Corrente de drenagem que flui através do transistor MOS Calculadora

Corrente de drenagem = (Largura de banda/Comprimento do canal)*Mobilidade Eletrônica*Capacitância de Óxido*int((Tensão da Fonte da Porta-x-Tensão de limiar),x,0,Tensão da fonte de drenagem)
I_D = (W/L)*μ_n*C_ox*int((V_GS-x-V_T),x,0,V_DS)
Esta fórmula usa 1 Funções, 8 Variáveis
int - A integral definida pode ser usada para calcular a área líquida assinada, que é a área acima do eixo x menos a área abaixo do eixo x., int(expr, arg, from, to)Corrente de drenagem - (Medido em Ampere) - Corrente de Dreno é a corrente que flui do terminal de dreno para o terminal de fonte, controlada pela tensão aplicada ao portão.
Largura de banda - (Medido em Metro) - A largura do canal representa a largura do canal condutor dentro de um MOSFET, afetando diretamente a quantidade de corrente que ele pode suportar.
Comprimento do canal - (Medido em Metro) - O comprimento do canal em um MOSFET é a distância entre as regiões de fonte e dreno, determinando a facilidade com que a corrente flui e impactando o desempenho do transistor.
Mobilidade Eletrônica - (Medido em Metro quadrado por volt por segundo) - A mobilidade eletrônica no MOSFET descreve a facilidade com que os elétrons podem se mover através do canal, impactando diretamente o fluxo de corrente para uma determinada tensão.
Capacitância de Óxido - (Medido em Farad) - Capacitância de óxido refere-se à capacitância associada à camada isolante de óxido em uma estrutura de metal-óxido-semicondutor (MOS), como em MOSFETs.
Tensão da Fonte da Porta - (Medido em Volt) - A tensão da fonte da porta é a tensão aplicada entre os terminais da porta e da fonte de um MOSFET.
Tensão de limiar - (Medido em Volt) - Tensão limite é a tensão mínima porta-fonte necessária em um MOSFET para ligá-lo e permitir o fluxo de uma corrente significativa.
Tensão da fonte de drenagem - (Medido em Volt) - A tensão da fonte de drenagem é a tensão aplicada entre o terminal de drenagem e a fonte.

(Cálculo concluído em 00.020 segundos)