Corrente de dreno sem modulação de comprimento de canal de MOSFET Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo
Fórmula Usada
Corrente de drenagem = 1/2*Processo de Transcondutância em PMOS*Proporção da tela*(Tensão Gate-Fonte-Tensão de limiar)^2
id = 1/2*k'p*WL*(Vgs-Vth)^2
Esta fórmula usa 5 Variáveis
Variáveis Usadas
Corrente de drenagem - (Medido em Ampere) - Corrente de dreno é a corrente que flui entre o dreno e os terminais de fonte de um transistor de efeito de campo (FET), que é um tipo de transistor comumente usado em circuitos eletrônicos.
Processo de Transcondutância em PMOS - (Medido em Siemens) - A transcondutância do processo em PMOS refere-se ao ganho de um transistor PMOS em relação à sua tensão de porta-fonte.
Proporção da tela - A relação de aspecto é definida como a relação entre a largura do canal do transistor e seu comprimento. É a razão entre a largura do portão e a distância entre a fonte
Tensão Gate-Fonte - (Medido em Volt) - A tensão gate-source é um parâmetro crítico que afeta a operação de um FET e é frequentemente usada para controlar o comportamento do dispositivo.
Tensão de limiar - (Medido em Volt) - A tensão limiar, também conhecida como tensão limiar da porta ou simplesmente Vth, é um parâmetro crítico na operação dos transistores de efeito de campo, que são componentes fundamentais da eletrônica moderna.
ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base
Processo de Transcondutância em PMOS: 0.58 Millisiemens --> 0.00058 Siemens (Verifique a conversão ​aqui)
Proporção da tela: 0.1 --> Nenhuma conversão necessária
Tensão Gate-Fonte: 4 Volt --> 4 Volt Nenhuma conversão necessária
Tensão de limiar: 2.3 Volt --> 2.3 Volt Nenhuma conversão necessária
ETAPA 2: Avalie a Fórmula
Substituindo valores de entrada na fórmula
id = 1/2*k'p*WL*(Vgs-Vth)^2 --> 1/2*0.00058*0.1*(4-2.3)^2
Avaliando ... ...
id = 8.381E-05
PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída
8.381E-05 Ampere -->0.08381 Miliamperes (Verifique a conversão ​aqui)
RESPOSTA FINAL
0.08381 Miliamperes <-- Corrente de drenagem
(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

Créditos

Creator Image
Criado por Payal Priya
Birsa Institute of Technology (MORDEU), Sindri
Payal Priya criou esta calculadora e mais 600+ calculadoras!
Verifier Image
Verificado por Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod verificou esta calculadora e mais 1900+ calculadoras!

Atual Calculadoras

Corrente de segundo dreno do MOSFET na operação de sinal grande
​ LaTeX ​ Vai Drenar Corrente 2 = Corrente de polarização DC/2-Corrente de polarização DC/Tensão Overdrive*Sinal de entrada diferencial/2*sqrt(1-(Sinal de entrada diferencial)^2/(4*Tensão Overdrive^2))
Primeira corrente de dreno do MOSFET na operação de sinal grande
​ LaTeX ​ Vai Drenar corrente 1 = Corrente de polarização DC/2+Corrente de polarização DC/Tensão Overdrive*Sinal de entrada diferencial/2*sqrt(1-Sinal de entrada diferencial^2/(4*Tensão Overdrive^2))
Primeira corrente de dreno do MOSFET na operação de sinal grande dada a tensão de overdrive
​ LaTeX ​ Vai Drenar corrente 1 = Corrente de polarização DC/2+Corrente de polarização DC/Tensão Overdrive*Sinal de entrada diferencial/2
Corrente de dreno do MOSFET na operação de sinal grande, dada a tensão de overdrive
​ LaTeX ​ Vai Corrente de drenagem = (Corrente de polarização DC/Tensão Overdrive)*(Sinal de entrada diferencial/2)

Corrente de dreno sem modulação de comprimento de canal de MOSFET Fórmula

​LaTeX ​Vai
Corrente de drenagem = 1/2*Processo de Transcondutância em PMOS*Proporção da tela*(Tensão Gate-Fonte-Tensão de limiar)^2
id = 1/2*k'p*WL*(Vgs-Vth)^2

O que é dreno de corrente no MOSFET?

A corrente de drenagem abaixo da tensão limite é definida como a corrente subliminar e varia exponencialmente com Vgs. A recíproca da inclinação do log (Ids) vs. característica Vgs é definida como a inclinação do sublimiar, S, e é uma das métricas de desempenho mais críticas para MOSFETs em aplicativos lógicos.

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