Potencial de Fermi para tipo P Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo
Fórmula Usada
Potencial de Fermi para tipo P = ([BoltZ]*Temperatura absoluta)/[Charge-e]*ln(Concentração Intrínseca de Portadores/Concentração de Dopagem do Aceitante)
ΦFp = ([BoltZ]*Ta)/[Charge-e]*ln(ni/NA)
Esta fórmula usa 2 Constantes, 1 Funções, 4 Variáveis
Constantes Usadas
[Charge-e] - Carga do elétron Valor considerado como 1.60217662E-19
[BoltZ] - Constante de Boltzmann Valor considerado como 1.38064852E-23
Funções usadas
ln - O logaritmo natural, também conhecido como logaritmo de base e, é a função inversa da função exponencial natural., ln(Number)
Variáveis Usadas
Potencial de Fermi para tipo P - (Medido em Volt) - Potencial de Fermi para o tipo P é o nível de energia que representa os elétrons de maior energia na banda de valência em equilíbrio térmico.
Temperatura absoluta - (Medido em Kelvin) - A temperatura absoluta é uma medida da energia térmica em um sistema e é medida em Kelvins.
Concentração Intrínseca de Portadores - (Medido em Elétrons por metro cúbico) - A concentração intrínseca de portadores é uma propriedade fundamental de um material semicondutor e representa a concentração de portadores de carga gerados termicamente na ausência de quaisquer influências externas.
Concentração de Dopagem do Aceitante - (Medido em Elétrons por metro cúbico) - A concentração de dopagem do aceitador refere-se à concentração de átomos aceitadores adicionados intencionalmente a um material semicondutor.
ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base
Temperatura absoluta: 24.5 Kelvin --> 24.5 Kelvin Nenhuma conversão necessária
Concentração Intrínseca de Portadores: 3000000 Elétrons por metro cúbico --> 3000000 Elétrons por metro cúbico Nenhuma conversão necessária
Concentração de Dopagem do Aceitante: 1.32 Elétrons por Centímetro Cúbico --> 1320000 Elétrons por metro cúbico (Verifique a conversão ​aqui)
ETAPA 2: Avalie a Fórmula
Substituindo valores de entrada na fórmula
ΦFp = ([BoltZ]*Ta)/[Charge-e]*ln(ni/NA) --> ([BoltZ]*24.5)/[Charge-e]*ln(3000000/1320000)
Avaliando ... ...
ΦFp = 0.00173329185218156
PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída
0.00173329185218156 Volt --> Nenhuma conversão necessária
RESPOSTA FINAL
0.00173329185218156 0.001733 Volt <-- Potencial de Fermi para tipo P
(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

Créditos

Creator Image
Criado por banuprakash
Faculdade de Engenharia Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore
banuprakash criou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!
Verifier Image
Verificado por Dipanjona Mallick
Instituto Patrimonial de Tecnologia (HITK), Calcutá
Dipanjona Mallick verificou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!

Transistor MOS Calculadoras

Fator de equivalência de tensão na parede lateral
​ Vai Fator de equivalência de tensão na parede lateral = -(2*sqrt(Potencial integrado de junções de paredes laterais)/(Tensão Final-Tensão Inicial)*(sqrt(Potencial integrado de junções de paredes laterais-Tensão Final)-sqrt(Potencial integrado de junções de paredes laterais-Tensão Inicial)))
Potencial de Fermi para tipo P
​ Vai Potencial de Fermi para tipo P = ([BoltZ]*Temperatura absoluta)/[Charge-e]*ln(Concentração Intrínseca de Portadores/Concentração de Dopagem do Aceitante)
Capacitância equivalente de junção de sinal grande
​ Vai Capacitância equivalente de junção de sinal grande = Perímetro da parede lateral*Capacitância de Junção Lateral*Fator de equivalência de tensão na parede lateral
Capacitância da junção da parede lateral com polarização zero por unidade de comprimento
​ Vai Capacitância de Junção Lateral = Potencial de junção da parede lateral com polarização zero*Profundidade da parede lateral

Potencial de Fermi para tipo P Fórmula

Potencial de Fermi para tipo P = ([BoltZ]*Temperatura absoluta)/[Charge-e]*ln(Concentração Intrínseca de Portadores/Concentração de Dopagem do Aceitante)
ΦFp = ([BoltZ]*Ta)/[Charge-e]*ln(ni/NA)
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