Capacitância da fonte da porta dada a capacitância de sobreposição Calculadora

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✖A largura do transistor refere-se à largura da região do canal em um MOSFET. Esta dimensão desempenha um papel crucial na determinação das características elétricas e do desempenho do transistor.ⓘ Largura do transistor [W_t]			+10% -10%
✖O comprimento do transistor refere-se ao comprimento da região do canal em um MOSFET. Esta dimensão desempenha um papel crucial na determinação das características elétricas e do desempenho do transistor.ⓘ Comprimento do transistor [L_t]			+10% -10%
✖Capacitância de óxido refere-se à capacitância associada à camada isolante de óxido em uma estrutura de metal-óxido-semicondutor (MOS), como em MOSFETs.ⓘ Capacitância de Óxido [C_ox]			+10% -10%
✖A capacitância de sobreposição é uma capacitância parasita que surge devido à sobreposição física entre a porta e as regiões de fonte/dreno.ⓘ Capacitância de sobreposição [C_ov]			+10% -10%

✖A capacitância da fonte da porta refere-se à capacitância entre os terminais da porta e da fonte de um transistor de efeito de campo (FET).ⓘ Capacitância da fonte da porta dada a capacitância de sobreposição [C_gs]

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Fórmula

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Capacitância da fonte da porta dada a capacitância de sobreposição

Fórmula

C gs = (\frac{2}{3} \cdot W t \cdot L t \cdot C ox) + (W t \cdot C ov)

Exemplo

13.75005 μF = (\frac{2}{3} \cdot 5.5 μm \cdot 3.2 μm \cdot 3.9 F) + (5.5 μm \cdot 2.5 F)

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Capacitância da fonte da porta dada a capacitância de sobreposição Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Capacitância da Fonte da Porta = (2/3*Largura do transistor*Comprimento do transistor*Capacitância de Óxido)+(Largura do transistor*Capacitância de sobreposição)
C_gs = (2/3*W_t*L_t*C_ox)+(W_t*C_ov)
Esta fórmula usa 5 Variáveis

Variáveis Usadas

Capacitância da Fonte da Porta - (Medido em Farad) - A capacitância da fonte da porta refere-se à capacitância entre os terminais da porta e da fonte de um transistor de efeito de campo (FET).
Largura do transistor - (Medido em Metro) - A largura do transistor refere-se à largura da região do canal em um MOSFET. Esta dimensão desempenha um papel crucial na determinação das características elétricas e do desempenho do transistor.
Comprimento do transistor - (Medido em Metro) - O comprimento do transistor refere-se ao comprimento da região do canal em um MOSFET. Esta dimensão desempenha um papel crucial na determinação das características elétricas e do desempenho do transistor.
Capacitância de Óxido - (Medido em Farad) - Capacitância de óxido refere-se à capacitância associada à camada isolante de óxido em uma estrutura de metal-óxido-semicondutor (MOS), como em MOSFETs.
Capacitância de sobreposição - (Medido em Farad) - A capacitância de sobreposição é uma capacitância parasita que surge devido à sobreposição física entre a porta e as regiões de fonte/dreno.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Largura do transistor: 5.5 Micrômetro --> 5.5E-06 Metro (Verifique a conversão aqui)
Comprimento do transistor: 3.2 Micrômetro --> 3.2E-06 Metro (Verifique a conversão aqui)
Capacitância de Óxido: 3.9 Farad --> 3.9 Farad Nenhuma conversão necessária
Capacitância de sobreposição: 2.5 Farad --> 2.5 Farad Nenhuma conversão necessária

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

C_gs = (2/3*W_t*L_t*C_ox)+(W_t*C_ov) --> (2/3*5.5E-06*3.2E-06*3.9)+(5.5E-06*2.5)

Avaliando ... ...

C_gs = 1.375004576E-05

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

1.375004576E-05 Farad -->13.75004576 Microfarad (Verifique a conversão aqui)

RESPOSTA FINAL

13.75004576 ≈ 13.75005 Microfarad <-- Capacitância da Fonte da Porta

(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

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Créditos

Criado por banuprakash

Faculdade de Engenharia Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore

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Verificado por Santosh Yadav

Faculdade de Engenharia Dayananda Sagar (DSCE), Banglore

Santosh Yadav verificou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!

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Condutividade do Tipo N

Vai Condutividade Ohmica = Cobrar*(Mobilidade de Silício com Dopagem Eletrônica*Concentração de equilíbrio do tipo N+Dopagem de furos Mobilidade de silício*(Concentração Intrínseca^2/Concentração de equilíbrio do tipo N))

Condutividade ôhmica da impureza

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Tensão de ruptura do emissor coletor

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