Densidade de corrente de deriva devido a elétrons livres Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo
Fórmula Usada
Densidade de corrente de deriva devido a elétrons = [Charge-e]*Concentração de elétrons*Mobilidade Eletrônica*Intensidade do Campo Elétrico
Jn = [Charge-e]*n*μn*Ei
Esta fórmula usa 1 Constantes, 4 Variáveis
Constantes Usadas
[Charge-e] - Carga do elétron Valor considerado como 1.60217662E-19
Variáveis Usadas
Densidade de corrente de deriva devido a elétrons - (Medido em Ampere) - A densidade de corrente de deriva devido aos elétrons refere-se ao movimento de portadores de carga (elétrons) em um material semicondutor sob a influência de um campo elétrico.
Concentração de elétrons - (Medido em Elétrons por metro cúbico) - A concentração de elétrons refere-se ao número de elétrons por unidade de volume em um material.
Mobilidade Eletrônica - (Medido em Metro quadrado por volt por segundo) - A mobilidade eletrônica descreve a rapidez com que os elétrons podem se mover através do material em resposta a um campo elétrico.
Intensidade do Campo Elétrico - (Medido em Volt por Metro) - A Intensidade do Campo Elétrico é uma grandeza vetorial que representa a força experimentada por uma carga de teste positiva em um determinado ponto do espaço devido à presença de outras cargas.
ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base
Concentração de elétrons: 1000000 Elétrons por Centímetro Cúbico --> 1000000000000 Elétrons por metro cúbico (Verifique a conversão ​aqui)
Mobilidade Eletrônica: 30 Metro quadrado por volt por segundo --> 30 Metro quadrado por volt por segundo Nenhuma conversão necessária
Intensidade do Campo Elétrico: 11.2 Volt por Metro --> 11.2 Volt por Metro Nenhuma conversão necessária
ETAPA 2: Avalie a Fórmula
Substituindo valores de entrada na fórmula
Jn = [Charge-e]*n*μn*Ei --> [Charge-e]*1000000000000*30*11.2
Avaliando ... ...
Jn = 5.3833134432E-05
PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída
5.3833134432E-05 Ampere -->53.833134432 Microampère (Verifique a conversão ​aqui)
RESPOSTA FINAL
53.833134432 53.83313 Microampère <-- Densidade de corrente de deriva devido a elétrons
(Cálculo concluído em 00.007 segundos)

Créditos

Creator Image
Criado por banuprakash
Faculdade de Engenharia Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore
banuprakash criou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!
Verifier Image
Verificado por Santosh Yadav
Faculdade de Engenharia Dayananda Sagar (DSCE), Banglore
Santosh Yadav verificou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!

Fabricação de IC MOS Calculadoras

Efeito Corporal no MOSFET
​ LaTeX ​ Vai Tensão Limite com Substrato = Tensão limite com polarização corporal zero+Parâmetro de efeito corporal*(sqrt(2*Potencial de Fermi em massa+Tensão aplicada ao corpo)-sqrt(2*Potencial de Fermi em massa))
Corrente de drenagem do MOSFET na região de saturação
​ LaTeX ​ Vai Corrente de drenagem = Parâmetro de Transcondutância/2*(Tensão da Fonte da Porta-Tensão limite com polarização corporal zero)^2*(1+Fator de modulação de comprimento de canal*Tensão da fonte de drenagem)
Resistência do Canal
​ LaTeX ​ Vai Resistência do Canal = Comprimento do transistor/Largura do transistor*1/(Mobilidade Eletrônica*Densidade de portadora)
Frequência de ganho unitário MOSFET
​ LaTeX ​ Vai Frequência de ganho unitário em MOSFET = Transcondutância em MOSFET/(Capacitância da Fonte da Porta+Capacitância de drenagem do portão)

Densidade de corrente de deriva devido a elétrons livres Fórmula

​LaTeX ​Vai
Densidade de corrente de deriva devido a elétrons = [Charge-e]*Concentração de elétrons*Mobilidade Eletrônica*Intensidade do Campo Elétrico
Jn = [Charge-e]*n*μn*Ei
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