Espessura de Óxido Equivalente Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo
Fórmula Usada
Espessura de Óxido Equivalente = Espessura do Material*(3.9/Constante dielétrica do material)
EOT = thigh-k*(3.9/khigh-k)
Esta fórmula usa 3 Variáveis
Variáveis Usadas
Espessura de Óxido Equivalente - (Medido em Metro) - A espessura de óxido equivalente é uma medida usada na tecnologia de semicondutores para caracterizar as propriedades isolantes de um dielétrico de porta em um dispositivo semicondutor de óxido metálico (MOS).
Espessura do Material - (Medido em Metro) - Espessura do material é a espessura do material fornecido. Refere-se à dimensão física de um objeto medida perpendicularmente à sua superfície.
Constante dielétrica do material - Constante dielétrica do material é uma medida da capacidade de um material de armazenar energia elétrica em um campo elétrico.
ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base
Espessura do Material: 8.5 Nanômetro --> 8.5E-09 Metro (Verifique a conversão ​aqui)
Constante dielétrica do material: 2.26 --> Nenhuma conversão necessária
ETAPA 2: Avalie a Fórmula
Substituindo valores de entrada na fórmula
EOT = thigh-k*(3.9/khigh-k) --> 8.5E-09*(3.9/2.26)
Avaliando ... ...
EOT = 1.46681415929204E-08
PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída
1.46681415929204E-08 Metro -->14.6681415929204 Nanômetro (Verifique a conversão ​aqui)
RESPOSTA FINAL
14.6681415929204 14.66814 Nanômetro <-- Espessura de Óxido Equivalente
(Cálculo concluído em 00.020 segundos)

Créditos

Creator Image
Criado por banuprakash
Faculdade de Engenharia Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore
banuprakash criou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!
Verifier Image
Verificado por Santosh Yadav
Faculdade de Engenharia Dayananda Sagar (DSCE), Banglore
Santosh Yadav verificou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!

Fabricação de IC MOS Calculadoras

Efeito Corporal no MOSFET
​ LaTeX ​ Vai Tensão Limite com Substrato = Tensão limite com polarização corporal zero+Parâmetro de efeito corporal*(sqrt(2*Potencial de Fermi em massa+Tensão aplicada ao corpo)-sqrt(2*Potencial de Fermi em massa))
Corrente de drenagem do MOSFET na região de saturação
​ LaTeX ​ Vai Corrente de drenagem = Parâmetro de Transcondutância/2*(Tensão da Fonte da Porta-Tensão limite com polarização corporal zero)^2*(1+Fator de modulação de comprimento de canal*Tensão da fonte de drenagem)
Resistência do Canal
​ LaTeX ​ Vai Resistência do Canal = Comprimento do transistor/Largura do transistor*1/(Mobilidade Eletrônica*Densidade de portadora)
Frequência de ganho unitário MOSFET
​ LaTeX ​ Vai Frequência de ganho unitário em MOSFET = Transcondutância em MOSFET/(Capacitância da Fonte da Porta+Capacitância de drenagem do portão)

Espessura de Óxido Equivalente Fórmula

​LaTeX ​Vai
Espessura de Óxido Equivalente = Espessura do Material*(3.9/Constante dielétrica do material)
EOT = thigh-k*(3.9/khigh-k)
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