Capacitância da porta Calculadora

Engenharia Financeiro Física Matemática Mais >>

↳

Eletrônicos Ciência de materiais Civil Elétrico Mais >>

⤿

Fabricação VLSI Amplificadores Antena e propagação de ondas Circuitos Integrados (CI)Mais >>

⤿

Otimização de materiais VLSI Projeto VLSI analógico

✖A carga do canal é definida como a força experimentada por uma matéria, quando colocada em um campo eletromagnético.ⓘ Taxa de canal [Q_ch]			+10% -10%
✖A tensão de porta para canal é definida como a resistência no estado ligado da fonte de drenagem é maior que o valor nominal quando a tensão de porta está próxima da tensão limite.ⓘ Tensão do portão para o canal [V_gc]			+10% -10%
✖A tensão limite do transistor é a porta mínima para a tensão da fonte necessária para criar um caminho condutor entre os terminais da fonte e do dreno.ⓘ Tensão de limiar [V_t]			+10% -10%

✖Capacitância de porta é a capacitância do terminal de porta de um transistor de efeito de campo.ⓘ Capacitância da porta [C_g]

⎘ Cópia De

👎

Fórmula

LaTeX

Redefinir

👍

Download Eletrônicos Fórmula PDF PDF Image

Capacitância da porta Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Capacitância do portão = Taxa de canal/(Tensão do portão para o canal-Tensão de limiar)
C_g = Q_ch/(V_gc-V_t)
Esta fórmula usa 4 Variáveis

Variáveis Usadas

Capacitância do portão - (Medido em Farad) - Capacitância de porta é a capacitância do terminal de porta de um transistor de efeito de campo.
Taxa de canal - (Medido em Coulomb) - A carga do canal é definida como a força experimentada por uma matéria, quando colocada em um campo eletromagnético.
Tensão do portão para o canal - (Medido em Volt) - A tensão de porta para canal é definida como a resistência no estado ligado da fonte de drenagem é maior que o valor nominal quando a tensão de porta está próxima da tensão limite.
Tensão de limiar - (Medido em Volt) - A tensão limite do transistor é a porta mínima para a tensão da fonte necessária para criar um caminho condutor entre os terminais da fonte e do dreno.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Taxa de canal: 0.4 Milicoulomb --> 0.0004 Coulomb (Verifique a conversão aqui)
Tensão do portão para o canal: 7.011 Volt --> 7.011 Volt Nenhuma conversão necessária
Tensão de limiar: 0.3 Volt --> 0.3 Volt Nenhuma conversão necessária

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

C_g = Q_ch/(V_gc-V_t) --> 0.0004/(7.011-0.3)

Avaliando ... ...

C_g = 5.96036358217851E-05

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

5.96036358217851E-05 Farad -->59.6036358217851 Microfarad (Verifique a conversão aqui)

RESPOSTA FINAL

59.6036358217851 ≈ 59.60364 Microfarad <-- Capacitância do portão

(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

Você está aqui -

Casa » Engenharia » Eletrônicos » Fabricação VLSI » Otimização de materiais VLSI » Capacitância da porta

Créditos

Criado por Shobhit Dimri

Instituto de Tecnologia Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri criou esta calculadora e mais 900+ calculadoras!

Verificado por Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod verificou esta calculadora e mais 1900+ calculadoras!

< Otimização de materiais VLSI Calculadoras

Coeficiente de Efeito Corporal

LaTeX Vai Coeficiente de Efeito Corporal = modulus((Tensão de limiar-Tensão Limite DIBL)/(sqrt(Potencial de Superfície+(Diferença potencial do corpo de origem))-sqrt(Potencial de Superfície)))

Coeficiente DIBL

LaTeX Vai Coeficiente DIBL = (Tensão Limite DIBL-Tensão de limiar)/Drenar para Potencial de Fonte

Carga do canal

LaTeX Vai Taxa de canal = Capacitância do portão*(Tensão do portão para o canal-Tensão de limiar)

Tensão Crítica

LaTeX Vai Tensão Crítica = Campo Elétrico Crítico*Campo elétrico ao longo do comprimento do canal

Ver mais >>

Capacitância da porta Fórmula

LaTeX Vai

Capacitância do portão = Taxa de canal/(Tensão do portão para o canal-Tensão de limiar)
C_g = Q_ch/(V_gc-V_t)

Quais são as aplicações de cálculo da capacitância da porta no VLSI?

O cálculo da capacitância da porta (VLSI) é crucial para otimizar o consumo de energia e a integridade do sinal. Ajuda no projeto de circuitos CMOS eficientes, determinando atrasos e minimizando a potência de comutação. Esse conhecimento é vital para obter circuitos integrados de alto desempenho e baixo consumo de energia em aplicações como smartphones, dispositivos IoT e microprocessadores.

Casa

LIVRE PDFs

🔍 Procurar

Categorias

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!