Excesso de concentração de portador Calculadora

Engenharia Financeiro Física Matemática Mais >>

↳

Eletrônicos Ciência de materiais Civil Elétrico Mais >>

⤿

Dispositivos de estado sólido Amplificadores Antena e propagação de ondas Circuitos Integrados (CI)Mais >>

⤿

Faixa de energia e portador de carga Elétrons e Buracos Junção SSD Portadores de semicondutores

✖Geração Óptica Classifique o número de elétrons gerados em cada ponto do dispositivo devido à absorção de fótons.ⓘ Taxa de geração óptica [g_op]			+10% -10%
✖Recombination Lifetime o tempo médio que um portador minoritário em excesso leva para se recombinar.ⓘ Tempo de vida de recombinação [τ_n]			+10% -10%

✖O excesso de concentração de portadores é o excesso de elétrons presentes na concentração de portadores.ⓘ Excesso de concentração de portador [δ_n]

⎘ Cópia De

👎

Fórmula

LaTeX

Redefinir

👍

Download Faixa de energia e portador de carga Fórmulas PDF PDF Image

Excesso de concentração de portador Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Concentração de Transportador em Excesso = Taxa de geração óptica*Tempo de vida de recombinação
δ_n = g_op*τ_n
Esta fórmula usa 3 Variáveis

Variáveis Usadas

Concentração de Transportador em Excesso - (Medido em 1 por metro cúbico) - O excesso de concentração de portadores é o excesso de elétrons presentes na concentração de portadores.
Taxa de geração óptica - Geração Óptica Classifique o número de elétrons gerados em cada ponto do dispositivo devido à absorção de fótons.
Tempo de vida de recombinação - (Medido em Segundo) - Recombination Lifetime o tempo médio que um portador minoritário em excesso leva para se recombinar.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Taxa de geração óptica: 2.9E+19 --> Nenhuma conversão necessária
Tempo de vida de recombinação: 3.62E-06 Segundo --> 3.62E-06 Segundo Nenhuma conversão necessária

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

δ_n = g_op*τ_n --> 2.9E+19*3.62E-06

Avaliando ... ...

δ_n = 104980000000000

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

104980000000000 1 por metro cúbico --> Nenhuma conversão necessária

RESPOSTA FINAL

104980000000000 ≈ 1E+14 1 por metro cúbico <-- Concentração de Transportador em Excesso

(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

Você está aqui -

Casa » Engenharia » Eletrônicos » Dispositivos de estado sólido » Faixa de energia e portador de carga » Excesso de concentração de portador

Créditos

Criado por Shobhit Dimri

Instituto de Tecnologia Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri criou esta calculadora e mais 900+ calculadoras!

Verificado por Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod verificou esta calculadora e mais 1900+ calculadoras!

< Faixa de energia e portador de carga Calculadoras

Concentração de elétrons em estado estacionário

LaTeX Vai Concentração de portadores em estado estacionário = Concentração de elétrons na banda de condução+Concentração de Transportador em Excesso

Energia do elétron dada a constante de Coulomb

LaTeX Vai energia do elétron = (Número quântico^2*pi^2*[hP]^2)/(2*[Mass-e]*Comprimento potencial do poço^2)

Energia da Banda de Valência

LaTeX Vai Energia da Banda de Valência = Energia da Banda de Condução-Diferença de energia

Diferença de energia

LaTeX Vai Diferença de energia = Energia da Banda de Condução-Energia da Banda de Valência

Ver mais >>

< Portadores de semicondutores Calculadoras

Função Fermi

LaTeX Vai Função Fermi = Concentração de elétrons na banda de condução/Densidade efetiva de estado na banda de condução

Coeficiente de Distribuição

LaTeX Vai Coeficiente de distribuição = Concentração de Impurezas no Sólido/Concentração de impurezas no líquido

Energia da Banda de Condução

LaTeX Vai Energia da Banda de Condução = Diferença de energia+Energia da Banda de Valência

Energia fotoelétron

LaTeX Vai Energia fotoelétron = [hP]*Frequência da Luz Incidente

Ver mais >>

Excesso de concentração de portador Fórmula

LaTeX Vai

Concentração de Transportador em Excesso = Taxa de geração óptica*Tempo de vida de recombinação
δ_n = g_op*τ_n

Como você aumenta a concentração de portadores?

O abaixamento da temperatura causa uma diminuição na concentração de carreador intrínseco, enquanto o aumento da temperatura causa um aumento na concentração de carreador intrínseco.

Casa

LIVRE PDFs

🔍 Procurar

Categorias

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!