Capacitância de porta intrínseca Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo
Fórmula Usada
Capacitância de sobreposição de porta MOS = Capacitância da Porta MOS*Largura da transição
Cmos = Cgcs*W
Esta fórmula usa 3 Variáveis
Variáveis Usadas
Capacitância de sobreposição de porta MOS - (Medido em Farad) - A capacitância de sobreposição de porta MOS é uma capacitância que vem da construção do próprio dispositivo e geralmente está associada às suas junções PN internas.
Capacitância da Porta MOS - (Medido em Farad) - A capacitância da porta MOS é um fator importante no cálculo da capacitância de sobreposição da porta.
Largura da transição - (Medido em Metro) - A largura de transição é definida como o aumento na largura quando a tensão do dreno para a fonte aumenta, resultando na transição da região do triodo para a região de saturação.
ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base
Capacitância da Porta MOS: 20.04 Microfarad --> 2.004E-05 Farad (Verifique a conversão ​aqui)
Largura da transição: 89.82 Milímetro --> 0.08982 Metro (Verifique a conversão ​aqui)
ETAPA 2: Avalie a Fórmula
Substituindo valores de entrada na fórmula
Cmos = Cgcs*W --> 2.004E-05*0.08982
Avaliando ... ...
Cmos = 1.7999928E-06
PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída
1.7999928E-06 Farad -->1.7999928 Microfarad (Verifique a conversão ​aqui)
RESPOSTA FINAL
1.7999928 1.799993 Microfarad <-- Capacitância de sobreposição de porta MOS
(Cálculo concluído em 00.020 segundos)

Créditos

Creator Image
Criado por Shobhit Dimri
Instituto de Tecnologia Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri criou esta calculadora e mais 900+ calculadoras!
Verifier Image
Verificado por Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod verificou esta calculadora e mais 1900+ calculadoras!

Otimização de materiais VLSI Calculadoras

Coeficiente de Efeito Corporal
​ LaTeX ​ Vai Coeficiente de Efeito Corporal = modulus((Tensão de limiar-Tensão Limite DIBL)/(sqrt(Potencial de Superfície+(Diferença potencial do corpo de origem))-sqrt(Potencial de Superfície)))
Coeficiente DIBL
​ LaTeX ​ Vai Coeficiente DIBL = (Tensão Limite DIBL-Tensão de limiar)/Drenar para Potencial de Fonte
Carga do canal
​ LaTeX ​ Vai Taxa de canal = Capacitância do portão*(Tensão do portão para o canal-Tensão de limiar)
Tensão Crítica
​ LaTeX ​ Vai Tensão Crítica = Campo Elétrico Crítico*Campo elétrico ao longo do comprimento do canal

Capacitância de porta intrínseca Fórmula

​LaTeX ​Vai
Capacitância de sobreposição de porta MOS = Capacitância da Porta MOS*Largura da transição
Cmos = Cgcs*W

Qual é a necessidade de doping no CMOS?

A dopagem na tecnologia CMOS é usada para introduzir impurezas no material semicondutor para alterar suas propriedades elétricas. Ao adicionar dopantes, o número de portadores de carga livres (elétrons ou lacunas) pode ser aumentado, o que permite maior controle sobre o comportamento elétrico do dispositivo. Isso é essencial para a criação de circuitos CMOS de alto desempenho que usam transistores tipo n e tipo p.

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