Drenar corrente de saturação do MOSFET Calculadora

✖A transcondutância do processo em PMOS refere-se ao ganho de um transistor PMOS em relação à sua tensão de porta-fonte.ⓘ Processo de Transcondutância em PMOS [k'_p]			+10% -10%
✖A largura do canal refere-se à faixa de frequências usada para transmitir dados através de um canal de comunicação sem fio. Também é conhecido como largura de banda e é medido em hertz (Hz).ⓘ Largura de banda [W_c]			+10% -10%
✖O comprimento do canal refere-se à distância entre os terminais de fonte e dreno em um transistor de efeito de campo (FET).ⓘ Comprimento do canal [L]			+10% -10%
✖A tensão efetiva em um MOSFET (transistor de efeito de campo semicondutor de óxido metálico) é a tensão que determina o comportamento do dispositivo. Também é conhecida como tensão porta-fonte.ⓘ Tensão Efetiva [V_eff]			+10% -10%

✖A corrente de dreno de saturação é um parâmetro importante no projetoⓘ Drenar corrente de saturação do MOSFET [I_d(sat)]

⎘ Cópia De

👎

Fórmula

LaTeX

Redefinir

👍

Download MOSFET Fórmula PDF PDF Image

Drenar corrente de saturação do MOSFET Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Corrente de drenagem de saturação = 1/2*Processo de Transcondutância em PMOS*Largura de banda/Comprimento do canal*(Tensão Efetiva)^2
I_d(sat) = 1/2*k'_p*W_c/L*(V_eff)^2
Esta fórmula usa 5 Variáveis

Variáveis Usadas

Corrente de drenagem de saturação - (Medido em Ampere) - A corrente de dreno de saturação é um parâmetro importante no projeto
Processo de Transcondutância em PMOS - (Medido em Siemens) - A transcondutância do processo em PMOS refere-se ao ganho de um transistor PMOS em relação à sua tensão de porta-fonte.
Largura de banda - (Medido em Metro) - A largura do canal refere-se à faixa de frequências usada para transmitir dados através de um canal de comunicação sem fio. Também é conhecido como largura de banda e é medido em hertz (Hz).
Comprimento do canal - (Medido em Metro) - O comprimento do canal refere-se à distância entre os terminais de fonte e dreno em um transistor de efeito de campo (FET).
Tensão Efetiva - (Medido em Volt) - A tensão efetiva em um MOSFET (transistor de efeito de campo semicondutor de óxido metálico) é a tensão que determina o comportamento do dispositivo. Também é conhecida como tensão porta-fonte.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Processo de Transcondutância em PMOS: 0.58 Millisiemens --> 0.00058 Siemens (Verifique a conversão aqui)
Largura de banda: 10 Micrômetro --> 1E-05 Metro (Verifique a conversão aqui)
Comprimento do canal: 100 Micrômetro --> 0.0001 Metro (Verifique a conversão aqui)
Tensão Efetiva: 1.7 Volt --> 1.7 Volt Nenhuma conversão necessária

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

I_d(sat) = 1/2*k'_p*W_c/L*(V_eff)^2 --> 1/2*0.00058*1E-05/0.0001*(1.7)^2

Avaliando ... ...

I_d(sat) = 8.381E-05

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

8.381E-05 Ampere -->0.08381 Miliamperes (Verifique a conversão aqui)

RESPOSTA FINAL

0.08381 Miliamperes <-- Corrente de drenagem de saturação

(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

Você está aqui -

Casa » Engenharia » Eletrônicos » MOSFET » Eletrônica Analógica » Atual » Drenar corrente de saturação do MOSFET

Créditos

Criado por Payal Priya

Birsa Institute of Technology (MORDEU), Sindri

Payal Priya criou esta calculadora e mais 600+ calculadoras!

Verificado por Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod verificou esta calculadora e mais 1900+ calculadoras!

< Atual Calculadoras

Corrente de segundo dreno do MOSFET na operação de sinal grande

LaTeX Vai Drenar Corrente 2 = Corrente de polarização DC/2-Corrente de polarização DC/Tensão Overdrive*Sinal de entrada diferencial/2*sqrt(1-(Sinal de entrada diferencial)^2/(4*Tensão Overdrive^2))

Primeira corrente de dreno do MOSFET na operação de sinal grande

LaTeX Vai Drenar corrente 1 = Corrente de polarização DC/2+Corrente de polarização DC/Tensão Overdrive*Sinal de entrada diferencial/2*sqrt(1-Sinal de entrada diferencial^2/(4*Tensão Overdrive^2))

Primeira corrente de dreno do MOSFET na operação de sinal grande dada a tensão de overdrive

LaTeX Vai Drenar corrente 1 = Corrente de polarização DC/2+Corrente de polarização DC/Tensão Overdrive*Sinal de entrada diferencial/2

Corrente de dreno do MOSFET na operação de sinal grande, dada a tensão de overdrive

LaTeX Vai Corrente de drenagem = (Corrente de polarização DC/Tensão Overdrive)*(Sinal de entrada diferencial/2)

Ver mais >>

Drenar corrente de saturação do MOSFET Fórmula

LaTeX Vai

Corrente de drenagem de saturação = 1/2*Processo de Transcondutância em PMOS*Largura de banda/Comprimento do canal*(Tensão Efetiva)^2
I_d(sat) = 1/2*k'_p*W_c/L*(V_eff)^2

O que é a corrente de saturação do dreno?

Uma camada de depleção localizada na extremidade do dreno da porta acomoda a tensão dreno para a fonte adicional. Este comportamento é conhecido como saturação de corrente de dreno. O modelo quadrático explica as características típicas de corrente-tensão de um MOSFET, que são normalmente plotadas para diferentes tensões porta-fonte.

Quanta corrente um MOSFET pode suportar?

MOSFETs de alta amperagem como o 511-STP200N3LL dizem que podem lidar com 120 Amps de corrente. O Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, ou MOSFET para abreviar, tem uma resistência de porta de entrada extremamente alta com a corrente fluindo através do canal entre a fonte e o dreno é controlada pela tensão de porta.

Casa

LIVRE PDFs

🔍 Procurar

Categorias

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!