Nível Fermi de Semicondutores Intrínsecos Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo
Fórmula Usada
Fermi Nível Intrínseco Semicondutor = (Energia da Banda de Condução+Energia da banda de valência)/2
EFi = (Ec+Ev)/2
Esta fórmula usa 3 Variáveis
Variáveis Usadas
Fermi Nível Intrínseco Semicondutor - (Medido em Joule) - Fermi Level Intrinsic Semiconductor refere-se ao nível de energia dentro do intervalo de banda do material que tem um significado especial no contexto do comportamento eletrônico.
Energia da Banda de Condução - (Medido em Joule) - A energia da banda de condução é a banda de energia em um material onde os elétrons são livres para se mover e participar da condução elétrica.
Energia da banda de valência - (Medido em Joule) - Valance Band Energy é uma das bandas de energia que os elétrons podem ocupar dentro da estrutura eletrônica de um material.
ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base
Energia da Banda de Condução: 0.56 Electron-Volt --> 8.97219304800004E-20 Joule (Verifique a conversão ​aqui)
Energia da banda de valência: 4.7 Electron-Volt --> 7.53023345100003E-19 Joule (Verifique a conversão ​aqui)
ETAPA 2: Avalie a Fórmula
Substituindo valores de entrada na fórmula
EFi = (Ec+Ev)/2 --> (8.97219304800004E-20+7.53023345100003E-19)/2
Avaliando ... ...
EFi = 4.21372637790002E-19
PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída
4.21372637790002E-19 Joule -->2.63 Electron-Volt (Verifique a conversão ​aqui)
RESPOSTA FINAL
2.63 Electron-Volt <-- Fermi Nível Intrínseco Semicondutor
(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

Créditos

Creator Image
Criado por Equipe Softusvista
Escritório Softusvista (Pune), Índia
Equipe Softusvista criou esta calculadora e mais 600+ calculadoras!
Verifier Image
Verificado por Himanshi Sharma
Instituto de Tecnologia Bhilai (MORDEU), Raipur
Himanshi Sharma verificou esta calculadora e mais 800+ calculadoras!

Características do semicondutor Calculadoras

Condutividade em semicondutores
​ LaTeX ​ Vai Condutividade = (Densidade eletrônica*[Charge-e]*Mobilidade do Elétron)+(Densidade dos furos*[Charge-e]*Mobilidade de Buracos)
Comprimento de difusão de elétrons
​ LaTeX ​ Vai Comprimento da difusão de elétrons = sqrt(Constante de difusão de elétrons*Vida útil do portador minoritário)
Nível Fermi de Semicondutores Intrínsecos
​ LaTeX ​ Vai Fermi Nível Intrínseco Semicondutor = (Energia da Banda de Condução+Energia da banda de valência)/2
Mobilidade de Portadores de Carga
​ LaTeX ​ Vai Mobilidade de Portadores de Carga = Velocidade de deriva/Intensidade do campo elétrico

Nível Fermi de Semicondutores Intrínsecos Fórmula

​LaTeX ​Vai
Fermi Nível Intrínseco Semicondutor = (Energia da Banda de Condução+Energia da banda de valência)/2
EFi = (Ec+Ev)/2

Como a temperatura afeta o band gap?

A energia band-gap dos semicondutores tende a diminuir com o aumento da temperatura. Quando a temperatura aumenta, a amplitude das vibrações atômicas aumenta, levando a um maior espaçamento interatômico.

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