Comprimento do portão usando capacitância de óxido de portão Calculadora

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Otimização de materiais VLSI Projeto VLSI analógico

✖Capacitância de porta é a capacitância do terminal de porta de um transistor de efeito de campo.ⓘ Capacitância do portão [C_g]			+10% -10%
✖A capacitância da camada de óxido de porta é definida como a capacitância do terminal de porta de um transistor de efeito de campo.ⓘ Capacitância da camada de óxido de porta [C_ox]			+10% -10%
✖Largura da porta refere-se à distância entre a borda de um eletrodo de porta metálica e o material semicondutor adjacente em um CMOS.ⓘ Largura do portão [W_g]			+10% -10%

✖Comprimento do portão é a medida ou extensão de algo de ponta a ponta.ⓘ Comprimento do portão usando capacitância de óxido de portão [L_g]

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Comprimento do portão usando capacitância de óxido de portão Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Comprimento do portão = Capacitância do portão/(Capacitância da camada de óxido de porta*Largura do portão)
L_g = C_g/(C_ox*W_g)
Esta fórmula usa 4 Variáveis

Variáveis Usadas

Comprimento do portão - (Medido em Metro) - Comprimento do portão é a medida ou extensão de algo de ponta a ponta.
Capacitância do portão - (Medido em Farad) - Capacitância de porta é a capacitância do terminal de porta de um transistor de efeito de campo.
Capacitância da camada de óxido de porta - (Medido em Farad por metro quadrado) - A capacitância da camada de óxido de porta é definida como a capacitância do terminal de porta de um transistor de efeito de campo.
Largura do portão - (Medido em Metro) - Largura da porta refere-se à distância entre a borda de um eletrodo de porta metálica e o material semicondutor adjacente em um CMOS.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Capacitância do portão: 59.61 Microfarad --> 5.961E-05 Farad (Verifique a conversão aqui)
Capacitância da camada de óxido de porta: 29.83 Microfarad por Milímetro Quadrado --> 29.83 Farad por metro quadrado (Verifique a conversão aqui)
Largura do portão: 0.285 Milímetro --> 0.000285 Metro (Verifique a conversão aqui)

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

L_g = C_g/(C_ox*W_g) --> 5.961E-05/(29.83*0.000285)

Avaliando ... ...

L_g = 0.00701166257917674

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

0.00701166257917674 Metro -->7.01166257917674 Milímetro (Verifique a conversão aqui)

RESPOSTA FINAL

7.01166257917674 ≈ 7.011663 Milímetro <-- Comprimento do portão

(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

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Créditos

Criado por Shobhit Dimri

Instituto de Tecnologia Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri criou esta calculadora e mais 900+ calculadoras!

Verificado por Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod verificou esta calculadora e mais 1900+ calculadoras!

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Coeficiente de Efeito Corporal

LaTeX Vai Coeficiente de Efeito Corporal = modulus((Tensão de limiar-Tensão Limite DIBL)/(sqrt(Potencial de Superfície+(Diferença potencial do corpo de origem))-sqrt(Potencial de Superfície)))

Coeficiente DIBL

LaTeX Vai Coeficiente DIBL = (Tensão Limite DIBL-Tensão de limiar)/Drenar para Potencial de Fonte

Carga do canal

LaTeX Vai Taxa de canal = Capacitância do portão*(Tensão do portão para o canal-Tensão de limiar)

Tensão Crítica

LaTeX Vai Tensão Crítica = Campo Elétrico Crítico*Campo elétrico ao longo do comprimento do canal

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Comprimento do portão usando capacitância de óxido de portão Fórmula

LaTeX Vai

Comprimento do portão = Capacitância do portão/(Capacitância da camada de óxido de porta*Largura do portão)
L_g = C_g/(C_ox*W_g)

Quais são as aplicações da camada de óxido em VLSI?

A camada de óxido tem aplicações importantes em dispositivos semicondutores. Serve como isolante de porta em transistores MOS, permitindo o controle do fluxo de elétrons. Além disso, atua como uma camada de isolamento elétrico entre diferentes componentes e interconexões, garantindo operação confiável e eficiente de circuitos integrados em aplicações como microprocessadores, dispositivos de memória e sensores.

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