✖A mobilidade do elétron é definida como a magnitude da velocidade média de deriva por unidade de campo elétrico.ⓘ Mobilidade do Elétron [μn] | | | +10% -10% |
✖Gate Oxide Capacitância é a capacidade de um componente ou circuito para coletar e armazenar energia na forma de uma carga elétrica.ⓘ Capacitância de óxido de portão [Cox] | | | +10% -10% |
✖Largura da junção de porta é definida como a largura da junção de porta em um dispositivo semicondutor.ⓘ Largura da junção do portão [Wgate] | | | +10% -10% |
✖O comprimento do portão é simplesmente o comprimento físico do portão. O comprimento do canal é o caminho que liga os portadores de carga entre o dreno e a fonte.ⓘ Comprimento do portão [Lg] | | | +10% -10% |
✖A tensão da fonte de porta de um transistor é a tensão que cai no terminal da fonte de porta do transistor.ⓘ Tensão da fonte do portão [Vgs] | | | +10% -10% |
✖A tensão limite do transistor é a tensão mínima necessária para criar um caminho de condução entre os terminais de fonte e dreno.ⓘ Tensão de limiar [Vth] | | | +10% -10% |
✖A tensão de saturação da fonte de dreno é a diferença de tensão entre o terminal emissor e o coletor necessária para ligar um MOSFET.ⓘ Tensão de saturação da fonte de dreno [Vds] | | | +10% -10% |