Velocidade de deriva de elétrons do canal no transistor NMOS Calculadora

✖A mobilidade dos elétrons na superfície do canal refere-se à capacidade dos elétrons de se moverem ou conduzirem dentro da camada superficial de um material quando submetidos a um campo elétrico.ⓘ Mobilidade de Elétrons na Superfície do Canal [μ_n]			+10% -10%
✖O campo elétrico ao longo do comprimento do canal é a força por unidade de carga que uma partícula experimenta à medida que se move através do canal.ⓘ Campo elétrico ao longo do comprimento do canal [E_L]			+10% -10%

✖A velocidade de deriva do elétron é devido ao campo elétrico que, por sua vez, faz com que os elétrons do canal se desloquem em direção ao dreno com uma velocidade.ⓘ Velocidade de deriva de elétrons do canal no transistor NMOS [v_d]

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Velocidade de deriva de elétrons do canal no transistor NMOS Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Velocidade de deriva de elétrons = Mobilidade de Elétrons na Superfície do Canal*Campo elétrico ao longo do comprimento do canal
v_d = μ_n*E_L
Esta fórmula usa 3 Variáveis

Variáveis Usadas

Velocidade de deriva de elétrons - (Medido em Metro por segundo) - A velocidade de deriva do elétron é devido ao campo elétrico que, por sua vez, faz com que os elétrons do canal se desloquem em direção ao dreno com uma velocidade.
Mobilidade de Elétrons na Superfície do Canal - (Medido em Metro quadrado por volt por segundo) - A mobilidade dos elétrons na superfície do canal refere-se à capacidade dos elétrons de se moverem ou conduzirem dentro da camada superficial de um material quando submetidos a um campo elétrico.
Campo elétrico ao longo do comprimento do canal - (Medido em Volt) - O campo elétrico ao longo do comprimento do canal é a força por unidade de carga que uma partícula experimenta à medida que se move através do canal.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Mobilidade de Elétrons na Superfície do Canal: 2.2 Metro quadrado por volt por segundo --> 2.2 Metro quadrado por volt por segundo Nenhuma conversão necessária
Campo elétrico ao longo do comprimento do canal: 10.6 Volt --> 10.6 Volt Nenhuma conversão necessária

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

v_d = μ_n*E_L --> 2.2*10.6

Avaliando ... ...

v_d = 23.32

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

23.32 Metro por segundo --> Nenhuma conversão necessária

RESPOSTA FINAL

23.32 Metro por segundo <-- Velocidade de deriva de elétrons

(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

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Créditos

Criado por Payal Priya

Birsa Institute of Technology (MORDEU), Sindri

Payal Priya criou esta calculadora e mais 600+ calculadoras!

Verificado por Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod verificou esta calculadora e mais 1900+ calculadoras!

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Corrente entrando na fonte de dreno na região do triodo do NMOS

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Terminal de drenagem de entrada de corrente de NMOS dada tensão de fonte de porta

NMOS como resistência linear

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Velocidade de deriva de elétrons do canal no transistor NMOS

LaTeX Vai Velocidade de deriva de elétrons = Mobilidade de Elétrons na Superfície do Canal*Campo elétrico ao longo do comprimento do canal

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Velocidade de deriva de elétrons do canal no transistor NMOS Fórmula

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Velocidade de deriva de elétrons = Mobilidade de Elétrons na Superfície do Canal*Campo elétrico ao longo do comprimento do canal
v_d = μ_n*E_L

Explique o funcionamento do transistor NMOS.

Um transistor NMOS com a tensão na fonte de gás> tensão limite e com uma pequena tensão aplicada entre o dreno e a fonte. O dispositivo atua como uma resistência cujo valor é determinado pela tensão na fonte de gás. Especificamente, a condutância do canal é proporcional à tensão na fonte de gás - tensão limite e, portanto, Id é proporcional à tensão (tensão na fonte de gás - tensão limite) entre o dreno e a fonte

O que é mobilidade do elétron no canal?

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