Densidade de corrente de deriva devido a elétrons livres Calculadora

Engenharia Financeiro Física Matemática Parque infantil Química Saúde

↳

Eletrônicos Ciência de materiais Civil Elétrico Eletrônica e Instrumentação Engenharia de Produção Engenheiro químico Mecânico

⤿

Fabricação de IC MOS Fabricação de CI bipolar Gatilho Schmitt

✖A concentração de elétrons refere-se ao número de elétrons por unidade de volume em um material.ⓘ Concentração de elétrons [n]			+10% -10%
✖A mobilidade eletrônica descreve a rapidez com que os elétrons podem se mover através do material em resposta a um campo elétrico.ⓘ Mobilidade Eletrônica [μ_n]			+10% -10%
✖A Intensidade do Campo Elétrico é uma grandeza vetorial que representa a força experimentada por uma carga de teste positiva em um determinado ponto do espaço devido à presença de outras cargas.ⓘ Intensidade do Campo Elétrico [E_i]			+10% -10%

✖A densidade de corrente de deriva devido aos elétrons refere-se ao movimento de portadores de carga (elétrons) em um material semicondutor sob a influência de um campo elétrico.ⓘ Densidade de corrente de deriva devido a elétrons livres [J_n]

⎘ Cópia De

👎

Fórmula

✖

Densidade de corrente de deriva devido a elétrons livres

Fórmula

J n = [Charge-e] \cdot n \cdot μ n \cdot E i

Exemplo

53.83313 µA = [Charge-e] \cdot 1E+6 electrons/cm³ \cdot 30 m²/V*s \cdot 11.2 V/m

Calculadora

LaTeX

Redefinir

👍

Download Fabricação de IC MOS Fórmulas PDF PDF Image

Densidade de corrente de deriva devido a elétrons livres Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Densidade de corrente de deriva devido a elétrons = [Charge-e]*Concentração de elétrons*Mobilidade Eletrônica*Intensidade do Campo Elétrico
J_n = [Charge-e]*n*μ_n*E_i
Esta fórmula usa 1 Constantes, 4 Variáveis

Constantes Usadas

[Charge-e] - Carga do elétron Valor considerado como 1.60217662E-19

Variáveis Usadas

Densidade de corrente de deriva devido a elétrons - (Medido em Ampere) - A densidade de corrente de deriva devido aos elétrons refere-se ao movimento de portadores de carga (elétrons) em um material semicondutor sob a influência de um campo elétrico.
Concentração de elétrons - (Medido em Elétrons por metro cúbico) - A concentração de elétrons refere-se ao número de elétrons por unidade de volume em um material.
Mobilidade Eletrônica - (Medido em Metro quadrado por volt por segundo) - A mobilidade eletrônica descreve a rapidez com que os elétrons podem se mover através do material em resposta a um campo elétrico.
Intensidade do Campo Elétrico - (Medido em Volt por Metro) - A Intensidade do Campo Elétrico é uma grandeza vetorial que representa a força experimentada por uma carga de teste positiva em um determinado ponto do espaço devido à presença de outras cargas.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Concentração de elétrons: 1000000 Elétrons por Centímetro Cúbico --> 1000000000000 Elétrons por metro cúbico (Verifique a conversão aqui)
Mobilidade Eletrônica: 30 Metro quadrado por volt por segundo --> 30 Metro quadrado por volt por segundo Nenhuma conversão necessária
Intensidade do Campo Elétrico: 11.2 Volt por Metro --> 11.2 Volt por Metro Nenhuma conversão necessária

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

J_n = [Charge-e]*n*μ_n*E_i --> [Charge-e]*1000000000000*30*11.2

Avaliando ... ...

J_n = 5.3833134432E-05

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

5.3833134432E-05 Ampere -->53.833134432 Microampère (Verifique a conversão aqui)

RESPOSTA FINAL

53.833134432 ≈ 53.83313 Microampère <-- Densidade de corrente de deriva devido a elétrons

(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

Você está aqui -

Casa » Engenharia » Eletrônicos » Circuitos Integrados (CI) » Fabricação de IC MOS » Densidade de corrente de deriva devido a elétrons livres

Créditos

Criado por banuprakash

Faculdade de Engenharia Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore

banuprakash criou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!

Verificado por Santosh Yadav

Faculdade de Engenharia Dayananda Sagar (DSCE), Banglore

Santosh Yadav verificou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!

< 5 Fabricação de IC MOS Calculadoras

Efeito Corporal no MOSFET

Vai Tensão Limite com Substrato = Tensão limite com polarização corporal zero+Parâmetro de efeito corporal*(sqrt(2*Potencial de Fermi em massa+Tensão aplicada ao corpo)-sqrt(2*Potencial de Fermi em massa))

Corrente de drenagem do MOSFET na região de saturação

Vai Corrente de drenagem = Parâmetro de Transcondutância/2*(Tensão da Fonte da Porta-Tensão limite com polarização corporal zero)^2*(1+Fator de modulação de comprimento de canal*Tensão da fonte de drenagem)

Tempo de propagação

Vai Tempo de propagação = 0.7*Número de transistores de passagem*((Número de transistores de passagem+1)/2)*Resistência em MOSFET*Capacitância de Carga

Resistência do Canal

Vai Resistência do Canal = Comprimento do transistor/Largura do transistor*1/(Mobilidade Eletrônica*Densidade de portadora)

Frequência de ganho unitário MOSFET

Vai Frequência de ganho unitário em MOSFET = Transcondutância em MOSFET/(Capacitância da Fonte da Porta+Capacitância de drenagem do portão)

Densidade de corrente de deriva devido a elétrons livres Fórmula

Densidade de corrente de deriva devido a elétrons = [Charge-e]*Concentração de elétrons*Mobilidade Eletrônica*Intensidade do Campo Elétrico
J_n = [Charge-e]*n*μ_n*E_i

Casa

LIVRE PDFs

🔍 Procurar

Categorias

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!