Capacitância de Óxido de Porta Calculadora

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Otimização de materiais VLSI Projeto VLSI analógico

✖Capacitância de porta é a capacitância do terminal de porta de um transistor de efeito de campo.ⓘ Capacitância do portão [C_g]			+10% -10%
✖Largura da porta refere-se à distância entre a borda de um eletrodo de porta metálica e o material semicondutor adjacente em um CMOS.ⓘ Largura do portão [W_g]			+10% -10%
✖Comprimento do portão é a medida ou extensão de algo de ponta a ponta.ⓘ Comprimento do portão [L_g]			+10% -10%

✖A capacitância da camada de óxido de porta é definida como a capacitância do terminal de porta de um transistor de efeito de campo.ⓘ Capacitância de Óxido de Porta [C_ox]

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Capacitância de Óxido de Porta Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Capacitância da camada de óxido de porta = Capacitância do portão/(Largura do portão*Comprimento do portão)
C_ox = C_g/(W_g*L_g)
Esta fórmula usa 4 Variáveis

Variáveis Usadas

Capacitância da camada de óxido de porta - (Medido em Farad por metro quadrado) - A capacitância da camada de óxido de porta é definida como a capacitância do terminal de porta de um transistor de efeito de campo.
Capacitância do portão - (Medido em Farad) - Capacitância de porta é a capacitância do terminal de porta de um transistor de efeito de campo.
Largura do portão - (Medido em Metro) - Largura da porta refere-se à distância entre a borda de um eletrodo de porta metálica e o material semicondutor adjacente em um CMOS.
Comprimento do portão - (Medido em Metro) - Comprimento do portão é a medida ou extensão de algo de ponta a ponta.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Capacitância do portão: 59.61 Microfarad --> 5.961E-05 Farad (Verifique a conversão aqui)
Largura do portão: 0.285 Milímetro --> 0.000285 Metro (Verifique a conversão aqui)
Comprimento do portão: 7.01 Milímetro --> 0.00701 Metro (Verifique a conversão aqui)

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

C_ox = C_g/(W_g*L_g) --> 5.961E-05/(0.000285*0.00701)

Avaliando ... ...

C_ox = 29.8370748554696

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

29.8370748554696 Farad por metro quadrado -->29.8370748554696 Microfarad por Milímetro Quadrado (Verifique a conversão aqui)

RESPOSTA FINAL

29.8370748554696 ≈ 29.83707 Microfarad por Milímetro Quadrado <-- Capacitância da camada de óxido de porta

(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

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Créditos

Criado por Shobhit Dimri

Instituto de Tecnologia Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri criou esta calculadora e mais 900+ calculadoras!

Verificado por Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod verificou esta calculadora e mais 1900+ calculadoras!

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Coeficiente de Efeito Corporal

LaTeX Vai Coeficiente de Efeito Corporal = modulus((Tensão de limiar-Tensão Limite DIBL)/(sqrt(Potencial de Superfície+(Diferença potencial do corpo de origem))-sqrt(Potencial de Superfície)))

Coeficiente DIBL

LaTeX Vai Coeficiente DIBL = (Tensão Limite DIBL-Tensão de limiar)/Drenar para Potencial de Fonte

Carga do canal

LaTeX Vai Taxa de canal = Capacitância do portão*(Tensão do portão para o canal-Tensão de limiar)

Tensão Crítica

LaTeX Vai Tensão Crítica = Campo Elétrico Crítico*Campo elétrico ao longo do comprimento do canal

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Capacitância de Óxido de Porta Fórmula

LaTeX Vai

Capacitância da camada de óxido de porta = Capacitância do portão/(Largura do portão*Comprimento do portão)
C_ox = C_g/(W_g*L_g)

Quais são as regiões de operação nos transistores MOS?

Os transistores MOS têm três regiões de operação. Eles são região de corte ou sublimiar, região linear e região de saturação.

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