Largura do portão para o canal de origem do MOSFET Calculadora

✖A capacitância de sobreposição refere-se à capacitância que surge entre duas regiões condutoras próximas uma da outra, mas não conectadas diretamente.ⓘ Capacitância de sobreposição [C_oc]			+10% -10%
✖A capacitância de óxido é um parâmetro importante que afeta o desempenho dos dispositivos MOS, como a velocidade e o consumo de energia dos circuitos integrados.ⓘ Capacitância de Óxido [C_ox]			+10% -10%
✖O comprimento de sobreposição é a distância média que as portadoras em excesso podem percorrer antes de se recombinarem.ⓘ Comprimento da sobreposição [L_ov]			+10% -10%

✖A largura do canal refere-se à faixa de frequências usada para transmitir dados através de um canal de comunicação sem fio. Também é conhecido como largura de banda e é medido em hertz (Hz).ⓘ Largura do portão para o canal de origem do MOSFET [W_c]

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Largura do portão para o canal de origem do MOSFET Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Largura de banda = Capacitância de sobreposição/(Capacitância de Óxido*Comprimento da sobreposição)
W_c = C_oc/(C_ox*L_ov)
Esta fórmula usa 4 Variáveis

Variáveis Usadas

Largura de banda - (Medido em Metro) - A largura do canal refere-se à faixa de frequências usada para transmitir dados através de um canal de comunicação sem fio. Também é conhecido como largura de banda e é medido em hertz (Hz).
Capacitância de sobreposição - (Medido em Farad) - A capacitância de sobreposição refere-se à capacitância que surge entre duas regiões condutoras próximas uma da outra, mas não conectadas diretamente.
Capacitância de Óxido - (Medido em Farad) - A capacitância de óxido é um parâmetro importante que afeta o desempenho dos dispositivos MOS, como a velocidade e o consumo de energia dos circuitos integrados.
Comprimento da sobreposição - (Medido em Metro) - O comprimento de sobreposição é a distância média que as portadoras em excesso podem percorrer antes de se recombinarem.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Capacitância de sobreposição: 3.8E-07 Microfarad --> 3.8E-13 Farad (Verifique a conversão aqui)
Capacitância de Óxido: 940 Microfarad --> 0.00094 Farad (Verifique a conversão aqui)
Comprimento da sobreposição: 40.6 Micrômetro --> 4.06E-05 Metro (Verifique a conversão aqui)

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

W_c = C_oc/(C_ox*L_ov) --> 3.8E-13/(0.00094*4.06E-05)

Avaliando ... ...

W_c = 9.95702756524473E-06

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

9.95702756524473E-06 Metro -->9.95702756524473 Micrômetro (Verifique a conversão aqui)

RESPOSTA FINAL

9.95702756524473 ≈ 9.957028 Micrômetro <-- Largura de banda

(Cálculo concluído em 00.020 segundos)

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Créditos

Criado por Payal Priya

Birsa Institute of Technology (MORDEU), Sindri

Payal Priya criou esta calculadora e mais 600+ calculadoras!

Verificado por Anshika Arya

Instituto Nacional de Tecnologia (NIT), Hamirpur

Anshika Arya verificou esta calculadora e mais 2500+ calculadoras!

< Efeitos capacitivos internos e modelo de alta frequência Calculadoras

Frequência de Transição do MOSFET

LaTeX Vai Frequência de transição = Transcondutância/(2*pi*(Capacitância da porta de origem+Capacitância Gate-Dreno))

Largura do portão para o canal de origem do MOSFET

LaTeX Vai Largura de banda = Capacitância de sobreposição/(Capacitância de Óxido*Comprimento da sobreposição)

Capacitância de sobreposição do MOSFET

LaTeX Vai Capacitância de sobreposição = Largura de banda*Capacitância de Óxido*Comprimento da sobreposição

Capacitância Total entre Gate e Canal de MOSFETs

LaTeX Vai Capacitância do canal de porta = Capacitância de Óxido*Largura de banda*Comprimento do canal

Ver mais >>

< Características MOSFET Calculadoras

Ganho de tensão dado a resistência de carga do MOSFET

LaTeX Vai Ganho de tensão = Transcondutância*(1/(1/Resistência de carga+1/Resistência de saída))/(1+Transcondutância*Resistência da fonte)

Ganho de tensão máximo no ponto de polarização

LaTeX Vai Ganho Máximo de Tensão = 2*(Tensão de alimentação-Tensão Efetiva)/(Tensão Efetiva)

Ganho de tensão dada tensão de dreno

LaTeX Vai Ganho de tensão = (Corrente de drenagem*Resistência de carga*2)/Tensão Efetiva

Ganho máximo de tensão considerando todas as tensões

LaTeX Vai Ganho Máximo de Tensão = (Tensão de alimentação-0.3)/Tensão Térmica

Ver mais >>

Largura do portão para o canal de origem do MOSFET Fórmula

LaTeX Vai

Largura de banda = Capacitância de sobreposição/(Capacitância de Óxido*Comprimento da sobreposição)
W_c = C_oc/(C_ox*L_ov)

O que é MOSFET e como funciona?

Em geral, o MOSFET funciona como uma chave, o MOSFET controla a tensão e o fluxo de corrente entre a fonte e o dreno. O funcionamento do MOSFET depende do capacitor MOS, que é a superfície do semicondutor abaixo das camadas de óxido entre a fonte e o terminal de drenagem.

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