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A temperatura absoluta é uma medida da energia térmica em um sistema e é medida em Kelvins.
ⓘ
Temperatura absoluta [T
a
]
Celsius
Fahrenheit
Kelvin
Rankine
+10%
-10%
✖
A concentração intrínseca de portadores é uma propriedade fundamental de um material semicondutor e representa a concentração de portadores de carga gerados termicamente na ausência de quaisquer influências externas.
ⓘ
Concentração Intrínseca de Portadores [n
i
]
Elétrons por Centímetro Cúbico
Elétrons por metro cúbico
+10%
-10%
✖
A concentração de dopagem do aceitador refere-se à concentração de átomos aceitadores adicionados intencionalmente a um material semicondutor.
ⓘ
Concentração de Dopagem do Aceitante [N
A
]
Elétrons por Centímetro Cúbico
Elétrons por metro cúbico
+10%
-10%
✖
Potencial de Fermi para o tipo P é o nível de energia que representa os elétrons de maior energia na banda de valência em equilíbrio térmico.
ⓘ
Potencial de Fermi para tipo P [Φ
Fp
]
Quilovolt
Megavolt
Microvolt
Milivolt
Nanovalt
Planck Voltage
Volt
⎘ Cópia De
Degraus
👎
Fórmula
✖
Potencial de Fermi para tipo P
Fórmula
Φ
Fp
=
[BoltZ]
⋅
T
a
[Charge-e]
⋅
ln
(
n
i
N
A
)
Exemplo
0.001733 V
=
[BoltZ]
⋅
24.5 K
[Charge-e]
⋅
ln
(
3000000 electrons/m³
1.32 electrons/cm³
)
Calculadora
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Potencial de Fermi para tipo P Solução
ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo
Fórmula Usada
Potencial de Fermi para tipo P
= (
[BoltZ]
*
Temperatura absoluta
)/
[Charge-e]
*
ln
(
Concentração Intrínseca de Portadores
/
Concentração de Dopagem do Aceitante
)
Φ
Fp
= (
[BoltZ]
*
T
a
)/
[Charge-e]
*
ln
(
n
i
/
N
A
)
Esta fórmula usa
2
Constantes
,
1
Funções
,
4
Variáveis
Constantes Usadas
[Charge-e]
- Carga do elétron Valor considerado como 1.60217662E-19
[BoltZ]
- Constante de Boltzmann Valor considerado como 1.38064852E-23
Funções usadas
ln
- O logaritmo natural, também conhecido como logaritmo de base e, é a função inversa da função exponencial natural., ln(Number)
Variáveis Usadas
Potencial de Fermi para tipo P
-
(Medido em Volt)
- Potencial de Fermi para o tipo P é o nível de energia que representa os elétrons de maior energia na banda de valência em equilíbrio térmico.
Temperatura absoluta
-
(Medido em Kelvin)
- A temperatura absoluta é uma medida da energia térmica em um sistema e é medida em Kelvins.
Concentração Intrínseca de Portadores
-
(Medido em Elétrons por metro cúbico)
- A concentração intrínseca de portadores é uma propriedade fundamental de um material semicondutor e representa a concentração de portadores de carga gerados termicamente na ausência de quaisquer influências externas.
Concentração de Dopagem do Aceitante
-
(Medido em Elétrons por metro cúbico)
- A concentração de dopagem do aceitador refere-se à concentração de átomos aceitadores adicionados intencionalmente a um material semicondutor.
ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base
Temperatura absoluta:
24.5 Kelvin --> 24.5 Kelvin Nenhuma conversão necessária
Concentração Intrínseca de Portadores:
3000000 Elétrons por metro cúbico --> 3000000 Elétrons por metro cúbico Nenhuma conversão necessária
Concentração de Dopagem do Aceitante:
1.32 Elétrons por Centímetro Cúbico --> 1320000 Elétrons por metro cúbico
(Verifique a conversão
aqui
)
ETAPA 2: Avalie a Fórmula
Substituindo valores de entrada na fórmula
Φ
Fp
= ([BoltZ]*T
a
)/[Charge-e]*ln(n
i
/N
A
) -->
(
[BoltZ]
*24.5)/
[Charge-e]
*
ln
(3000000/1320000)
Avaliando ... ...
Φ
Fp
= 0.00173329185218156
PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída
0.00173329185218156 Volt --> Nenhuma conversão necessária
RESPOSTA FINAL
0.00173329185218156
≈
0.001733 Volt
<--
Potencial de Fermi para tipo P
(Cálculo concluído em 00.004 segundos)
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Potencial de Fermi para tipo P
Créditos
Criado por
banuprakash
Faculdade de Engenharia Dayananda Sagar
(DSCE)
,
Bangalore
banuprakash criou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!
Verificado por
Dipanjona Mallick
Instituto Patrimonial de Tecnologia
(HITK)
,
Calcutá
Dipanjona Mallick verificou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!
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Transistor MOS Calculadoras
Fator de equivalência de tensão na parede lateral
Vai
Fator de equivalência de tensão na parede lateral
= -(2*
sqrt
(
Potencial integrado de junções de paredes laterais
)/(
Tensão Final
-
Tensão Inicial
)*(
sqrt
(
Potencial integrado de junções de paredes laterais
-
Tensão Final
)-
sqrt
(
Potencial integrado de junções de paredes laterais
-
Tensão Inicial
)))
Potencial de Fermi para tipo P
Vai
Potencial de Fermi para tipo P
= (
[BoltZ]
*
Temperatura absoluta
)/
[Charge-e]
*
ln
(
Concentração Intrínseca de Portadores
/
Concentração de Dopagem do Aceitante
)
Capacitância equivalente de junção de sinal grande
Vai
Capacitância equivalente de junção de sinal grande
=
Perímetro da parede lateral
*
Capacitância de Junção Lateral
*
Fator de equivalência de tensão na parede lateral
Capacitância da junção da parede lateral com polarização zero por unidade de comprimento
Vai
Capacitância de Junção Lateral
=
Potencial de junção da parede lateral com polarização zero
*
Profundidade da parede lateral
Ver mais >>
Potencial de Fermi para tipo P Fórmula
Potencial de Fermi para tipo P
= (
[BoltZ]
*
Temperatura absoluta
)/
[Charge-e]
*
ln
(
Concentração Intrínseca de Portadores
/
Concentração de Dopagem do Aceitante
)
Φ
Fp
= (
[BoltZ]
*
T
a
)/
[Charge-e]
*
ln
(
n
i
/
N
A
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