Eficiência de injeção de emissor dadas constantes de dopagem Calculadora

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✖A dopagem no lado N refere-se ao processo de introdução de tipos específicos de impurezas na região semicondutora do tipo N de um dispositivo semicondutor.ⓘ Doping no lado N [N_dn]			+10% -10%
✖Dopagem no lado P refere-se ao processo de introdução de tipos específicos de impurezas na região semicondutora do tipo P de um dispositivo semicondutor.ⓘ Doping no lado P [N_dp]			+10% -10%

✖A eficiência de injeção do emissor é a razão entre a corrente de elétrons que flui no emissor e a corrente total através da junção da base do emissor.ⓘ Eficiência de injeção de emissor dadas constantes de dopagem [γ]

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Eficiência de injeção de emissor dadas constantes de dopagem Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Eficiência de injeção de emissor = Doping no lado N/(Doping no lado N+Doping no lado P)
γ = N_dn/(N_dn+N_dp)
Esta fórmula usa 3 Variáveis

Variáveis Usadas

Eficiência de injeção de emissor - A eficiência de injeção do emissor é a razão entre a corrente de elétrons que flui no emissor e a corrente total através da junção da base do emissor.
Doping no lado N - (Medido em 1 por metro cúbico) - A dopagem no lado N refere-se ao processo de introdução de tipos específicos de impurezas na região semicondutora do tipo N de um dispositivo semicondutor.
Doping no lado P - (Medido em 1 por metro cúbico) - Dopagem no lado P refere-se ao processo de introdução de tipos específicos de impurezas na região semicondutora do tipo P de um dispositivo semicondutor.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Doping no lado N: 4.8 1 por centímetro cúbico --> 4800000 1 por metro cúbico (Verifique a conversão aqui)
Doping no lado P: 1.8 1 por centímetro cúbico --> 1800000 1 por metro cúbico (Verifique a conversão aqui)

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

γ = N_dn/(N_dn+N_dp) --> 4800000/(4800000+1800000)

Avaliando ... ...

γ = 0.727272727272727

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

0.727272727272727 --> Nenhuma conversão necessária

RESPOSTA FINAL

0.727272727272727 ≈ 0.727273 <-- Eficiência de injeção de emissor

(Cálculo concluído em 00.020 segundos)

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Créditos

Criado por banuprakash

Faculdade de Engenharia Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore

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Verificado por Santosh Yadav

Faculdade de Engenharia Dayananda Sagar (DSCE), Banglore

Santosh Yadav verificou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!

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Condutividade do Tipo N

LaTeX Vai Condutividade Ohmica = Cobrar*(Mobilidade de Silício com Dopagem Eletrônica*Concentração de equilíbrio do tipo N+Dopagem de furos Mobilidade de silício*(Concentração Intrínseca^2/Concentração de equilíbrio do tipo N))

Condutividade ôhmica da impureza

LaTeX Vai Condutividade Ohmica = Cobrar*(Mobilidade de Silício com Dopagem Eletrônica*Concentração de Elétrons+Dopagem de furos Mobilidade de silício*Concentração de Buraco)

Impureza com Concentração Intrínseca

LaTeX Vai Concentração Intrínseca = sqrt((Concentração de Elétrons*Concentração de Buraco)/Impureza de temperatura)

Tensão de ruptura do emissor coletor

LaTeX Vai Tensão de ruptura do emissor do coletor = Tensão de ruptura da base do coletor/(Ganho atual do BJT)^(1/Número raiz)

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