Corrente de drenagem na região de saturação no transistor MOS Calculadora

Corrente de drenagem da região de saturação = Largura de banda*Velocidade de deriva de elétrons de saturação*int(Carregar*Parâmetro de canal curto,x,0,Comprimento Efetivo do Canal)
I_D(sat) = W*V_d(sat)*int(q*n_x,x,0,L_eff)
Esta fórmula usa 1 Funções, 6 Variáveis
int - A integral definida pode ser usada para calcular a área líquida assinada, que é a área acima do eixo x menos a área abaixo do eixo x., int(expr, arg, from, to)Corrente de drenagem da região de saturação - (Medido em Ampere) - Corrente de drenagem da região de saturação é a corrente que flui do terminal de drenagem para o terminal de fonte quando o transistor está operando em um modo específico.
Largura de banda - (Medido em Metro) - A largura do canal representa a largura do canal condutor dentro de um MOSFET, afetando diretamente a quantidade de corrente que ele pode suportar.
Velocidade de deriva de elétrons de saturação - (Medido em Metro por segundo) - A velocidade de deriva de elétrons de saturação representa a velocidade de deriva de elétrons na saturação em um MOSFET que está em campos elétricos baixos.
Carregar - (Medido em Coulomb) - Uma Carga é a propriedade fundamental das formas de matéria que exibem atração ou repulsão eletrostática na presença de outra matéria.
Parâmetro de canal curto - Parâmetro de canal curto é um parâmetro (potencialmente específico do modelo) usado para descrever uma característica da região do canal em um MOSFET de canal curto.
Comprimento Efetivo do Canal - (Medido em Metro) - O comprimento efetivo do canal é a parte do canal que conduz ativamente a corrente quando o transistor está operando.

(Cálculo concluído em 00.004 segundos)