Impureza com Concentração Intrínseca Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo
Fórmula Usada
Concentração Intrínseca = sqrt((Concentração de Elétrons*Concentração de Buraco)/Impureza de temperatura)
ni = sqrt((ne*p)/to)
Esta fórmula usa 1 Funções, 4 Variáveis
Funções usadas
sqrt - Uma função de raiz quadrada é uma função que recebe um número não negativo como entrada e retorna a raiz quadrada do número de entrada fornecido., sqrt(Number)
Variáveis Usadas
Concentração Intrínseca - (Medido em 1 por metro cúbico) - Concentração Intrínseca é o número de elétrons na banda de condução ou o número de lacunas na banda de valência no material intrínseco.
Concentração de Elétrons - (Medido em 1 por metro cúbico) - A concentração de elétrons é influenciada por vários fatores, como temperatura, impurezas ou dopantes adicionados ao material semicondutor e campos elétricos ou magnéticos externos.
Concentração de Buraco - (Medido em 1 por metro cúbico) - A concentração de furos implica um maior número de portadores de carga disponíveis no material, afetando sua condutividade e diversos dispositivos semicondutores.
Impureza de temperatura - (Medido em Kelvin) - Impureza de temperatura é um índice básico que representa a temperatura média do ar em diferentes escalas de tempo.
ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base
Concentração de Elétrons: 50.6 1 por centímetro cúbico --> 50600000 1 por metro cúbico (Verifique a conversão ​aqui)
Concentração de Buraco: 0.69 1 por centímetro cúbico --> 690000 1 por metro cúbico (Verifique a conversão ​aqui)
Impureza de temperatura: 20 Kelvin --> 20 Kelvin Nenhuma conversão necessária
ETAPA 2: Avalie a Fórmula
Substituindo valores de entrada na fórmula
ni = sqrt((ne*p)/to) --> sqrt((50600000*690000)/20)
Avaliando ... ...
ni = 1321249.40870375
PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída
1321249.40870375 1 por metro cúbico -->1.32124940870375 1 por centímetro cúbico (Verifique a conversão ​aqui)
RESPOSTA FINAL
1.32124940870375 1.321249 1 por centímetro cúbico <-- Concentração Intrínseca
(Cálculo concluído em 00.020 segundos)

Créditos

Creator Image
Criado por Raul Gupta
Universidade de Chandigarh (UC), Mohali, Punjab
Raul Gupta criou esta calculadora e mais 25+ calculadoras!
Verifier Image
Verificado por Parminder Singh
Universidade de Chandigarh (CU), Punjab
Parminder Singh verificou esta calculadora e mais 500+ calculadoras!

Fabricação de CI bipolar Calculadoras

Condutividade do Tipo N
​ LaTeX ​ Vai Condutividade Ohmica = Cobrar*(Mobilidade de Silício com Dopagem Eletrônica*Concentração de equilíbrio do tipo N+Dopagem de furos Mobilidade de silício*(Concentração Intrínseca^2/Concentração de equilíbrio do tipo N))
Condutividade ôhmica da impureza
​ LaTeX ​ Vai Condutividade Ohmica = Cobrar*(Mobilidade de Silício com Dopagem Eletrônica*Concentração de Elétrons+Dopagem de furos Mobilidade de silício*Concentração de Buraco)
Impureza com Concentração Intrínseca
​ LaTeX ​ Vai Concentração Intrínseca = sqrt((Concentração de Elétrons*Concentração de Buraco)/Impureza de temperatura)
Tensão de ruptura do emissor coletor
​ LaTeX ​ Vai Tensão de ruptura do emissor do coletor = Tensão de ruptura da base do coletor/(Ganho atual do BJT)^(1/Número raiz)

Impureza com Concentração Intrínseca Fórmula

​LaTeX ​Vai
Concentração Intrínseca = sqrt((Concentração de Elétrons*Concentração de Buraco)/Impureza de temperatura)
ni = sqrt((ne*p)/to)
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