" ou VDS.

(Cálculo concluído em 00.004 segundos)