Corrente de drenagem instantânea usando tensão entre o dreno e a fonte Calculadora

✖O parâmetro de transcondutância é o produto do parâmetro de transcondutância do processo e a relação de aspecto do transistor (W/L).ⓘ Parâmetro de Transcondutância [K_n]			+10% -10%
✖A tensão através do óxido é devida à carga na interface óxido-semicondutor e o terceiro termo é devido à densidade de carga no óxido.ⓘ Tensão através do óxido [V_ox]			+10% -10%
✖A tensão limite do transistor é a porta mínima para a tensão da fonte necessária para criar um caminho condutor entre os terminais da fonte e do dreno.ⓘ Tensão de limiar [V_t]			+10% -10%
✖A tensão entre a porta e a fonte é a tensão que passa pelo terminal porta-fonte do transistor.ⓘ Tensão entre Gate e Fonte [V_gs]			+10% -10%

✖A corrente de dreno abaixo da tensão limite é definida como a corrente sublimiar e varia exponencialmente com a tensão da porta para a fonte.ⓘ Corrente de drenagem instantânea usando tensão entre o dreno e a fonte [i_d]

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Fórmula

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Corrente de drenagem instantânea usando tensão entre o dreno e a fonte

Fórmula

i d = K n \cdot (V ox - V t) \cdot V gs

Exemplo

17.48907 mA = 2.95 mA/V² \cdot (3.775 V - 2 V) \cdot 3.34 V

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Corrente de drenagem instantânea usando tensão entre o dreno e a fonte Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Corrente de drenagem = Parâmetro de Transcondutância*(Tensão através do óxido-Tensão de limiar)*Tensão entre Gate e Fonte
i_d = K_n*(V_ox-V_t)*V_gs
Esta fórmula usa 5 Variáveis

Variáveis Usadas

Corrente de drenagem - (Medido em Ampere) - A corrente de dreno abaixo da tensão limite é definida como a corrente sublimiar e varia exponencialmente com a tensão da porta para a fonte.
Parâmetro de Transcondutância - (Medido em Ampère por Volt Quadrado) - O parâmetro de transcondutância é o produto do parâmetro de transcondutância do processo e a relação de aspecto do transistor (W/L).
Tensão através do óxido - (Medido em Volt) - A tensão através do óxido é devida à carga na interface óxido-semicondutor e o terceiro termo é devido à densidade de carga no óxido.
Tensão de limiar - (Medido em Volt) - A tensão limite do transistor é a porta mínima para a tensão da fonte necessária para criar um caminho condutor entre os terminais da fonte e do dreno.
Tensão entre Gate e Fonte - (Medido em Volt) - A tensão entre a porta e a fonte é a tensão que passa pelo terminal porta-fonte do transistor.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Parâmetro de Transcondutância: 2.95 Miliamperes por Volt quadrado --> 0.00295 Ampère por Volt Quadrado (Verifique a conversão aqui)
Tensão através do óxido: 3.775 Volt --> 3.775 Volt Nenhuma conversão necessária
Tensão de limiar: 2 Volt --> 2 Volt Nenhuma conversão necessária
Tensão entre Gate e Fonte: 3.34 Volt --> 3.34 Volt Nenhuma conversão necessária

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

i_d = K_n*(V_ox-V_t)*V_gs --> 0.00295*(3.775-2)*3.34

Avaliando ... ...

i_d = 0.017489075

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

0.017489075 Ampere -->17.489075 Miliamperes (Verifique a conversão aqui)

RESPOSTA FINAL

17.489075 ≈ 17.48907 Miliamperes <-- Corrente de drenagem

(Cálculo concluído em 00.020 segundos)

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Créditos

Criado por Payal Priya

Birsa Institute of Technology (MORDEU), Sindri

Payal Priya criou esta calculadora e mais 600+ calculadoras!

Verificado por Prahalad Singh

Jaipur Engineering College and Research Center (JECRC), Jaipur

Prahalad Singh verificou esta calculadora e mais 10+ calculadoras!

< Características do amplificador transistorizado Calculadoras

Corrente que flui através do canal induzido no transistor dada a tensão de óxido

Vai Corrente de saída = (Mobilidade do Elétron*Capacitância de Óxido*(Largura do canal/Comprimento do canal)*(Tensão através do óxido-Tensão de limiar))*Tensão de saturação entre dreno e fonte

Terminal de drenagem de entrada de corrente do MOSFET na saturação

Vai Corrente de drenagem de saturação = 1/2*Parâmetro de Transcondutância do Processo*(Largura do canal/Comprimento do canal)*(Tensão Efetiva)^2

Tensão de dreno instantânea total

Vai Tensão de drenagem instantânea total = Tensão do Componente Fundamental-Resistência à drenagem*Corrente de drenagem

Tensão de entrada no transistor

Vai Tensão do Componente Fundamental = Resistência à drenagem*Corrente de drenagem-Tensão de drenagem instantânea total

Ver mais >>

< Ações CV de amplificadores de estágio comum Calculadoras

Resistência de entrada do amplificador de emissor comum

Vai Resistência de entrada = (1/Resistência Básica+1/Resistência Básica 2+1/Resistência de entrada de sinal pequeno)^-1

Impedância de entrada do amplificador de base comum

Vai Impedância de entrada = (1/Resistência do emissor+1/Resistência de entrada de sinal pequeno)^(-1)

Tensão Fundamental no Amplificador de Emissor Comum

Vai Tensão do Componente Fundamental = Resistência de entrada*Corrente Básica

Corrente do Emissor do Amplificador de Base Comum

Vai Corrente do Emissor = Tensão de entrada/Resistência do emissor

Ver mais >>

Corrente de drenagem instantânea usando tensão entre o dreno e a fonte Fórmula

Corrente de drenagem = Parâmetro de Transcondutância*(Tensão através do óxido-Tensão de limiar)*Tensão entre Gate e Fonte
i_d = K_n*(V_ox-V_t)*V_gs

O que é MOSFET e sua aplicação?

MOSFET é usado para comutar ou amplificar sinais. A capacidade de alterar a condutividade com a quantidade de voltagem aplicada pode ser usada para amplificar ou alternar sinais eletrônicos. Os MOSFETs agora são ainda mais comuns do que os BJTs (transistores de junção bipolar) em circuitos digitais e analógicos.

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