Impureza com Concentração Intrínseca Calculadora

Engenharia Financeiro Física Matemática Mais >>

↳

Eletrônicos Ciência de materiais Civil Elétrico Mais >>

⤿

Circuitos Integrados (CI)Amplificadores Antena e propagação de ondas Comunicação digital Mais >>

⤿

Fabricação de CI bipolar Fabricação de IC MOS Gatilho Schmitt

✖A concentração de elétrons é influenciada por vários fatores, como temperatura, impurezas ou dopantes adicionados ao material semicondutor e campos elétricos ou magnéticos externos.ⓘ Concentração de Elétrons [n_e]			+10% -10%
✖A concentração de furos implica um maior número de portadores de carga disponíveis no material, afetando sua condutividade e diversos dispositivos semicondutores.ⓘ Concentração de Buraco [p]			+10% -10%
✖Impureza de temperatura é um índice básico que representa a temperatura média do ar em diferentes escalas de tempo.ⓘ Impureza de temperatura [t_o]			+10% -10%

✖Concentração Intrínseca é o número de elétrons na banda de condução ou o número de lacunas na banda de valência no material intrínseco.ⓘ Impureza com Concentração Intrínseca [n_i]

⎘ Cópia De

👎

Fórmula

LaTeX

Redefinir

👍

Download Circuitos Integrados (CI) Fórmula PDF PDF Image

Impureza com Concentração Intrínseca Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Concentração Intrínseca = sqrt((Concentração de Elétrons*Concentração de Buraco)/Impureza de temperatura)
n_i = sqrt((n_e*p)/t_o)
Esta fórmula usa 1 Funções, 4 Variáveis

Funções usadas

sqrt - Uma função de raiz quadrada é uma função que recebe um número não negativo como entrada e retorna a raiz quadrada do número de entrada fornecido., sqrt(Number)

Variáveis Usadas

Concentração Intrínseca - (Medido em 1 por metro cúbico) - Concentração Intrínseca é o número de elétrons na banda de condução ou o número de lacunas na banda de valência no material intrínseco.
Concentração de Elétrons - (Medido em 1 por metro cúbico) - A concentração de elétrons é influenciada por vários fatores, como temperatura, impurezas ou dopantes adicionados ao material semicondutor e campos elétricos ou magnéticos externos.
Concentração de Buraco - (Medido em 1 por metro cúbico) - A concentração de furos implica um maior número de portadores de carga disponíveis no material, afetando sua condutividade e diversos dispositivos semicondutores.
Impureza de temperatura - (Medido em Kelvin) - Impureza de temperatura é um índice básico que representa a temperatura média do ar em diferentes escalas de tempo.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Concentração de Elétrons: 50.6 1 por centímetro cúbico --> 50600000 1 por metro cúbico (Verifique a conversão aqui)
Concentração de Buraco: 0.69 1 por centímetro cúbico --> 690000 1 por metro cúbico (Verifique a conversão aqui)
Impureza de temperatura: 20 Kelvin --> 20 Kelvin Nenhuma conversão necessária

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

n_i = sqrt((n_e*p)/t_o) --> sqrt((50600000*690000)/20)

Avaliando ... ...

n_i = 1321249.40870375

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

1321249.40870375 1 por metro cúbico -->1.32124940870375 1 por centímetro cúbico (Verifique a conversão aqui)

RESPOSTA FINAL

1.32124940870375 ≈ 1.321249 1 por centímetro cúbico <-- Concentração Intrínseca

(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

Você está aqui -

Casa » Engenharia » Eletrônicos » Circuitos Integrados (CI) » Fabricação de CI bipolar » Impureza com Concentração Intrínseca

Créditos

Criado por Raul Gupta

Universidade de Chandigarh (UC), Mohali, Punjab

Raul Gupta criou esta calculadora e mais 25+ calculadoras!

Verificado por Parminder Singh

Universidade de Chandigarh (CU), Punjab

Parminder Singh verificou esta calculadora e mais 500+ calculadoras!

< Fabricação de CI bipolar Calculadoras

Condutividade do Tipo N

LaTeX Vai Condutividade Ohmica = Cobrar*(Mobilidade de Silício com Dopagem Eletrônica*Concentração de equilíbrio do tipo N+Dopagem de furos Mobilidade de silício*(Concentração Intrínseca^2/Concentração de equilíbrio do tipo N))

Condutividade ôhmica da impureza

LaTeX Vai Condutividade Ohmica = Cobrar*(Mobilidade de Silício com Dopagem Eletrônica*Concentração de Elétrons+Dopagem de furos Mobilidade de silício*Concentração de Buraco)

Impureza com Concentração Intrínseca

LaTeX Vai Concentração Intrínseca = sqrt((Concentração de Elétrons*Concentração de Buraco)/Impureza de temperatura)

Tensão de ruptura do emissor coletor

LaTeX Vai Tensão de ruptura do emissor do coletor = Tensão de ruptura da base do coletor/(Ganho atual do BJT)^(1/Número raiz)

Ver mais >>