Corrente de dreno na região do triodo do transistor PMOS dado Vsd Calculadora

✖O Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS (PTM) é um parâmetro usado na modelagem de dispositivos semicondutores para caracterizar o desempenho de um transistor.ⓘ Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS [k'_p]			+10% -10%
✖A relação de aspecto é definida como a relação entre a largura do canal do transistor e seu comprimento. É a razão entre a largura do portão e a distância entre a fonteⓘ Proporção da tela [WL]			+10% -10%
✖A tensão efetiva é a tensão CC equivalente que produziria a mesma quantidade de dissipação de energia em uma carga resistiva que a tensão CA sendo medida.ⓘ Tensão efetiva [V_ov]			+10% -10%
✖A tensão entre o dreno e a fonte é um parâmetro chave na operação de um transistor de efeito de campo (FET) e é frequentemente chamada de "tensão dreno-fonte" ou VDS.ⓘ Tensão entre Dreno e Fonte [V_DS]			+10% -10%

✖A corrente de dreno é a corrente elétrica que flui do dreno para a fonte de um transistor de efeito de campo (FET) ou um transistor de efeito de campo de semicondutor de óxido de metal (MOSFET).ⓘ Corrente de dreno na região do triodo do transistor PMOS dado Vsd [I_d]

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Corrente de dreno na região do triodo do transistor PMOS dado Vsd Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Drenar Corrente = Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS*Proporção da tela*(modulus(Tensão efetiva)-1/2*Tensão entre Dreno e Fonte)*Tensão entre Dreno e Fonte
I_d = k'_p*WL*(modulus(V_ov)-1/2*V_DS)*V_DS
Esta fórmula usa 1 Funções, 5 Variáveis

Funções usadas

modulus - O módulo de um número é o resto quando esse número é dividido por outro número., modulus

Variáveis Usadas

Drenar Corrente - (Medido em Ampere) - A corrente de dreno é a corrente elétrica que flui do dreno para a fonte de um transistor de efeito de campo (FET) ou um transistor de efeito de campo de semicondutor de óxido de metal (MOSFET).
Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS - (Medido em Siemens) - O Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS (PTM) é um parâmetro usado na modelagem de dispositivos semicondutores para caracterizar o desempenho de um transistor.
Proporção da tela - A relação de aspecto é definida como a relação entre a largura do canal do transistor e seu comprimento. É a razão entre a largura do portão e a distância entre a fonte
Tensão efetiva - (Medido em Volt) - A tensão efetiva é a tensão CC equivalente que produziria a mesma quantidade de dissipação de energia em uma carga resistiva que a tensão CA sendo medida.
Tensão entre Dreno e Fonte - (Medido em Volt) - A tensão entre o dreno e a fonte é um parâmetro chave na operação de um transistor de efeito de campo (FET) e é frequentemente chamada de "tensão dreno-fonte" ou VDS.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS: 2.1 Millisiemens --> 0.0021 Siemens (Verifique a conversão aqui)
Proporção da tela: 6 --> Nenhuma conversão necessária
Tensão efetiva: 2.16 Volt --> 2.16 Volt Nenhuma conversão necessária
Tensão entre Dreno e Fonte: 2.45 Volt --> 2.45 Volt Nenhuma conversão necessária

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

I_d = k'_p*WL*(modulus(V_ov)-1/2*V_DS)*V_DS --> 0.0021*6*(modulus(2.16)-1/2*2.45)*2.45

Avaliando ... ...

I_d = 0.02886345

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

0.02886345 Ampere -->28.86345 Miliamperes (Verifique a conversão aqui)

RESPOSTA FINAL

28.86345 Miliamperes <-- Drenar Corrente

(Cálculo concluído em 00.145 segundos)

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Créditos

Criado por Payal Priya

Birsa Institute of Technology (MORDEU), Sindri

Payal Priya criou esta calculadora e mais 600+ calculadoras!

Verificado por Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod verificou esta calculadora e mais 1900+ calculadoras!

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Corrente de dreno na região do triodo do transistor PMOS

LaTeX Vai Drenar Corrente = Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS*Proporção da tela*((Tensão entre Gate e Source-modulus(Tensão de limiar))*Tensão entre Dreno e Fonte-1/2*(Tensão entre Dreno e Fonte)^2)

Corrente de dreno na região do triodo do transistor PMOS dado Vsd

LaTeX Vai Drenar Corrente = Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS*Proporção da tela*(modulus(Tensão efetiva)-1/2*Tensão entre Dreno e Fonte)*Tensão entre Dreno e Fonte

Corrente de drenagem na região de saturação do transistor PMOS

LaTeX Vai Corrente de drenagem de saturação = 1/2*Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS*Proporção da tela*(Tensão entre Gate e Source-modulus(Tensão de limiar))^2

Corrente de dreno na região de saturação do transistor PMOS dado Vov

LaTeX Vai Corrente de drenagem de saturação = 1/2*Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS*Proporção da tela*(Tensão efetiva)^2

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Corrente de dreno na região do triodo do transistor PMOS dado Vsd Fórmula

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O que é dreno de corrente no MOSFET?

A corrente de drenagem abaixo da tensão limite é definida como a corrente subliminar e varia exponencialmente com Vgs. A recíproca da inclinação do log (Ids) vs. característica Vgs é definida como a inclinação do sublimiar, S, e é uma das métricas de desempenho mais críticas para MOSFETs em aplicativos lógicos.

De que maneira a corrente flui em um PMOS?

Em um NMOS, os elétrons são os portadores de carga. Assim, os elétrons viajam da Fonte para o Dreno (o que significa que a corrente vai de Dreno> Fonte). Em um PMOS, os buracos são os portadores de carga. Assim, os buracos viajam da Fonte para o Dreno.

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