Átomos de Impureza por Unidade de Área Calculadora

Impureza total = Difusão Eficaz*(Área de junção da base do emissor*((Cobrar*Concentração Intrínseca^2)/Corrente do coletor)*exp(Emissor de base de tensão/Tensão Térmica))
Q_b = D_n*(A*((q*n_i^2)/I_c)*exp(V_be/V_t))
Esta fórmula usa 1 Funções, 8 Variáveis
exp - Em uma função exponencial, o valor da função muda por um fator constante para cada mudança de unidade na variável independente., exp(Number)Impureza total - (Medido em Metro quadrado) - A Impureza Total define as impurezas que são misturadas em átomo por unidade de área em uma base ou a quantidade de impureza adicionada a um semicondutor intrínseco varia seu nível de condutividade.
Difusão Eficaz - A difusão efetiva é um parâmetro relacionado ao processo de difusão dos portadores e é influenciada pelas propriedades do material e pela geometria da junção semicondutora.
Área de junção da base do emissor - (Medido em Metro quadrado) - A área de junção da base do emissor é uma junção PN formada entre o material do tipo P fortemente dopado (emissor) e o material do tipo N levemente dopado (base) do transistor.
Cobrar - (Medido em Coulomb) - Carregue uma característica de uma unidade de matéria que expressa até que ponto ela possui mais ou menos elétrons do que prótons.
Concentração Intrínseca - (Medido em 1 por metro cúbico) - Concentração Intrínseca é o número de elétrons na banda de condução ou o número de lacunas na banda de valência no material intrínseco.
Corrente do coletor - (Medido em Ampere) - Corrente de coletor é a corrente que flui através do terminal coletor do transistor e é a corrente que está sendo amplificada pelo transistor.
Emissor de base de tensão - (Medido em Volt) - Tensão Base Emissor é a tensão entre a base e o emissor quando polarizado diretamente, com o coletor desconectado.
Tensão Térmica - (Medido em Volt) - Tensão Térmica são as tensões criadas pela junção de metais diferentes quando existe uma diferença de temperatura entre essas junções.

(Cálculo concluído em 00.004 segundos)